SI4544DY-T1-E3

VISHAY

มาตรฐานRoHS:RoHS

ประเภทสต็อก:Quality-guaranteed

อันดับซัพพลายเออร์:A-4

ประเภทของบรรจุภัณฑ์:Packaging:cut tape

ประเทศผู้ผลิต:CN

Management ID:st26489092

Date Code:2008+

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerVISHAY
SeriesTrenchFET®
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Power - Max2.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhms @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA(Mim)
Gate charge (Qg) when Vgs is applied (max)35nC @ 10V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel, Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Operating Temperature Range-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Device Package8-SOIC

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 426

MOQ:1

SPQ:1

จำนวนที่สั่งซื้อ

ราคาต่อหน่วย (USD) ยอดรวมทั้งหมด
จำนวนราคาต่อหน่วย
(FOB JAPAN)
1 - 99 $0.323
100 - 299 $0.272
300 - 499 $0.227
500 - 999 $0.219
1,000 - 3,999 $0.212
4,000 - 4,999 $0.207
5,000 - 9,999 $0.207
10,000 - $0.206