Resistor network arrays

メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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24 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 24 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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24 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 24 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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240 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 240 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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240 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 240 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2.4k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 2.4k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2.4k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 2.4k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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24k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 24k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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24k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 24k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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240k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 240k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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240k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 240k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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27 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 27 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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27 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 27 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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270 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 270 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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270 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 270 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2.7k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 2.7k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 2.7k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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27k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 27k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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27k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 27k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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270k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 270k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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270k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 270k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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30 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 30 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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30 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 30 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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300 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 300 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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300 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 300 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 3k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 3k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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30k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 30k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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30k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 30k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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300k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 300k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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300k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 300k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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33 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 33 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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33 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 33 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0402 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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330 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 330 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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330 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 330 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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絶縁型 3.3k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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絶縁型 3.3k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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33k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 33k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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33k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 33k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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330k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 330k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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330k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 330k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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36 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 36 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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36 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 36 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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360 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 360 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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360 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 360 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3.6k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 3.6k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3.6k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 3.6k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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36k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 36k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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36k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 36k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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360k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 360k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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絶縁型 360k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)