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ประเภทสต็อก
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ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
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หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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C3M0032120D

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Nチャンネル 1200 V 63A(Tc) 283W(Tc) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 63A(Tc) 3357 pF @ 1000 V 283W(Tc) 43ミリオーム @ 40A、15V 3.6V @ 11.5mA 114 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル 1200 V 63A(Tc) 283W(Tc) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 15V 63A(Tc) 3357 pF @ 1000 V 283W(Tc) 43ミリオーム @ 40A、15V 3.6V @ 11.5mA 114 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0032120J1

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Nチャンネル 1200 V 68A(Tc) 277W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 68A(Tc) 3424 pF @ 1000 V 277W(Tc) 43ミリオーム @ 41.4A、15V 3.6V @ 11.5mA 111 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル 1200 V 68A(Tc) 277W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 15V 68A(Tc) 3424 pF @ 1000 V 277W(Tc) 43ミリオーム @ 41.4A、15V 3.6V @ 11.5mA 111 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0032120J1-TR

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Nチャンネル 1200 V 68A(Tc) 277W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 15V 68A(Tc) 3424 pF @ 1000 V 277W(Tc) 43ミリオーム @ 41.4A、15V 3.6V @ 11.5mA 111 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0032120J1-TR

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Nチャンネル 1200 V 68A(Tc) 277W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 15V 68A(Tc) 3424 pF @ 1000 V 277W(Tc) 43ミリオーム @ 41.4A、15V 3.6V @ 11.5mA 111 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0032120K

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Nチャンネル 1200 V 63A(Tc) 283W(Tc) スルーホール TO-247-4L
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 63A(Tc) 3357 pF @ 1000 V 283W(Tc) 43ミリオーム @ 40A、15V 3.6V @ 11.5mA 118 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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Nチャンネル 1200 V 63A(Tc) 283W(Tc) スルーホール TO-247-4L
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 15V 63A(Tc) 3357 pF @ 1000 V 283W(Tc) 43ミリオーム @ 40A、15V 3.6V @ 11.5mA 118 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0040120D

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Nチャンネル 1200 V 66A(Tc) 326W(Tc) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 66A(Tc) 2900 pF @ 1000 V 326W(Tc) 53.5ミリオーム @ 33.3A、15V 3.6V @ 9.5mA 101 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0040120J1

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Nチャンネル 1200 V 64A(Tc) 272W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 64A(Tc) 2900 pF @ 1000 V 272W(Tc) 53.5ミリオーム @ 33.3A、15V 3.6V @ 9.2mA 94 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0040120J1-TR

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Nチャンネル 1200 V 64A(Tc) 272W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 64A(Tc) 2900 pF @ 1000 V 272W(Tc) 53.5ミリオーム @ 33.3A、15V 3.6V @ 9.2mA 94 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0040120J1-TR

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Nチャンネル 1200 V 64A(Tc) 272W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 64A(Tc) 2900 pF @ 1000 V 272W(Tc) 53.5ミリオーム @ 33.3A、15V 3.6V @ 9.2mA 94 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0040120K

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Nチャンネル 1200 V 66A(Tc) 326W(Tc) スルーホール TO-247-4L
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 66A(Tc) 2900 pF @ 1000 V 326W(Tc) 53.5ミリオーム @ 33.3A、15V 3.6V @ 9.2mA 99 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0045065D

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Nチャンネル 650 V 49A(Tc) 176W(Tc) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 49A(Tc) 1621 pF @ 600 V 176W(Tc) 60ミリオーム @ 17.6A、15V 3.6V @ 4.84mA 63 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0045065J1

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Nチャンネル 650 V 47A(Tc) 147W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 47A(Tc) 1621 pF @ 400 V 147W(Tc) 60ミリオーム @ 17.6A、15V 3.6V @ 4.84mA 61 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0045065J1-TR

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Nチャンネル 650 V 47A(Tc) 147W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 650 V 15V 47A(Tc) 1621 pF @ 400 V 147W(Tc) 60ミリオーム @ 17.6A、15V 3.6V @ 4.84mA 61 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0045065J1-TR

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Nチャンネル 650 V 47A(Tc) 147W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 650 V 15V 47A(Tc) 1621 pF @ 400 V 147W(Tc) 60ミリオーム @ 17.6A、15V 3.6V @ 4.84mA 61 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0045065K

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Nチャンネル 650 V 49A(Tc) 176W(Tc) スルーホール TO-247-4L
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 49A(Tc) 1621 pF @ 600 V 176W(Tc) 60ミリオーム @ 17.6A、15V 3.6V @ 4.84mA 63 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0045065L-TR

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Nチャンネル 650 V 49A(Tc) 164W(Tc) 面実装 TOLL
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 49A(Tc) 1621 pF @ 400 V 164W(Tc) 60ミリオーム @ 17.6A、15V 3.6V @ 4.84mA 59 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TOLL
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C3M0045065L-TR

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Nチャンネル 650 V 49A(Tc) 164W(Tc) 面実装 TOLL
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 49A(Tc) 1621 pF @ 400 V 164W(Tc) 60ミリオーム @ 17.6A、15V 3.6V @ 4.84mA 59 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TOLL
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C3M0060065D

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Nチャンネル 650 V 37A(Tc) 150W(Tc) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 37A(Tc) 1020 pF @ 600 V 150W(Tc) 79ミリオーム @ 13.2A、15V 3.6V @ 5mA 46 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0060065J

