RE1C001UNTCL
ROHM
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ROHM |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | TUMT3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2V, 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100mA (Ta) |
| Power Dissipation (Max) | 7.1 pF @ 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mW (Ta) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Operating Temperature Range | ±8V |
| Applications | 150°C (TJ) |
| Device Package | Surface Mount |
| Technology | EMT3F (SOT-416FL) |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 12,000
MOQ:10
SPQ:10
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 10 - 499 | $0.053 |
| 500 - 2,999 | $0.046 |
| 3,000 - 5,999 | $0.038 |
| 6,000 - | $0.03 |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
