US6K1TR

US6K1TR_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 10V
Power - Max1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate charge (Qg) when Vgs is applied (max)2.2nC @ 4.5V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Operating Temperature Range150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Device PackageTUMT6

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 6,000

MOQ:10

SPQ:10

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
10 - 99 $0.493
100 - 499 $0.463
500 - 999 $0.433
1,000 - 2,999 $0.395
3,000 - 5,999 $0.334
6,000 - 14,999 $0.304
15,000 - $0.266
--

สินค้าที่คล้ายกัน