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Search Results：77401～  /   Part Number：  /   Stock Type：ALL  /   Quantity：0PCS~

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อันดับซัพพลายเออร์		 ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
Date Code		 ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IMYR140R006M2HXLSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1400 V 15V、18V +23V、-7V -55°C～175°C スルーホール
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IMYR140R008M2HXLSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1400 V 15V、18V 207A（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール
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IMYR140R011M2HXLSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1400 V 15V、18V 162A（Tc） 580W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C スルーホール
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IMYR140R019M2HXLSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1400 V 15V、18V 100A（Tc） 385W（Tc） 5.1V @ 12.7mA +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール
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IMYR140R024M2HXLSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1400 V 15V、18V 82A（Tc） 326W（Tc） 5.1V @ 10.1mA +23V、-7V -55°C～175°C スルーホール
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IMYR140R029M2HXLSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1400 V 15V、18V 71A（Tc） 288W（Tc） 5.1V @ 8.6mA 61 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C スルーホール
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IMZ120R030M1HXKSA1
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9170 pF @ 800 V 289 nC @ 18 V
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 129A（Tc） 4050 pF @ 800 V 480W（Tc） 5.1V @ 17.8mA 124 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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4580 pF @ 25 V 145 nC @ 18 V
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 97A（Tc） 2910 pF @ 800 V 382W（Tc） 5.1V @ 12.7mA 89 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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3460 pF @ 800 V 109 nC @ 18 V
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 80A（Tc） 2330 pF @ 800 V 329W（Tc） 5.1V @ 10.1mA 71 nC @ 18 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 69A（Tc） 1990 pF @ 800 V 289W（Tc） 5.1V @ 8.6mA 60 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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SiCFET（炭化ケイ素）
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 55A（Tc） 1510 pF @ 800 V 244W（Tc） 5.1V @ 6.4mA 45 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA120R040M1HXKSA1
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1620 pF @ 800 V 51 nC @ 18 V
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IMZA120R040M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 48A（Tc） 1310 pF @ 800 V 218W（Tc） 5.1V @ 5.5mA 39 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA120R053M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 38A（Tc） 1010 pF @ 800 V 182W（Tc） 5.1V @ 4.1mA 30 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA120R078M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 15V、18V 28A（Tc） 700 pF @ 800 V 143W（Tc） 5.1V @ 2.8mA 21 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA40R011M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 112A（Tc） 341W（Tc） 14.4ミリオーム @ 37.1A、18V 5.6V @ 13.3mA 85 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 99A（Tc） 273W（Tc） 19.1ミリオーム @ 27.1A、18V 5.6V @ 9.7mA 62 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA40R025M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 65A（Tc） 195W（Tc） 32.1ミリオーム @ 15.7A、18V 5.6V @ 5.6mA 36 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 46A（Tc） 139W（Tc） 45.7ミリオーム @ 11.1A、18V 5.6V @ 4mA 26 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA40R045M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 400 V 15V、18V 40A（Tc） 130W（Tc） 56.2ミリオーム @ 8.9A、18V 5.6V @ 3.2mA 21 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA65R007M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 210A（Tc） 6359 pF @ 400 V 625W（Tc） 8.5ミリオーム @ 146.3A、18V 5.6V @ 29.7mA 179 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-U02
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IMZA65R010M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 144A（Tc） 4001 pF @ 400 V 440W（Tc） 9.1ミリオーム @ 92.1A、20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 103A（Tc） 2792 pF @ 400 V 341W（Tc） 13.2ミリオーム @ 64.2A、20V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA65R020M2HXKSA1
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CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 83A（Tc） 2038 pF @ 400 V 273W（Tc） 18ミリオーム @ 46.9A、20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA65R026M2HXKSA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 64A（Tc） 1499 pF @ 400 V 227W（Tc） 24ミリオーム @ 34.5A、20V 5.6V @ 7mA 42 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 53A（Tc） 1214 pF @ 400 V 194W（Tc） 30ミリオーム @ 27.9A、20V 5.6V @ 5.7mA 34 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 46A（Tc） 997 pF @ 400 V 172W（Tc） 36ミリオーム @ 22.9A、20V 5.6V @ 4.6mA 28 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 38A（Tc） 790 pF @ 400 V 153W（Tc） 46ミリオーム @ 18.2A、20V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 32.8A（Tc） 669 pF @ 400 V 130W（Tc） 55ミリオーム @ 15.4A、20V 5.6V @ 3.1mA 19 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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IMZA65R072M1HXKSA1
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650 V 15V、20V 26.6A（Tc） 516 pF @ 400 V 111W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-8
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 172A（Tc） 483W（Tc） +23V、-7V -55°C～175°C スルーホール PG-TO247-4-U02

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