FETs

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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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B-1
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IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF
INFINEON

100,000 25+  

CoreStaff Part Number:st61363137

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 11A(Tc) 350 pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF
INFINEON

17,058  

CoreStaff Part Number:st75141519

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 11A(Tc) 350 pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR9024NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

112,000 N/A   MOQ : 2,000
SPQ : 2,000

CoreStaff Part Number:st76681760

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 11A(Tc) 350 pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR9110
INTERNATIONAL RECTIFIER

2,983 01+  

CoreStaff Part Number:st65432407

INTERNATIONAL RECTIFIER Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 3.1A(Tc) 200 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、25W(Tc) 1.2オーム @ 1.9A、10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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RoHS
3,309 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76466900

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 6.6A(Tc) 350 pF @ 25 V 40W(Tc) 480ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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50  

CoreStaff Part Number:st75141520

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 6.6A(Tc) 350 pF @ 25 V 40W(Tc) 480ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR9120NTRPBF

IRFR9120NTRPBF
INFINEON

41,320 23+  

CoreStaff Part Number:st60358888

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 6.6A(Tc) 350 pF @ 25 V 40W(Tc) 480ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR9120NTRPBF

IRFR9120NTRPBF
INFINEON

500  

CoreStaff Part Number:st75141521

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 6.6A(Tc) 350 pF @ 25 V 40W(Tc) 480ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR9120NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

50 25+  

CoreStaff Part Number:st75027753

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 6.6A(Tc) 350 pF @ 25 V 40W(Tc) 480ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR9120NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

26,000 N/A   MOQ : 2,000
SPQ : 2,000

CoreStaff Part Number:st76681761

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 6.6A(Tc) 350 pF @ 25 V 40W(Tc) 480ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR9120NTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

2,000   MOQ : 2,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st72742496

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 6.6A(Tc) 350 pF @ 25 V 40W(Tc) 480ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3004TRL7PP

IRFS3004TRL7PP
INFINEON

RoHS
8,893 22/23+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76415681

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10 V 240A(Tc) 9130 pF @ 25 V 380W(Tc) 1.25ミリオーム @ 195A、10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK(7-Lead)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3006TRL7PP

IRFS3006TRL7PP
INFINEON

RoHS
1,543 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76545739

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 240A(Tc) 8850 pF @ 50 V 375W(Tc) 2.1ミリオーム @ 168A、10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK(7-Lead)
Quality Guaranteed
B-1
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Overseas Location

IRFS3006TRLPBF

IRFS3006TRLPBF
INFINEON

2,000 25+  

CoreStaff Part Number:st49404671

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 195A(Tc) 8970 pF @ 50 V 375W(Tc) 2.5ミリオーム @ 170A、10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3006TRLPBF

IRFS3006TRLPBF
INFINEON

3  

CoreStaff Part Number:st75141527

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 195A(Tc) 8970 pF @ 50 V 375W(Tc) 2.5ミリオーム @ 170A、10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3006TRLPBF

IRFS3006TRLPBF
INFINEON

RoHS
982 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76545876

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 195A(Tc) 8970 pF @ 50 V 375W(Tc) 2.5ミリオーム @ 170A、10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3107PBF
INFINEON

7  

CoreStaff Part Number:st75141528

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 195A(Tc) 9370 pF @ 50 V 370W(Tc) 3ミリオーム @ 140A、10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3107TRLPBF

IRFS3107TRLPBF
INFINEON

RoHS
2,314 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76544425

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 195A(Tc) 9370 pF @ 50 V 370W(Tc) 3ミリオーム @ 140A、10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3107TRLPBF

IRFS3107TRLPBF
INFINEON

2  

CoreStaff Part Number:st75141529

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 195A(Tc) 9370 pF @ 50 V 370W(Tc) 3ミリオーム @ 140A、10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3206TRRPBF
INFINEON

RoHS
7,565 21+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76457734

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 120A(Tc) 6540 pF @ 50 V 300W(Tc) 3ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3206TRRPBF
INFINEON

4,000 20+  

CoreStaff Part Number:st71361809

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 120A(Tc) 6540 pF @ 50 V 300W(Tc) 3ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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Overseas Location

IRFS3206TRRPBF
INFINEON

2,000 21+  

CoreStaff Part Number:st49404674

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 120A(Tc) 6540 pF @ 50 V 300W(Tc) 3ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3206TRRPBF
INFINEON

3  

CoreStaff Part Number:st75141530

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 120A(Tc) 6540 pF @ 50 V 300W(Tc) 3ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3207TRLPBF
INFINEON

RoHS
915 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76527104

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 170A(Tc) 7600 pF @ 50 V 300W(Tc) 4.5ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3306TRLPBF

IRFS3306TRLPBF
INFINEON

5,600 21+  

CoreStaff Part Number:st71361810

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 120A(Tc) 4520 pF @ 50 V 230W(Tc) 4.2ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3306TRLPBF

IRFS3306TRLPBF
INFINEON

6,400 23+  

CoreStaff Part Number:st76078906

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 120A(Tc) 4520 pF @ 50 V 230W(Tc) 4.2ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3306TRLPBF

