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核友管理編號		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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核友型號：zp2216-IMBG75R020M2HXTMA1-ND@0

Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 79A（Tc） 282W（Tc） 59 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-7-12
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核友型號：zp2216-IMBG75R025M2HXTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 64A（Tc） 1729 pF @ 500 V 234W（Tc） 5.6V @ 8.1mA 49 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12
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IMBG75R033M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 50A（Tc） 189W（Tc） 37 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 42A（Tc） 156W（Tc） 30 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 34A（Tc） 135W（Tc） 24 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 29A（Tc） 716 pF @ 500 V 116W（Tc） 5.6V @ 3mA 20 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-TO263-7-12
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 1500W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 195A（Tc） 880W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 118A（Tc） 580W（Tc） 5.1V @ 12.7mA +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 82A（Tc） 405W（Tc） 5.1V @ 8.6mA +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 64A（Tc） 326W（Tc） 5.1V @ 6.4mA +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 56A（Tc） 288W（Tc） 39.6ミリオーム @ 17.5A、18V 5.1V @ 5.5mA +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 43A（Tc） 234W（Tc） 52.6ミリオーム @ 13.2A、18V 5.1V @ 4.1mA +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 31A（Tc） 880 pF @ 800 V 176W（Tc） 78.1ミリオーム @ 8.9A、18V 5.1V @ 2.8mA +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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IMDQ65R007M2HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 196A（Tc） 6359 pF @ 400 V 937W（Tc） 6.1ミリオーム @ 146.3A、20V 5.6V @ 29.7mA 179 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ65R010M2HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 154A（Tc） 4002 pF @ 400 V 651W（Tc） 9.1ミリオーム @ 92.1A、20V 5.6V @ 18.7mA 113 nC @ 18 V +23V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ65R015M2HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 94A（Tc） 2792 pF @ 400 V 499W（Tc） 13.2ミリオーム @ 64.2A、20V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ65R020M2HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 97A（Tc） 2038 pF @ 400 V 394W（Tc） 18ミリオーム @ 46.9A、20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R004M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 11844 pF @ 500 V 5.6V @ 57.7mA 342 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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IMDQ75R007M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 222A（Tc） 5922 pF @ 500 V 789W（Tc） 5.6V @ 28.9mA 171 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 555W（Tc） 106 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-HDSOP-22-1
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SiCFET（炭化ケイ素）
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 103A（Tc） 2577 pF @ 500 V 394W（Tc） 5.6V @ 12.3mA 74 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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IMDQ75R020M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 81A（Tj） 2217 pF @ 500 V 326W（Tc） 18ミリオーム @ 32.5A、20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +20V、-2V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R020M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 86A（Tc） 340W（Tc） 59 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R025M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 70A（Tc） 1729 pF @ 500 V 272W（Tc） 5.6V @ 8.1mA 49 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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IMDQ75R027M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 64A（Tj） 1668 pF @ 500 V 273W（Tc） 25ミリオーム @ 24.5A、20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +20V、-2V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R033M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 53A（Tc） 217W（Tc） 37 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R040M1HXUMA1
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SiCFET（炭化ケイ素）
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 45A（Tc） 182W（Tc） 30 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R050M2HXTMA1
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核友型號：zp2216-IMDQ75R050M2HXTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 36A（Tc） 148W（Tc） 24 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R060M1HXUMA1
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核友型號：zp2216-IMDQ75R060M1HXUMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 34A（Tc） 779 pF @ 500 V 167W（Tc） 55ミリオーム @ 11.1A、20V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +20V、-2V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R060M2HXTMA1
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核友型號：zp2216-IMDQ75R060M2HXTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 30A（Tc） 716 pF @ 500 V 128W（Tc） 5.6V @ 3mA 20 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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IMDQ75R090M1HXUMA1
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核友型號：zp2216-IMDQ75R090M1HXUMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 24A（Tj） 542 pF @ 500 V 128W（Tc） 83ミリオーム @ 7.4A、20V 5.6V @ 2.6mA 15 nC @ 18 V +20V、-2V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1
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IMDQ75R140M1HXUMA1
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SiCFET（炭化ケイ素）
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IMLT40R011M2HXTMA1
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核友型號：zp2216-IMLT40R011M2HXTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 144A（Tc） 429W（Tc） 14.4ミリオーム @ 37.1A、18V 5.6V @ 13.3mA 85 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-16-8
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IMLT40R015M2HXTMA1
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核友型號：zp2216-IMLT40R015M2HXTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 111A（Tc） 341W（Tc） 19.1ミリオーム @ 27.1A、18V 5.6V @ 9.7mA 62 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-16-6
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IMLT40R025M2HXTMA1
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核友型號：zp2216-IMLT40R025M2HXTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 68A（Tc） 214W（Tc） 32.1ミリオーム @ 15.7A、18V 5.6V @ 5.6mA 36 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-16-6
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IMLT40R036M2HXTMA1
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核友型號：zp2216-IMLT40R036M2HXTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 50A（Tc） 167W（Tc） 45.7ミリオーム @ 11.1A、18V 5.6V @ 4mA 26 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-16-6
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IMLT40R045M2HXTMA1
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核友型號：zp2216-IMLT40R045M2HXTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 43A（Tc） 150W（Tc） 56.2ミリオーム @ 8.9A、18V 5.6V @ 3.2mA 21 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-16-6

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