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ประเภทสต็อก
อันดับซัพพลายเออร์
ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
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ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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BUZ73E3046XK
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-BUZ73E3046XK-ND@0

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BUZ73H3046XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-BUZ73H3046XKSA1-ND@0

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BUZ73L
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-BUZ73L-ND@0

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BUZ73LHXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-BUZ73LHXKSA1-ND@0

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BUZ80A
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-BUZ80A-ND@0

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BVSS123LT1G

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 170mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-BVSS123LT1GOSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 170mA(Ta) 20 pF @ 25 V 225mW(Ta) 6オーム @ 100mA、10V 2.8V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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BVSS123LT1G

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 170mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-BVSS123LT1GOSTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 170mA(Ta) 20 pF @ 25 V 225mW(Ta) 6オーム @ 100mA、10V 2.8V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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BVSS138LT1G

RoHS
   

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Nチャンネル 50 V 200mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-BVSS138LT1GOSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 5V 200mA(Ta) 50 pF @ 25 V 225mW(Ta) 3.5オーム @ 200mA、5V 1.5V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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BVSS138LT1G

RoHS
   

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Nチャンネル 50 V 200mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-BVSS138LT1GOSTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 5V 200mA(Ta) 50 pF @ 25 V 225mW(Ta) 3.5オーム @ 200mA、5V 1.5V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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BVSS84LT1G

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 130mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-BVSS84LT1GOSTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 5V 130mA(Ta) 36 pF @ 5 V 225mW(Ta) 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 250µA 2.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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BVSS84LT1G

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 130mA(Ta) 225mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-BVSS84LT1GOSCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 5V 130mA(Ta) 36 pF @ 5 V 225mW(Ta) 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 250µA 2.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 21A(Ta) 面実装、濡れ性フランク MLPAK33
CoreStaff Part Number:zp2216-1727-BXK9Q29-60AJCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 21A(Ta) 660 pF @ 30 V 27W (Ta) 29mOhm @ 5.6A, 10V 2.1V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装、濡れ性フランク MLPAK33
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RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 21A(Ta) 面実装、濡れ性フランク MLPAK33
CoreStaff Part Number:zp2216-1727-BXK9Q29-60AJTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 21A(Ta) 660 pF @ 30 V 27W (Ta) 29mOhm @ 5.6A, 10V 2.1V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装、濡れ性フランク MLPAK33
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C2M0025120D

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 90A(Tc) 463W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M0025120D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 90A(Tc) 2788 pF @ 1000 V 463W(Tc) 34ミリオーム @ 50A、20V 2.4V @ 10mA 161 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C2M0040120D

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 60A(Tc) 330W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M0040120D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 60A(Tc) 1893 pF @ 1000 V 330W(Tc) 52ミリオーム @ 40A、20V 2.8V @ 10mA 115 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C2M0045170D

RoHS
   

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Nチャンネル 1700 V 72A(Tc) 520W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M0045170D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1700 V 20V 72A(Tc) 3672 pF @ 1000 V 520W(Tc) 70ミリオーム @ 50A、20V 4V @ 18mA 188 nC @ 20 V +25V、-10V -40°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C2M0045170P

RoHS
   

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Nチャンネル 1700 V 72A(Tc) 520W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M0045170P-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1700 V 20V 72A(Tc) 3672 pF @ 1000 V 520W(Tc) 59ミリオーム @ 50A、20V 4V @ 18mA 188 nC @ 20 V +25V、-10V -40°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C2M0080120D

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 36A(Tc) 192W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M0080120D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 36A(Tc) 950 pF @ 1000 V 192W(Tc) 98ミリオーム @ 20A、20V 4V @ 5mA 62 nC @ 5 V +25V、-10V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C2M0160120D

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 19A(Tc) 125W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M0160120D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 19A(Tc) 527 pF @ 800 V 125W(Tc) 196ミリオーム @ 10A、20V 2.5V @ 500µA 32.6 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C2M0280120D

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M0280120D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 10A(Tc) 259 pF @ 1000 V 62.5W(Tc) 370ミリオーム @ 6A、20V 2.8V @ 1.25mA(標準) 20.4 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C2M1000170D

RoHS
   

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Nチャンネル 1700 V 4.9A(Tc) 69W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M1000170D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1700 V 20V 4.9A(Tc) 191 pF @ 1000 V 69W(Tc) 1.1オーム @ 2A、20V 4V @ 500µA 13 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C2M1000170J

RoHS
   

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Nチャンネル 1700 V 5.3A(Tc) 78W(Tc) 面実装 D2PAK(7-Lead)
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M1000170J-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1700 V 20V 5.3A(Tc) 200 pF @ 1000 V 78W(Tc) 1.4オーム @ 2A、20V 4V @ 500µA 13 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK(7-Lead)
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C2M1000170J-TR

