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อันดับซัพพลายเออร์		 ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
Date Code		 ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IPZA65R025CM8XKSA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IPZA65R025CM8XKSA1-ND@0

CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650 V 10V 90A（Tc） 5910 pF @ 400 V 431W（Tc） 25ミリオーム @ 40A、10V 4.7V @ 1.06mA 124 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-U02
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IPZA65R029CFD7XKSA1
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IPZA65R035CFD7AXKSA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650 V 10V 63A（Tc） 7149 pF @ 400 V 305W（Tc） 35ミリオーム @ 35.8A、10V 4.5V @ 1.79mA 145 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-3
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IPZA65R040CM8XKSA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650 V 10V 62A（Tc） 3796 pF @ 400 V 329W（Tc） 40ミリオーム @ 25A、10V 4.7V @ 680µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） スルーホール PG-TO247-4-U02
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IQD005N04NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 6V、10V 57A（Ta）、597A（Tc） 12000 pF @ 20 V 3W（Ta）、333W（Tc） 0.49ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 1.449mA 163 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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IQD005N04NM6SCATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 6V、10V 57A（Ta）、597A（Tc） 12000 pF @ 20 V 3W（Ta）、333W（Tc） 0.49ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 1.449mA 163 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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IQD009N06NM5ATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 6V、10V 42A（Ta）、445A（Tc） 12000 pF @ 30 V 3W（Ta）、333W（Tc） 0.9ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 163µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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IQD009N06NM5SCATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 6V、10V 42A（Ta）、445A（Tc） 12000 pF @ 30 V 3W（Ta）、333W（Tc） 0.9ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 163µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80 V 6V、10V 31A（Ta）、323A（Tc） 9200 pF @ 40 V 3W（Ta）、333W（Tc） 1.57ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 159µA 133 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80 V 6V、10V 31A（Ta）、323A（Tc） 9200 pF @ 40 V 3W（Ta）、333W（Tc） 1.57ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 159µA 133 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 6V、10V 26A（Ta）、276A（Tc） 9500 pF @ 50 V 3W（Ta）、333W（Tc） 2.05ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 159µA 134 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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IQD020N10NM5SCATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100 V 6V、10V 26A（Ta）、276A（Tc） 9500 pF @ 50 V 3W（Ta）、333W（Tc） 2.05ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 159µA 134 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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IQD063N15NM5ATMA1
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IQD063N15NM5CGATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 8V、10V 14.4A（Ta）、151A（Tc） 4700 pF @ 75 V 3W（Ta）、333W（Tc） 6.32ミリオーム @ 50A、10V 4.6V @ 159µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 8V、10V 14.4A（Ta）、151A（Tc） 4700 pF @ 75 V 3W（Ta）、333W（Tc） 6.32ミリオーム @ 50A、10V 4.6V @ 159µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 25 V 4.5V、10V 75A（Ta）、789A（Tc） 17000 pF @ 12 V 2.5W（Ta）、278W（Tc） 0.29ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 1.448mA 110 nC @ 4.5 V ±16V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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IQDH29NE2LM5SCATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 25 V 4.5V、10V 75A（Ta）、789A（Tc） 17000 pF @ 12 V 2.5W（Ta）、278W（Tc） 0.29ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 1.448mA 110 nC @ 4.5 V ±16V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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IQDH35N03LM5ATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 4.5V、10V 66A（Ta）、700A（Tc） 18000 pF @ 15 V 2.5W（Ta）、278W（Tc） 0.35ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 1.46mA 114 nC @ 4.5 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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IQDH35N03LM5SCATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 4.5V、10V 66A（Ta）、700A（Tc） 18000 pF @ 15 V 2.5W（Ta）、278W（Tc） 0.35ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 1.46mA 114 nC @ 4.5 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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IQDH45N04LM6ATMA1
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IQDH45N04LM6CGSCATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 4.5V、10V 58A（Ta）、611A（Tc） 12000 pF @ 20 V 3W（Ta）、333W（Tc） 0.49ミリオーム @ 50A、10V 2.3V @ 1.449mA 78 nC @ 4.5 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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IQDH45N04LM6SCATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 4.5V、10V 58A（Ta）、611A（Tc） 12000 pF @ 20 V 3W（Ta）、333W（Tc） 0.49ミリオーム @ 50A、10V 2.3V @ 1.449mA 78 nC @ 4.5 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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IQDH88N06LM5ATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 4.5V、10V 42A（Ta）、447A（Tc） 14000 pF @ 30 V 3W（Ta）、333W（Tc） 0.86ミリオーム @ 50A、10V 2.3V @ 163µA 95 nC @ 4.5 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHTFN-9-U02
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IQDH88N06LM5SCATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 4.5V、10V 42A（Ta）、447A（Tc） 14000 pF @ 30 V 3W（Ta）、333W（Tc） 0.86ミリオーム @ 50A、10V 2.3V @ 163µA 95 nC @ 4.5 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHSON-8-U02
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IQE004NE1LM7ATMA1
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OptiMOS™ 5 0.65ミリオーム @ 20A、10V
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0.65ミリオーム @ 20A、10V 面実装 PG-TTFN-9-1
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面実装

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