Resistor network arrays

メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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300 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 300 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 3k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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30k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 30k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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300k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 300k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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33 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 33 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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330 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 330 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3.3k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.3k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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33k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 33k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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330k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 330k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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36 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 36 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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360 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 360 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3.6k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.6k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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36k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 36k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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360k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 360k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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39 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 39 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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390 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 390 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3.9k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.9k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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39k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 39k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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390k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 390k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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43 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 43 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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430 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 430 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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4.3k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.3k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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43k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 43k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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430k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 430k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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47 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 47 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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470 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 470 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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4.7k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.7k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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47k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 47k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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470k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 470k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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51 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 51 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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510 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 510 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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5.1k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 5.1k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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51k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 51k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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510k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 510k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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56 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 56 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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560 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 560 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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5.6k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043562JPTR-ND@0

絶縁型 5.6k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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56k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 56k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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560k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 560k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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62 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 62 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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620 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 620 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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6.2k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 6.2k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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62k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 62k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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620k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 620k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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68 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 68 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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680 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 680 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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6.8k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 6.8k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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68k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 68k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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680k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 680k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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75 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 75 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)