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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3500 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、107W(Tc) 1.15ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±16V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3500 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、107W(Tc) 1.15ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±16V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 8V、10V 3600 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 1.8ミリオーム @ 30A、10V 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 8V、10V 3600 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 1.8ミリオーム @ 30A、10V 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 8V、10V 3600 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 1.8ミリオーム @ 30A、10V 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 8V 3600 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 1.8ミリオーム @ 30A、10V 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 2200 pF @ 20 V 2.5W(Ta)、107W(Tc) 2.05ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 2200 pF @ 20 V 2.5W(Ta)、107W(Tc) 2.05ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 4.5V、10V 4600 pF @ 40 V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 68 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 4.5V、10V 4600 pF @ 40 V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 68 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 8V、10V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 3.6ミリオーム @ 30A、10V 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 8V、10V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 3.6ミリオーム @ 30A、10V 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装
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OptiMOS™ 5
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Nチャンネル 150 V 8V、10V 7A(Ta)、44A(Tc) 1400 pF @ 75 V 2.5W(Ta)、100W(Tc) 22ミリオーム @ 26A、10V 4.6V @ 46µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ)
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MOSFET - アレイ 150V 面実装 PG-WHTFN-9
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150V - - - - - - MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 標準 - 面実装 PG-WHTFN-9

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