メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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S40X043751JP

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750 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043751JPTR-ND@0

絶縁型 750 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043752JP

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7.5k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043752JPTR-ND@0

絶縁型 7.5k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043753JP

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75k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043753JPTR-ND@0

絶縁型 75k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043754JP

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750k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043754JPTR-ND@0

絶縁型 750k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043820JP

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82 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043820JPTR-ND@0

絶縁型 82 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043821JP

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820 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043821JPTR-ND@0

絶縁型 820 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043822JP

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8.2k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043822JPTR-ND@0

絶縁型 8.2k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043823JP

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82k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043823JPTR-ND@0

絶縁型 82k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043824JP

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820k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043824JPTR-ND@0

絶縁型 820k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043910JP

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91 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043910JPTR-ND@0

絶縁型 91 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043911JP

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910 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043911JPTR-ND@0

絶縁型 910 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043912JP

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9.1k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043912JPTR-ND@0

絶縁型 9.1k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043913JP

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91k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043913JPTR-ND@0

絶縁型 91k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043914JP

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910k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S40X043914JPTR-ND@0

絶縁型 910k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S41C083000XP

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0.0 オーム ジャンパ 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083000XPTR-ND@0

絶縁型 0.0 - 4 - 31.25mW 8 ジャンパ - -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083100GP

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10 オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083100GPTR-ND@0

絶縁型 10 - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083100JP

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10 オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083100JPTR-ND@0

絶縁型 10 - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083101GP

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100 オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083101GPTR-ND@0

絶縁型 100 - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083101JP

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100 オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083101JPTR-ND@0

絶縁型 100 - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083102GP

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1k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083102GPTR-ND@0

絶縁型 1k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083102JP

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1k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083102JPTR-ND@0

絶縁型 1k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083103GP

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10k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083103GPTR-ND@0

絶縁型 10k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083103JP

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10k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083103JPTR-ND@0

絶縁型 10k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083104GP

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100k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083104GPTR-ND@0

絶縁型 100k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083104JP

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100k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083104JPTR-ND@0

絶縁型 100k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1M オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083105GPTR-ND@0

絶縁型 1M - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083105JP

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1M オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083105JPTR-ND@0

絶縁型 1M - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083110GP

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11 オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083110GPTR-ND@0

絶縁型 11 - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083110JP

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11 オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083110JPTR-ND@0

絶縁型 11 - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083111GP

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110 オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083111GPTR-ND@0

絶縁型 110 - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083111JP

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110 オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083111JPTR-ND@0

絶縁型 110 - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083112GP

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1.1k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083112GPTR-ND@0

絶縁型 1.1k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083112JP

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1.1k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083112JPTR-ND@0

絶縁型 1.1k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083113GP

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11k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083113GPTR-ND@0

絶縁型 11k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083113JP

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11k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083113JPTR-ND@0

絶縁型 11k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083114GP

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110k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083114GPTR-ND@0

絶縁型 110k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083114JP

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110k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083114JPTR-ND@0

絶縁型 110k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083120GP

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12 オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083120GPTR-ND@0

絶縁型 12 - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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12 オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083120JPTR-ND@0

絶縁型 12 - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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120 オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083121GPTR-ND@0

絶縁型 120 - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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120 オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083121JPTR-ND@0

絶縁型 120 - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1.2k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083122GPTR-ND@0

絶縁型 1.2k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083122JP

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1.2k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083122JPTR-ND@0

絶縁型 1.2k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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12k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083123GPTR-ND@0

絶縁型 12k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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12k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083123JPTR-ND@0

絶縁型 12k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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120k オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083124GPTR-ND@0

絶縁型 120k - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083124JP

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120k オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083124JPTR-ND@0

絶縁型 120k - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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13 オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083130GPTR-ND@0

絶縁型 13 - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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S41C083130JP

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13 オーム ±5% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083130JPTR-ND@0

絶縁型 13 - 4 - 31.25mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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130 オーム ±2% 31.25mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S41C083131GPTR-ND@0

絶縁型 130 - 4 - 31.25mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)