R8008ANJGTL
ROHM
มาตรฐานRoHS:PBF
ประเภทสต็อก:Quality-guaranteed
Management ID:st76512525
Date Code:22/23+
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ROHM |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8A (Tc) |
| Power Dissipation (Max) | 1100 pF @ 25 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.03Ohm @ 4A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | 38 nC @ 10 V |
| Operating Temperature Range | ±30V |
| Applications | 150°C (TJ) |
| Device Package | Surface Mount |
| Technology | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 2,456
MOQ:100
SPQ:1
