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库存类别供应商排名	供应商	库存所在位置	照片	型号 / 制造商 / 其他	库存量	生产批次	单价	最低订货数量 / 后续订购数量	预定出货日	ECAD模型	资讯核友型号	メーカー名	シリーズ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	技術	構成	FET機能	使用温度範囲	用途	車載対応	取り付けタイプ	デバイスパッケージ
		Partner Stock		FDS6930B N/A							MOSFET - アレイ 30V 5.5A 900mW 面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS6930BCT-ND@0			30V	5.5A	412pF @ 15V	900mW	38ミリオーム @ 5.5A、10V	3V @ 250µA	3.8nC @ 5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOIC
		Partner Stock		FDS6930B N/A							MOSFET - アレイ 30V 5.5A 900mW 面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS6930BTR-ND@0			30V	5.5A	412pF @ 15V	900mW	38ミリオーム @ 5.5A、10V	3V @ 250µA	3.8nC @ 5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOIC
		Partner Stock		FDS6961A N/A							MOSFET - アレイ 30V 3.5A 900mW 面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS6961ACT-ND@0			30V	3.5A	220pF @ 15V	900mW	90ミリオーム @ 3.5A、10V	3V @ 250µA	4nC @ 5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOIC
		Partner Stock		FDS6975 N/A							MOSFET - アレイ 30V 6A 900mW 面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS6975TR-ND@0			30V	6A	1540pF @ 15V	900mW	32ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	20nC @ 5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOIC
		Partner Stock		FDS6975 N/A							MOSFET - アレイ 30V 6A 900mW 面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS6975CT-ND@0			30V	6A	1540pF @ 15V	900mW	32ミリオーム @ 6A、10V	3V @ 250µA	20nC @ 5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOIC
		Partner Stock		FDS6986AS N/A							MOSFET - アレイ 30V 6.5A、7.9A 900mW 面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS6986ASTR-ND@0			30V	6.5A、7.9A	720pF @ 10V	900mW	29ミリオーム @ 6.5A、10V	3V @ 250µA	17nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOIC
		Partner Stock		FDS6986AS N/A							MOSFET - アレイ 30V 6.5A、7.9A 900mW 面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS6986ASCT-ND@0			30V	6.5A、7.9A	720pF @ 10V	900mW	29ミリオーム @ 6.5A、10V	3V @ 250µA	17nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOIC
		Partner Stock		FDS6990AS N/A							MOSFET - アレイ 30V 7.5A 900mW 面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS6990ASCT-ND@0			30V	7.5A	550pF @ 15V	900mW	22ミリオーム @ 7.5A、10V	3V @ 1mA	14nC @ 5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOIC
		Partner Stock		FDS8433A N/A							Pチャンネル 20 V 5A（Ta） 2.5W（Ta）面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS8433ACT-ND@0			Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20 V	2.5V、4.5V	5A（Ta）	1130 pF @ 10 V	2.5W（Ta）	47ミリオーム @ 5A、4.5V	1V @ 250µA	28 nC @ 5 V	±8V	-55°C～150°C（TJ）			面実装
		Partner Stock		FDS8447 N/A							Nチャンネル 40 V 12.8A（Ta） 2.5W（Ta）面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS8447TR-ND@0			Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	4.5V、10V	12.8A（Ta）	2600 pF @ 20 V	2.5W（Ta）	10.5ミリオーム @ 12.8A、10V	3V @ 250µA	49 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装
		Partner Stock		FDS8447 N/A							Nチャンネル 40 V 12.8A（Ta） 2.5W（Ta）面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS8447CT-ND@0			Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	4.5V、10V	12.8A（Ta）	2600 pF @ 20 V	2.5W（Ta）	10.5ミリオーム @ 12.8A、10V	3V @ 250µA	49 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装
		Partner Stock		FDS8449 N/A							Nチャンネル 40 V 7.6A（Ta） 2.5W（Ta）面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS8449TR-ND@0			Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	4.5V、10V	7.6A（Ta）	760 pF @ 20 V	2.5W（Ta）	29ミリオーム @ 7.6A、10V	3V @ 250µA	11 nC @ 5 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装
		Partner Stock		FDS8449 N/A							Nチャンネル 40 V 7.6A（Ta） 2.5W（Ta）面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS8449CT-ND@0			Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	4.5V、10V	7.6A（Ta）	760 pF @ 20 V	2.5W（Ta）	29ミリオーム @ 7.6A、10V	3V @ 250µA	11 nC @ 5 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装
		Partner Stock		FDS86106 N/A							Nチャンネル 100 V 3.4A（Ta） 5W（Ta）面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS86106TR-ND@0			Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	6V、10V	3.4A（Ta）	208 pF @ 50 V	5W（Ta）	105ミリオーム @ 3.4A、10V	4V @ 250µA	4 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装
		Partner Stock		FDS86106 N/A							Nチャンネル 100 V 3.4A（Ta） 5W（Ta）面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS86106CT-ND@0			Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	6V、10V	3.4A（Ta）	208 pF @ 50 V	5W（Ta）	105ミリオーム @ 3.4A、10V	4V @ 250µA	4 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装
		Partner Stock		FDS86140 N/A							Nチャンネル 100 V 11.2A（Ta） 2.5W（Ta）、5W（Tc）面実装 8-SOIC 核友型号：zp2216-FDS86140TR-ND@0			Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	6V、10V	11.2A（Ta）	2580 pF @ 50 V	2.5W（Ta）、5W（Tc）	9.8ミリオーム @ 11.2A、10V	4V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装

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