RoHS
   

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Nチャンネル 1700 V 5.3A(Tc) 78W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-C2M1000170J-TR-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1700 V 20V 5.3A(Tc) 200 pF @ 1000 V 78W(Tc) 1.4オーム @ 2A、20V 4V @ 500µA 13 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0015065D

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 120A(Tc) 416W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0015065D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 120A(Tc) 5011 pF @ 400 V 416W(Tc) 21ミリオーム @ 55.8A、15V 3.6V @ 15.5mA 188 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0015065K

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 120A(Tc) 416W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0015065K-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 120A(Tc) 5011 pF @ 400 V 416W(Tc) 21ミリオーム @ 55.8A、15V 3.6V @ 15.5mA 188 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 120A(Tc) 416W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0015065K-M-ND@0

Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 650 V 15V 120A(Tc) 5011 pF @ 400 V 416W(Tc) 21ミリオーム @ 55.8A、15V 3.6V @ 15.5mA 188 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0016120D

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 115A(Tc) 556W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0016120D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 115A(Tc) 6085 pF @ 1000 V 556W(Tc) 22.3ミリオーム @ 75A、15V 3.6V @ 23mA 207 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0016120K

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 115A(Tc) 556W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0016120K-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 115A(Tc) 6085 pF @ 1000 V 556W(Tc) 22.3ミリオーム @ 75A、15V 3.6V @ 23mA 211 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0021120D

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 100A(Tc) 469W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0021120D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 100A(Tc) 4818 pF @ 1000 V 469W(Tc) 28.8ミリオーム @ 50A、15V 3.6V @ 17.7mA 160 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 81A(Tc) 469W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0021120D-M-ND@0

Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 15V 81A(Tc) 4818 pF @ 1000 V 469W(Tc) 28.8ミリオーム @ 50A、15V 3.6V @ 17.7mA 160 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0021120K

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 100A(Tc) 469W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0021120K-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 100A(Tc) 4818 pF @ 1000 V 469W(Tc) 28.8ミリオーム @ 50A、15V 3.6V @ 17.7mA 162 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 100A(Tc) 469W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0021120K-M-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 100A(Tc) 4818 pF @ 1000 V 469W(Tc) 28.8ミリオーム @ 50A、15V 3.6V @ 17.7mA 162 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0025065D

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 97A(Tc) 326W(Tc) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 97A(Tc) 2980 pF @ 600 V 326W(Tc) 34ミリオーム @ 33.5A、15V 3.6V @ 9.22mA 108 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0025065J1

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 80A(Tc) 271W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0025065J1-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 80A(Tc) 2980 pF @ 400 V 271W(Tc) 34ミリオーム @ 33.5A、15V 3.6V @ 9.22mA 109 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0025065J1-TR

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 80A(Tc) 271W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0025065J1-TRCT-ND@0

Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 650 V 15V 80A(Tc) 2980 pF @ 400 V 271W(Tc) 34ミリオーム @ 33.5A、15V 3.6V @ 9.22mA 109 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0025065J1-TR

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 80A(Tc) 271W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0025065J1-TR-ND@0

Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 650 V 15V 80A(Tc) 2980 pF @ 400 V 271W(Tc) 34ミリオーム @ 33.5A、15V 3.6V @ 9.22mA 109 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0025065K

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 97A(Tc) 326W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0025065K-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 97A(Tc) 2980 pF @ 600 V 326W(Tc) 34ミリオーム @ 33.5A、15V 3.6V @ 9.22mA 112 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0025065L-TR

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 77A(Tc) 326W(Tc) 面実装 TOLL
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0025065L-TR-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 77A(Tc) 2970 pF @ 400 V 326W(Tc) 34ミリオーム @ 33.5A、15V 3.6V @ 9.22mA 111 nC @ 15 V -8V、+19V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TOLL
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C3M0025065L-TR

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 77A(Tc) 326W(Tc) 面実装 TOLL
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0025065L-TRCT-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 77A(Tc) 2970 pF @ 400 V 326W(Tc) 34ミリオーム @ 33.5A、15V 3.6V @ 9.22mA 111 nC @ 15 V -8V、+19V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TOLL
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C3M0030090K

RoHS
   

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Nチャンネル 900 V 73A(Tc) 240W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0030090K-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 900 V 15V 73A(Tc) 1503 pF @ 600 V 240W(Tc) 39ミリオーム @ 35A、15V 3.5V @ 11mA 74 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-4L

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