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Nチャンネル 650 V 36A(Tc) 136W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 36A(Tc) 1020 pF @ 600 V 136W(Tc) 79ミリオーム @ 13.2A、15V 3.6V @ 5mA 46 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0060065J-TR

RoHS
   

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Nチャンネル 650 V 36A(Tc) 136W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 650 V 15V 36A(Tc) 1020 pF @ 600 V 136W(Tc) 79ミリオーム @ 13.2A、15V 3.6V @ 5mA 46 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0060065J-TR

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Nチャンネル 650 V 36A(Tc) 136W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 650 V 15V 36A(Tc) 1020 pF @ 600 V 136W(Tc) 79ミリオーム @ 13.2A、15V 3.6V @ 5mA 46 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0060065K

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Nチャンネル 650 V 37A(Tc) 150W(Tc) スルーホール TO-247-4L
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 37A(Tc) 1020 pF @ 600 V 150W(Tc) 79ミリオーム @ 13.2A、15V 3.6V @ 5mA 46 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0060065L-TR

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Nチャンネル 650 V 39A(Tc) 131W(Tc) 面実装 TOLL
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 39A(Tc) 1170 pF @ 400 V 131W(Tc) 79ミリオーム @ 13.2A、15V 3.6V @ 3.64mA 46 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TOLL
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C3M0060065L-TR

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Nチャンネル 650 V 39A(Tc) 131W(Tc) 面実装 TOLL
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0060065L-TRCT-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V 39A(Tc) 1170 pF @ 400 V 131W(Tc) 79ミリオーム @ 13.2A、15V 3.6V @ 3.64mA 46 nC @ 15 V +19V、-8V -40°C~175°C(TJ) 面実装 TOLL
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C3M0065090D

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Nチャンネル 900 V 36A(Tc) 125W(Tc) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 900 V 15V 36A(Tc) 660 pF @ 600 V 125W(Tc) 78ミリオーム @ 20A、15V 3.5V @ 5mA 30.4 nC @ 15 V +18V、-8V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0065090J

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Nチャンネル 900 V 35A(Tc) 113W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 900 V 15V 35A(Tc) 660 pF @ 600 V 113W(Tc) 78ミリオーム @ 20A、15V 3.5V @ 5mA 30 nC @ 15 V +19V、-8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0065090J-TR

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Nチャンネル 900 V 35A(Tc) 113W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0065090J-CT-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 900 V 15V 35A(Tc) 660 pF @ 600 V 113W(Tc) 78ミリオーム @ 20A、15V 3.5V @ 5mA 30 nC @ 15 V +19V、-8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0065090J-TR

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Nチャンネル 900 V 35A(Tc) 113W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0065090J-TR-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 900 V 15V 35A(Tc) 660 pF @ 600 V 113W(Tc) 78ミリオーム @ 20A、15V 3.5V @ 5mA 30 nC @ 15 V +19V、-8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0065100J

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Nチャンネル 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1000 V 15V 35A(Tc) 660 pF @ 600 V 113.5W(Tc) 78ミリオーム @ 20A、15V 3.5V @ 5mA 35 nC @ 15 V +15V、-4V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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C3M0065100J-TR

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Nチャンネル 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0065100J-TRCT-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1000 V 15V 35A(Tc) 660 pF @ 600 V 113.5W(Tc) 78ミリオーム @ 20A、15V 3.5V @ 5mA 35 nC @ 15 V +15V、-4V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0065100J-TR

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Nチャンネル 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0065100J-TR-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1000 V 15V 35A(Tc) 660 pF @ 600 V 113.5W(Tc) 78ミリオーム @ 20A、15V 3.5V @ 5mA 35 nC @ 15 V +15V、-4V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7
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C3M0065100K

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Nチャンネル 1000 V 35A(Tc) 113.5W(Tc) スルーホール TO-247-4L
CoreStaff Part Number:zp2216-C3M0065100K-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1000 V 15V 35A(Tc) 660 pF @ 600 V 113.5W(Tc) 78ミリオーム @ 20A、15V 3.5V @ 5mA 35 nC @ 15 V +19V、-8V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-4L
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C3M0075120D

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Nチャンネル 1200 V 30A(Tc) 113.6W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0075120D-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 30A(Tc) 1350 pF @ 1000 V 113.6W(Tc) 90ミリオーム @ 20A、15V 4V @ 5mA 54 nC @ 15 V +19V、-8V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0075120D-A

   

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Nチャンネル 1200 V 32A(Tc) 136W(Tc) スルーホール TO-247-3
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0075120D-A-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 32A(Tc) 1390 pF @ 1000 V 136W(Tc) 90ミリオーム @ 20A、15V 3.6V @ 5mA 54 nC @ 15 V +15V、-4V -40°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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C3M0075120J

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Nチャンネル 1200 V 30A(Tc) 113.6W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 30A(Tc) 1350 pF @ 1000 V 113.6W(Tc) 90ミリオーム @ 20A、15V 4V @ 5mA 51 nC @ 15 V +19V、-8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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C3M0075120J-TR

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Nチャンネル 1200 V 30A(Tc) 113.6W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-1697-C3M0075120J-TR-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 15V 30A(Tc) 1350 pF @ 1000 V 113.6W(Tc) 90ミリオーム @ 20A、15V 4V @ 5mA 51 nC @ 15 V +15V、-4V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263-7

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