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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IMBG120R012M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R012M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 144A(Tc) 4050 pF @ 800 V 600W(Tc) 12.2ミリオーム @ 56.7A、18V 5.1V @ 17.8mA 124 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R017M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R017M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 107A(Tc) 2910 pF @ 800 V 470W(Tc) 17.1ミリオーム @ 40.4A、18V 5.1V @ 12.7mA 89 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R022M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R022M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 87A(Tc) 2330 pF @ 800 V 385W(Tc) 21.6ミリオーム @ 32.1A、18V 5.1V @ 10.1mA 71 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R026M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R026M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 75A(Tc) 1990 pF @ 800 V 335W(Tc) 25.4ミリオーム @ 27.3A、18V 5.1V @ 8.6mA 60 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R030M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R030M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R034M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R034M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 58A(Tc) 1510 pF @ 800 V 278W(Tc) 5.1V @ 6.4mA 45 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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IMBG120R040M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R040M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 52A(Tc) 1310 pF @ 800 V 250W(Tc) 39.6ミリオーム @ 17.5A、18V 5.1V @ 5.5mA 39 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R045M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R045M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R053M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R053M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 41A(Tc) 1010 pF @ 800 V 205W(Tc) 52.6ミリオーム @ 13.2A、18V 5.1V @ 4.1mA 30 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R060M1HXTMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R060M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R078M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R078M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 29A(Tc) 700 pF @ 800 V 158W(Tc) 78.1ミリオーム @ 8.9A、18V 5.1V @ 2.8mA 20.6 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R090M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R090M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R116M2HXTMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R116M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 21.2A(Tc) 500 pF @ 800 V 123W(Tc) 115.7ミリオーム @ 6A、18V 5.1V @ 1.9mA 14.4 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R140M1HXTMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R140M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R181M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R181M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 14.9A(Tc) 350 pF @ 800 V 94W(Tc) 181.4ミリオーム @ 3.9A、18V 5.1V @ 1.2mA 9.7 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R220M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R220M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG120R234M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R234M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V、18V 8.1A(Tc) 290 pF @ 800 V 80W(Tc) 233.9ミリオーム @ 3A、18V 5.1V @ 900µA 7.9 nC @ 18 V +20V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG120R350M1HXTMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IMBG120R350M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG40R011M2HXTMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IMBG40R011M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 400 V 15V、18V 13.4A(Ta)、133A(Tc) 3770 pF @ 200 V 3.8W(Ta)、429W(Tc) 14.4ミリオーム @ 37.1A、18V 5.6V @ 13.3mA 85 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-11
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IMBG40R015M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG40R015M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 400 V 15V、18V 11.7A(Ta)、111A(Tc) 2730 pF @ 200 V 3.8W(Ta)、341W(Tc) 19.1ミリオーム @ 27.1A、18V 5.6V @ 9.7mA 62 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-11
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IMBG40R025M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG40R025M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 400 V 15V、18V 9A(Ta)、68A(Tc) 1690 pF @ 200 V 3.8W(Ta)、214W(Tc) 32.1ミリオーム @ 15.7A、18V 5.6V @ 5.6mA 36 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-11
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IMBG40R036M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG40R036M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 400 V 15V、18V 7.6A(Ta)、50A(Tc) 1170 pF @ 200 V 3.8W(Ta)、167W(Tc) 45.7ミリオーム @ 11.1A、18V 5.6V @ 4mA 26 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-11
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IMBG40R045M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG40R045M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 400 V 15V、18V 6.8A(Ta)、43A(Tc) 910 pF @ 200 V 3.8W(Ta)、150W(Tc) 56.2ミリオーム @ 8.9A、18V 5.6V @ 3.2mA 21 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-11
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IMBG65R007M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R007M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 238A(Tc) 6359 pF @ 400 V 789W(Tc) 8.5ミリオーム @ 146.3A、18V 5.6V @ 2.97mA 179 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R009M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R009M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 18V 170A(Tc) 6054 pF @ 400 V 555W(Tc) 13.6ミリオーム @ 97.2A、18V 5.7V @ 32.4mA 176 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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IMBG65R010M2H
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R010M2H-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 158A(Tc) 4001 pF @ 400 V 535W(Tc) 9.1ミリオーム @ 92.1A、20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R010M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R010M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 158A(Tc) 4001 pF @ 400 V 535W(Tc) 9.1ミリオーム @ 92.1A、20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R015M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R015M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 115A(Tc) 2792 pF @ 400 V 416W(Tc) 18ミリオーム @ 64.2A、18V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R020M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R020M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 91A(Tc) 2038 pF @ 400 V 326W(Tc) 24ミリオーム @ 46.9A、18V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R022M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R022M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R026M2H
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R026M2H-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 68A(Tc) 1499 pF @ 400 V 263W(Tc) 24ミリオーム @ 34.5A、20V 5.6V @ 7mA 42 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R026M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R026M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 68A(Tc) 1499 pF @ 400 V 263W(Tc) 24ミリオーム @ 34.5A、20V 5.6V @ 7mA 42 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R030M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R030M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R033M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R033M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 58A(Tc) 1214 pF @ 400 V 227W(Tc) 30ミリオーム @ 27.9A、20V 5.6V @ 5.7mA 34 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R039M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R039M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R040M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R040M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 49A(Tc) 997 pF @ 400 V 197W(Tc) 49ミリオーム @ 22.9A、18V 5.6V @ 4.6mA 28 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R048M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R048M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R050M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R050M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 41A(Tc) 790 pF @ 400 V 172W(Tc) 62ミリオーム @ 18.2A、18V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R057M1HXTMA1
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コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R057M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R060M2H
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R060M2H-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 34.9A(Tc) 669 pF @ 400 V 148W(Tc) 55ミリオーム @ 15.4A、20V 5.6V @ 3.1mA 18 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R060M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R060M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 34.9A(Tc) 669 pF @ 400 V 148W(Tc) 55ミリオーム @ 15.4A、20V 5.6V @ 3.1mA 18 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R072M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R072M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R075M2HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R075M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、20V 28A(Tc) 516 pF @ 400 V 124W(Tc) +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG65R083M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R083M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R107M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R107M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R163M1HXTMA1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R163M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IMBG65R260M1HXTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG65R260M1HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

他社在庫

IMBG75R007M2HXTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG75R007M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 840 V 15V、20V 651W(Tc) +23V、-7V -55°C~175°C 面実装 PG-TO263-7-12
他社在庫

IMBG75R011M2HXTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG75R011M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 750 V 15V、20V 129A(Tc) 416W(Tc) 106 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
他社在庫

IMBG75R016M2HXTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IMBG75R016M2HXTMA1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 750 V 15V、20V 93A(Tc) 2577 pF @ 500 V 318W(Tc) 5.6V @ 12.3mA 74 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12

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