IRFZ44VPBF
※画像は参考です。
詳細は製品仕様をご覧ください。
ドキュメント
リンク先
製品スペック
| カテゴリ名 | ディスクリート半導体 単体・シングル |
| メーカー名 | INFINEON |
| シリーズ | HEXFET® |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | MOSFET（金属酸化物） |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 60V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 10 V |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 55A(Tc) |
| 電力散逸（最大） | 1812 pF @ 25 V |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 115W（Tc） |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 16.5ミリオーム @ 31A、10V |
| Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | 67 nC @ 10 V |
| 使用温度範囲 | ±20V |
| 用途 | -55°C～175°C(TJ) |
| デバイスパッケージ | スルーホール |
| 技術 | TO-220AB |
・商品説明の情報は、製品の概要を確認する目的で便宜的に提供しています。
・該当する正式情報は、メーカー発行のデータシート等をご参照ください。
在庫数: 7
出荷予定日:2026/10/15 当社出荷予定
MOQ:1
SPQ:1
| 購入数量 | 単価(JPY) |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥ 66.77 |
| 10 - 49 | ¥ 64.95 |
| 50 - 99 | ¥ 63.74 |
| 100 - 499 | ¥ 62.52 |
| 500 - 999 | ¥ 62.22 |
| 1,000 - 1,999 | ¥ 62.1 |
| 2,000 - 3,999 | ¥ 61.98 |
| 4,000 - | ¥ 61.91 |
