メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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15 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 15 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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15 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043150JPTR-ND@0

絶縁型 15 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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150 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 150 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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150 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 150 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.5k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 1.5k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.5k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 1.5k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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15k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 15k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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15k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 15k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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150k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 150k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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150k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 150k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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16 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 16 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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16 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 16 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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160 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 160 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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160 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 160 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.6k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 1.6k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.6k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 1.6k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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16k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 16k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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16k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 16k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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160k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 160k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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160k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 160k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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18 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 18 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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18 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 18 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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180 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 180 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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180 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 180 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.8k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 1.8k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.8k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043182JPTR-ND@0

絶縁型 1.8k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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18k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043183GPTR-ND@0

絶縁型 18k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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18k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043183JPTR-ND@0

絶縁型 18k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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180k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043184GPTR-ND@0

絶縁型 180k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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180k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043184JPTR-ND@0

絶縁型 180k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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20 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043200GPTR-ND@0

絶縁型 20 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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20 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043200JPTR-ND@0

絶縁型 20 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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200 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043201GPTR-ND@0

絶縁型 200 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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200 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043201JPTR-ND@0

絶縁型 200 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043202GPTR-ND@0

絶縁型 2k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043202JPTR-ND@0

絶縁型 2k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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20k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043203GPTR-ND@0

絶縁型 20k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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20k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043203JPTR-ND@0

絶縁型 20k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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200k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043204GPTR-ND@0

絶縁型 200k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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200k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043204JPTR-ND@0

絶縁型 200k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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22 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043220GPTR-ND@0

絶縁型 22 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S41X043220JP

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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-S41X043220JPTR-ND@0

絶縁型 22 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0402 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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220 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043221GPTR-ND@0

絶縁型 220 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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220 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043221JPTR-ND@0

絶縁型 220 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2.2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043222GPTR-ND@0

絶縁型 2.2k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043222JPTR-ND@0

絶縁型 2.2k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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22k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043223GPTR-ND@0

絶縁型 22k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S41X043223JP

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22k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043223JPTR-ND@0

絶縁型 22k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S41X043224GP

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220k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043224GPTR-ND@0

絶縁型 220k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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220k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
核友型號:zp2216-60-S41X043224JPTR-ND@0

絶縁型 220k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)