メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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39 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 39 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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39 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 39 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0402 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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390 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 390 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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390 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 390 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3.9k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 3.9k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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3.9k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 3.9k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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39k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 39k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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39k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 39k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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390k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 390k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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390k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 390k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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43 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 43 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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43 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 43 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0402 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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430 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 430 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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430 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 430 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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4.3k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 4.3k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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4.3k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 4.3k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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43k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 43k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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43k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 43k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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430k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 430k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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430k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 430k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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47 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 47 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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47 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 47 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0402 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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47 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 47 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0402 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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470 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 470 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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470 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 470 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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4.7k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 4.7k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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4.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 4.7k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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47k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 47k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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47k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 47k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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470k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 470k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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470k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 470k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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51 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 51 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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51 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 51 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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510 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 510 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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510 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 510 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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5.1k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 5.1k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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5.1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 5.1k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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51k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 51k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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51k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 51k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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510k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 510k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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510k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 510k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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56 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 56 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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56 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 56 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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560 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 560 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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560 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 560 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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5.6k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 5.6k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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5.6k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 5.6k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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56k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 56k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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56k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 56k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)