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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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B-1
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IRFR4620TRLPBF
INFINEON

1,388 23+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078902

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10 V 24A(Tc) 1710 pF @ 50 V 144W(Tc) 78ミリオーム @ 15A、10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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B-1
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IRFR4620TRLPBF
INFINEON

6  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141504

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10 V 24A(Tc) 1710 pF @ 50 V 144W(Tc) 78ミリオーム @ 15A、10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR4620TRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

51,000 N/A   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681756

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200V 10 V 24A(Tc) 1710 pF @ 50 V 144W(Tc) 78ミリオーム @ 15A、10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR48ZTRPBF
INFINEON

RoHS
21,772 21+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76415558

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 42A(Tc) 1720 pF @ 25 V 91W(Tc) 11ミリオーム @ 37A、10V 4V @ 50µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

RoHS
39,911 22/26+   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76352733

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 31A(Tc) 1200 pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

90,000 24+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404656

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 31A(Tc) 1200 pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

200 24+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75019911

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 31A(Tc) 1200 pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

1,659  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141505

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 31A(Tc) 1200 pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR5305TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

242,000 N/A   MOQ : 2,000
SPQ : 2,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681757

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 31A(Tc) 1200 pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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B-1
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IRFR5305TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

2,000   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st72742492

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 31A(Tc) 1200 pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR540ZTRLPBF
INFINEON

RoHS
9,871 22+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76477660

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 35A(Tc) 1690 pF @ 25 V 91W(Tc) 28.5ミリオーム @ 21A、10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR540ZTRPBF
INFINEON

RoHS
2,000 22+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76397997

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 35A(Tc) 1690 pF @ 25 V 91W(Tc) 28.5ミリオーム @ 21A、10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR540ZTRPBF
INFINEON

3,271 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078903

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 35A(Tc) 1690 pF @ 25 V 91W(Tc) 28.5ミリオーム @ 21A、10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR540ZTRPBF
INFINEON

76  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141506

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 35A(Tc) 1690 pF @ 25 V 91W(Tc) 28.5ミリオーム @ 21A、10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR540ZTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

2,000   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st72742493

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 35A(Tc) 1690 pF @ 25 V 91W(Tc) 28.5ミリオーム @ 21A、10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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B-1
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IRFR5410TRLPBF
INFINEON

7  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141507

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 13A(Tc) 760 pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF
INFINEON

21,656 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st60358881

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 13A(Tc) 760 pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF
INFINEON

1,731  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141508

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 13A(Tc) 760 pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR5410TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

10,000 N/A   MOQ : 2,000
SPQ : 2,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681758

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 13A(Tc) 760 pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR5410TRRPBF
INFINEON

RoHS
12,000 22+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76351430

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10 V 13A(Tc) 760 pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
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IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF
INFINEON

12,000 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361806

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 18A(Tc) 650 pF @ 25 V 57W(Tc) 110ミリオーム @ 9.6A、10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF
INFINEON

RoHS
16,000 22/23+   MOQ : 2,500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76382989

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 18A(Tc) 650 pF @ 25 V 57W(Tc) 110ミリオーム @ 9.6A、10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF
INFINEON

17  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141509

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 18A(Tc) 650 pF @ 25 V 57W(Tc) 110ミリオーム @ 9.6A、10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR6215TRLPBF
INFINEON

RoHS
5,667 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76491609

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 13A(Tc) 860 pF @ 25 V 110W(Tc) 295ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR6215TRLPBF
INFINEON

320 15+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75020090

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 13A(Tc) 860 pF @ 25 V 110W(Tc) 295ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR6215TRLPBF
INFINEON

20  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141510

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 13A(Tc) 860 pF @ 25 V 110W(Tc) 295ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR6215TRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

3,000   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st72742494

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 13A(Tc) 860 pF @ 25 V 110W(Tc) 295ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR6215TRPBF
INFINEON

3,832 25+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st60358883

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 13A(Tc) 860 pF @ 25 V 110W(Tc) 295ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR6215TRPBF
INFINEON

205  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141511

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 13A(Tc) 860 pF @ 25 V 110W(Tc) 295ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR6215TRPBF
INFINEON

