NTD4909NT4G
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製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | ON SEMICONDUCTOR |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | MOSFET（金属酸化物） |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 30V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 4.5V、10V |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 8.8A(TA)、41A(Tc) |
| 電力散逸（最大） | 1314 pF @ 15 V |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 1.37W（Ta）、29.4W（Tc） |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 8ミリオーム @ 30A、10V |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | 17.5 nC @ 10 V |
| 使用温度範囲 | ±20V |
| 用途 | -55°C～175°C(TJ) |
| デバイスパッケージ | 面実装 |
| 技術 | DPAK |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
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在庫数: 237
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MOQ:237
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 237 - | ¥ 48.01 |
