CSD86330Q3D
コアスタッフ型番:st64490055
RoHSステイタス:RoHS
在庫タイプ:品質保証
仕入先ランク:A-4
保証:すべてのお客様対象 自社在庫は1年保証
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
ドキュメント
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 アレイ |
| メーカー名 | Texas Instruments |
| シリーズ | NexFET™ |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 20A |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 920pF @ 12.5V |
| 電力 - 最大 | 6W |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 9.6ミリオーム @ 14A、8V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.1V @ 250μA |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 6.2nC @ 4.5V |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） |
| FET機能 | 論理レベルゲート |
| 使用温度範囲 | -55°C～150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | 8-LSON（3.3x3.3） |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 1,741
出荷予定日:2026/10/09 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 49 | ¥ 216.53 |
| 50 - 99 | ¥ 157.02 |
| 100 - 299 | ¥ 147.25 |
| 300 - 499 | ¥ 140.74 |
| 500 - 999 | ¥ 139.43 |
| 1,000 - 1,999 | ¥ 138.46 |
| 2,000 - 3,999 | ¥ 137.97 |
| 4,000 - | ¥ 137.73 |
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