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在庫ロケーション	型名メーカー名	情報コアスタッフ型名	ECADモデル	シリーズ	FETタイプ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	使用温度範囲	用途	デバイスパッケージ	技術
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他社在庫	IGT60R070D1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IGT60R070D1ATMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能
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他社在庫	IGT60R190D1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IGT60R190D1ATMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能
他社在庫	IGT60R190D1SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IGT60R190D1SATMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能
他社在庫	IGT65R025D2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IGT65R025D2ATMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	CoolGaN™ G5	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V		70A（Tc）	780 pF @ 400 V	236W（Tc）		1.6V @ 6.1mA	11 nC @ 3 V	-10V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PG-HSOF-8
他社在庫	IGT65R035D2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IGT65R035D2ATMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	CoolGaN™ G5	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V		49A（Tc）	540 pF @ 400 V	167W（Tc）		1.6V @ 4.2mA	7.7 nC @ 3 V	-10V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PG-HSOF-8
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他社在庫	IGT65R055D2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IGT65R055D2ATMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	CoolGaN™ G5	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V		31A（Tc）	340 pF @ 400 V	106W（Tc）		1.6V @ 2.6mA	4.7 nC @ 3 V	-10V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PG-HSOF-8-3
他社在庫	IGT65R140D2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IGT65R140D2ATMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	CoolGaN™ G5	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	650 V		13A（Tc）	155 pF @ 400 V	47W（Tc）		1.6V @ 1mA	1.8 nC @ 3 V	-10V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PG-HSOF-8-3
他社在庫	IMBF170R1K0M1XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IMBF170R1K0M1XTMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能
他社在庫	IMBF170R450M1XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IMBF170R450M1XTMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能
他社在庫	IMBF170R650M1XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IMBF170R650M1XTMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能
他社在庫	IMBG120R008M2HXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES	梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-IMBG120R008M2HXTMA1-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能		Nチャンネル	SiCFET（炭化ケイ素）	1200 V	15V、18V	189A（Tc）	6380 pF @ 800 V	800W（Tc）	7.7ミリオーム @ 89.9A、18V	5.1V @ 28.3mA	195 nC @ 18 V	+23V、-10V	-55°C～175°C（TJ）	面実装	PG-TO263-7-12

ひとつから	メーカーもしくは正規代理店仕入の正規品当社在庫。1pc〜の購入・即日出荷が可能。
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FET

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