QS6M4TR

QS6M4TR_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 10V
Power - Max1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate charge (Qg) when Vgs is applied (max)1.6nC @ 4.5V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Operating Temperature Range150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Device PackageTSMT6 (SC-95)

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 3,000

MOQ:10

SPQ:10

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
10 - 99 $0.767
100 - 499 $0.714
500 - 999 $0.66
1,000 - 2,999 $0.615
3,000 - 5,999 $0.509
6,000 - 14,999 $0.471
15,000 - $0.41
--

สินค้าที่คล้ายกัน

IRLMS6702TRPBF

Infineon

FDC637BNZ

onsemi

USB10H

onsemi

FDC6306P

onsemi

ZXM62P02E6TA

Diodes Inc.