RPI-579N1
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製品スペック
| Collector Emitter Breakdown Voltage | 30 V |
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 30 V |
| Contact Plating | Copper, Silver, Tin |
| Dark Current | 500 nA |
| Fall Time | 10 µs |
| Forward Current | 50 mA |
| Forward Voltage | 1.3 V |
| Height | 10 mm |
| Introduction Date | 2006-07-12 |
| Lead Free | Lead Free |
| Lifecycle Status | Obsolete (Last Updated: 1 year ago) |
| LTB Date | 2023-09-30 |
| LTD Date | 2024-03-30 |
| Max Collector Current | 30 mA |
| Max Operating Temperature | 85 °C |
| Min Operating Temperature | -25 °C |
| Mount | Through Hole |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Circuits | 1 |
| Number of Pins | 4 |
| Output Configuration | Phototransistor |
| Packaging | Bulk |
| Power Dissipation | 80 mW |
| Radiation Hardening | No |
| REACH SVHC | Yes |
| Response Time | 10 µs |
| Rise Time | 10 µs |
| Sensing Distance | 5.0038 mm |
| Voltage Rating (DC) | 1.3 V |
| Wavelength | 950 nm |
| Width | 6 mm |
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| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 50 - | ¥ 187.07 |
