BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C204A(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23000pF @ 10V
Power - Max1130W
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 35.2mA
TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature Range-40°C ~ 150°C (TJ)
Device PackageModule

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 12

MOQ:1

SPQ:1

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
1 - 9 $752.989
10 - 11 $667.974
12 - 23 $485.799
24 - 59 $449.364
60 - 119 $388.639
120 - $364.349
--
--

สินค้าที่คล้ายกัน