BCR133E6327
INFINEON
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single Pre-Biased |
| Manufacturer | INFINEON |
| Transistor Type | NPN - Pre-Bias |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100 nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Power - Max | 0.2 W |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 0.3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Device Package | SOT-23 |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
