RJK0330DPB-01#J0
RENESAS
มาตรฐานRoHS:N/A
ประเภทสต็อก:Quality-guaranteed
Management ID:st65874443
Date Code:2023
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | RENESAS |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5V, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 45A(TA) |
| Power Dissipation (Max) | 4300 pF @ 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55W(Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7mOhms @ 22.5A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | TUMT3 |
| Operating Temperature Range | ±20V |
| Applications | 150°C (TJ) |
| Device Package | Surface Mount |
| Technology | LFPAK |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
