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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IPT018N10NM8ATMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-IPT018N10NM8ATMA1-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 8V、15V 3.8W(Ta)、300W(Tc) 154 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT019N08N5ATMA1
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OptiMOS™ 5
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IPT020N10N3ATMA1
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IPT020N10N5ATMA1
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OptiMOS™ 5
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IPT020N13NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 135 V 8V、15V 3.8W(Ta)、395W(Tc) 3.5V @ 275µA 207 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT022N10NF2SATMA1
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PG-HSOF-8-10
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IPT023N10NM5LF2ATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V、15V 27A(Ta)、243A(Tc) 12000 pF @ 50 V 3.8W(Ta)、300W(Tc) 2.1ミリオーム @ 100A、15V 3.9V @ 193µA 144 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT025N15NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 8V、15V 26A(Ta)、263A(Tc) 9800 pF @ 75 V 3.8W(Ta)、395W(Tc) 2.4ミリオーム @ 120A、15V 4V @ 275µA 137 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT026N10N5ATMA1
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OptiMOS™ 5
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IPT026N12NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 120 V 8V、10V 23A(Ta)、224A(Tc) 6500 pF @ 60 V 3W(Ta)、283W(Tc) 2.6ミリオーム @ 115A、10V 3.6V @ 169µA 88 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT029N08N5ATMA1
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IPT030N12N3GATMA1
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IPT034N15NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 8V、15V 86 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT039N15N5ATMA1
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IPT039N15N5XTMA1
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IPT044N15N5ATMA1
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IPT047N15NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 8V、15V 18.6A(Ta)、147A(Tc) 4700 pF @ 75 V 3.8W(Ta)、234W(Tc) 4.4ミリオーム @ 58A、15V 4V @ 131µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT054N15N5ATMA1
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IPT059N15N3ATMA1
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IPT063N15N5ATMA1
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IPT067N20NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 10V、15V 15.3A(Ta)、137A(Tc) 7300 pF @ 100 V 3.8W(Ta)、300W(Tc) 6.2ミリオーム @ 126A、15V 4.5V @ 251µA 107 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT111N20NFDATMA1
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IPT129N20NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 10V、15V 11A(Ta)、87A(Tc) 3800 pF @ 100 V 3.8W(Ta)、234W(Tc) 12ミリオーム @ 65A、15V 4.5V @ 129µA 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-1
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IPT210N25NFDATMA1
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IPT60R016CM8XTMA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 142A(Tc) 7545 pF @ 400 V 694W(Tc) 16ミリオーム @ 62.5A、10V 4.7V @ 1.48mA 171 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-2
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IPT60R022S7XTMA1
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IPT60R024CM8XTMA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 103A(Tc) 5382 pF @ 400 V 543W(Tc) 4.7V @ 1.06mA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-2
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IPT60R028G7XTMA1
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IPT60R035CFD7XTMA1
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IPT60R037CM8XTMA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 70A(Tj) 3458 pF @ 400 V 390W(Tc) 37ミリオーム @ 27A、10V 4.7V @ 680µA 79 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-2
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IPT60R040S7XTMA1
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IPT60R045CFD7XTMA1
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IPT60R050G7XTMA1
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IPT60R055CFD7XTMA1
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IPT60R055CM8XTMA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 48A(Tc) 2245 pF @ 400 V 278W(Tc) 4.7V @ 440µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8
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IPT60R065S7XTMA1
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IPT60R070CM8XTMA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 40A(Tc) 1878 pF @ 400 V 245W(Tc) 4.7V @ 360µA 43 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8
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IPT60R075CFD7XTMA1
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IPT60R080G7XTMA1
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IPT60R090CFD7XTMA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 30A(Tc) 1330 pF @ 400 V 186W(Tc) 4.7V @ 260µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-2
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IPT60R102G7XTMA1
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IPT60R105CFD7XTMA1
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IPT60R120CM8XTMA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 24A(Tc) 1045 pF @ 400 V 154W(Tc) 4.7V @ 200µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8
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IPT60R125CFD7XTMA1
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IPT60R145CFD7XTMA1
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IPT60R150G7XTMA1
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IPT60R160CM8XTMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-IPT60R160CM8XTMA1-ND@0

CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 19A(Tc) 785 pF @ 400 V 124W(Tc) 160ミリオーム @ 6.3A、10V 4.7V @ 150µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8
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IPT60R180CM8XTMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-IPT60R180CM8XTMA1-ND@0

CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 18A(Tj) 743 pF @ 400 V 119W(Tc) 180ミリオーム @ 5.6A、10V 4.7V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-HSOF-8-2

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