RoHS
6,578 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76496394

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10 V 13A(Tc) 860 pF @ 25 V 110W(Tc) 295ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR7440TRPBF
INFINEON

RoHS
12,000 21+   MOQ : 2,500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76364400

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 90A(Tc) 4610 pF @ 25 V 140W(Tc) 2.4ミリオーム @ 90A、10V 3.9V @ 100µA 134 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
Quality Guaranteed
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IRFR7440TRPBF
INFINEON

1,836  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141512

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 90A(Tc) 4610 pF @ 25 V 140W(Tc) 2.4ミリオーム @ 90A、10V 3.9V @ 100µA 134 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
Quality Guaranteed
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IRFR7440TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

2,000   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st70647322

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 90A(Tc) 4610 pF @ 25 V 140W(Tc) 2.4ミリオーム @ 90A、10V 3.9V @ 100µA 134 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO252-3
Quality Guaranteed
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IRFR7446TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

8,000 N/A   MOQ : 2,000
SPQ : 2,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681759

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 56A(Tc) 3150 pF @ 25 V 98W(Tc) 3.9ミリオーム @ 56A、10V 3.9V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR7446TRPBF

IRFR7446TRPBF
INFINEON

19,057 18+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361807

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 56A(Tc) 3150 pF @ 25 V 98W(Tc) 3.9ミリオーム @ 56A、10V 3.9V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
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IRFR7446TRPBF

IRFR7446TRPBF
INFINEON

RoHS
9,723 22/23+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76434153

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 56A(Tc) 3150 pF @ 25 V 98W(Tc) 3.9ミリオーム @ 56A、10V 3.9V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR7446TRPBF

IRFR7446TRPBF
INFINEON

10,000 21+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078904

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 56A(Tc) 3150 pF @ 25 V 98W(Tc) 3.9ミリオーム @ 56A、10V 3.9V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR7446TRPBF

IRFR7446TRPBF
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141513

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 6V、10V 56A(Tc) 3150 pF @ 25 V 98W(Tc) 3.9ミリオーム @ 56A、10V 3.9V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
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IRFR7540TRPBF
INFINEON

RoHS
10,000 22+   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76356304

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 90A(Tc) 4360 pF @ 25 V 140W(Tc) 4.8ミリオーム @ 66A、10V 3.7V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
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IRFR7540TRPBF
INFINEON

32,555 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078905

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 90A(Tc) 4360 pF @ 25 V 140W(Tc) 4.8ミリオーム @ 66A、10V 3.7V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR7540TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

2,000   MOQ : 2,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st72742495

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 90A(Tc) 4360 pF @ 25 V 140W(Tc) 4.8ミリオーム @ 66A、10V 3.7V @ 100µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR7546TRPBF

IRFR7546TRPBF
INFINEON

131  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141514

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 56A(Tc) 3020 pF @ 25 V 99W(Tc) 7.9ミリオーム @ 43A、10V 3.7V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DPAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR825TRPBF
INFINEON

34  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141515

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500V 10 V 6A(Tc) 1346 pF @ 25 V 119W(Tc) 1.3オーム @ 3.7A、10V 5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR8314TRPBF

IRFR8314TRPBF
INFINEON

13  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141516

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 90A(Tc) 4945 pF @ 15 V 125W(Tc) 2.2ミリオーム @ 90A、10V 2.2V @ 100µA 54 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR9014
INTERNATIONAL RECTIFIER

775  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st65341012

INTERNATIONAL RECTIFIER Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 5.1A(Tc) 270 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、25W(Tc) 500ミリオーム @ 3.1A、10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DPAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR9024
INTERNATIONAL RECTIFIER

75 98  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st65395809

INTERNATIONAL RECTIFIER Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10 V 8.8A(Tc) 570 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、42W(Tc) 280ミリオーム @ 5.3A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DPAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRFR9024NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER

100 10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st65365301

INTERNATIONAL RECTIFIER HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 11A(Tc) 350 pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

RoHS
4,888 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76479710

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 11A(Tc) 350 pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

91  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141518

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 11A(Tc) 350 pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF
INFINEON

RoHS
2,329 22/24+   MOQ : 2,329
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76366073

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10 V 11A(Tc) 350 pF @ 25 V 38W(Tc) 175ミリオーム @ 6.6A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)

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