IRFS3306TRLPBF
INFINEON

RoHS
2,400 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76478633

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 120A(Tc) 4520 pF @ 50 V 230W(Tc) 4.2ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3306TRLPBF

IRFS3306TRLPBF
INFINEON

10  

CoreStaff Part Number:st75141531

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 120A(Tc) 4520 pF @ 50 V 230W(Tc) 4.2ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3307ZTRLPBF

RoHS
800 22+   MOQ : 500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76477661

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 120A(Tc) 4750 pF @ 50 V 230W(Tc) 5.8ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3307ZTRLPBF

12  

CoreStaff Part Number:st75141532

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 120A(Tc) 4750 pF @ 50 V 230W(Tc) 5.8ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

RoHS
745 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76532031

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 120A(Tc) 4750 pF @ 50 V 230W(Tc) 5.8ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS3607TRLPBF
INFINEON

RoHS
3,200 22/23+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76438173

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 80A(Tc) 3070 pF @ 50 V 140W(Tc) 9ミリオーム @ 46A、10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS3607TRLPBF
INFINEON

10,838 21+  

CoreStaff Part Number:st71361811

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 80A(Tc) 3070 pF @ 50 V 140W(Tc) 9ミリオーム @ 46A、10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFS3607TRLPBF
INFINEON

5  

CoreStaff Part Number:st75141533

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10 V 80A(Tc) 3070 pF @ 50 V 140W(Tc) 9ミリオーム @ 46A、10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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Overseas Location

IRFS3806TRLPBF

IRFS3806TRLPBF
INFINEON

12,000 24+  

CoreStaff Part Number:st49404677

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 43A(Tc) 1150 pF @ 50 V 71W(Tc) 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFS3806TRLPBF
INFINEON

207  

CoreStaff Part Number:st75141534

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 43A(Tc) 1150 pF @ 50 V 71W(Tc) 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS38N20DPBF
INFINEON

10  

CoreStaff Part Number:st75141535

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10 V 43A(Tc) 2900 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、300W(Tc) 54ミリオーム @ 26A、10V 5V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
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IRFS38N20DTRLP

IRFS38N20DTRLP
INFINEON

RoHS
1,989 22+   MOQ : 500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76465750

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10 V 43A(Tc) 2900 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、300W(Tc) 54ミリオーム @ 26A、10V 5V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFS38N20DTRLP

IRFS38N20DTRLP
INFINEON

1,767 22+  

CoreStaff Part Number:st76078907

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10 V 43A(Tc) 2900 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、300W(Tc) 54ミリオーム @ 26A、10V 5V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFS38N20DTRLP

IRFS38N20DTRLP
INFINEON

163  

CoreStaff Part Number:st75141536

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10 V 43A(Tc) 2900 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、300W(Tc) 54ミリオーム @ 26A、10V 5V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS4010TRL7PP

IRFS4010TRL7PP
INFINEON

4,265 16+  

CoreStaff Part Number:st71361812

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 190A(Tc) 9830 pF @ 50 V 380W(Tc) 4ミリオーム @ 110A、10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF
INFINEON

510 22+  

CoreStaff Part Number:st75020174

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 180A(Tc) 9575 pF @ 50 V 375W(Tc) 4.7ミリオーム @ 106A、10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF
INFINEON

RoHS
6,759 22+   MOQ : 500
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st76429811

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 180A(Tc) 9575 pF @ 50 V 375W(Tc) 4.7ミリオーム @ 106A、10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF
INFINEON

4,372 22+  

CoreStaff Part Number:st76078908

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 180A(Tc) 9575 pF @ 50 V 375W(Tc) 4.7ミリオーム @ 106A、10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS4010TRLPBF

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INFINEON

1  

CoreStaff Part Number:st75141537

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 180A(Tc) 9575 pF @ 50 V 375W(Tc) 4.7ミリオーム @ 106A、10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

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INFINEON

10  

CoreStaff Part Number:st75141538

Infineon Technologies Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10 V 18A(Tc) 1200 pF @ 50 V 100W(Tc) 105ミリオーム @ 11A、10V 4.9V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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INFINEON

19,200 18+  

CoreStaff Part Number:st71361813

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 105A(Tc) 5320 pF @ 50 V 380W(Tc) 11.8ミリオーム @ 63A、10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK(7-Lead)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFS4115TRL7PP

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INFINEON

4  

CoreStaff Part Number:st75141539

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 105A(Tc) 5320 pF @ 50 V 380W(Tc) 11.8ミリオーム @ 63A、10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK(7-Lead)
Quality Guaranteed
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IRFS4115TRL7PP
INFINEON TECHNOLOGIES

800   MOQ : 800
SPQ : 1

CoreStaff Part Number:st70647325

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 105A(Tc) 5320 pF @ 50 V 380W(Tc) 11.8ミリオーム @ 63A、10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK(7-Lead)
Quality Guaranteed
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INFINEON

8,111 25+  

CoreStaff Part Number:st49404681

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 195A(Tc) 5270 pF @ 50 V 375W(Tc) 12.1ミリオーム @ 62A、10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK

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