メーカー名 メモリサイズ メモリ構成 アクセス時間 クロック周波数 インターフェース 電源電圧 使用温度範囲 実装タイプ デバイスパッケージ
 
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メーカー名 シリーズ メモリタイプ メモリフォーマット 技術 メモリサイズ メモリ構成 アクセス時間 クロック周波数 インターフェース 電源電圧 使用温度範囲 用途 実装タイプ デバイスパッケージ 車載対応
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Kビット 512 x 8 1 MHz I2C 2.7V~3.65V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B004J-SXET
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Kビット 512 x 8 3.4 MHz I2C 3V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B004Q-SXA
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Kビット 512 x 8 16 MHz SPI 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B004Q-SXAT
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Kビット 512 x 8 16 MHz SPI 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B004Q-SXET
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Kビット 512 x 8 16 MHz SPI 3V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B016J-SXA
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 16Kビット 2K x 8 1 MHz I2C 2.7V~3.65V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B016J-SXAT
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 16Kビット 2K x 8 1 MHz I2C 2.7V~3.65V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 16Kビット 2K x 8 1 MHz I2C 3V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B016J-SXET
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 16Kビット 2K x 8 1 MHz I2C 3V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 16Kビット 2K x 8 20 MHz SPI 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B016Q-SXAT
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 16Kビット 2K x 8 20 MHz SPI 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 64Kビット 8K x 8 1 MHz I2C 3V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 64Kビット 8K x 8 1 MHz I2C 3V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 64Kビット 8K x 8 20 MHz SPI 2.7V~3.65V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B064Q-SXAT
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 64Kビット 8K x 8 20 MHz SPI 2.7V~3.65V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B064Q-SXE
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 64Kビット 8K x 8 16 MHz SPI 3V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 1Mビット 64K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 1Mビット 64K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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CY15B101N-ZS60XE
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 1Mビット 64K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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CY15B101N-ZS60XET
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 1Mビット 64K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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CY15B101N-ZS60XM
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 1Mビット 64K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -55°C~125°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 128K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 128K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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CY15B102N-ZS60XE
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 128K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 128K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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CY15B102N-ZS60XM
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 128K x 16 90 ns パラレル 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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CY15B102Q-SXA
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 256K x 8 25 MHz SPI 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B102Q-SXAT
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 256K x 8 25 MHz SPI 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B102Q-SXM
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 256K x 8 25 MHz SPI 2V~3.6V -55°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 2Mビット 256K x 8 8 ns 50 MHz SPI 1.8V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B128J-SXA
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 128Kビット 16K x 8 130 ns 3.4 MHz I2C 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B128J-SXAT
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 128Kビット 16K x 8 130 ns 3.4 MHz I2C 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B128J-SXE
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 128Kビット 16K x 8 130 ns 3.4 MHz I2C 2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B128J-SXET
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 128Kビット 16K x 8 130 ns 3.4 MHz I2C 2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B128Q-SXAT
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 128Kビット 16K x 8 40 MHz SPI 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B128Q-SXET
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 128Kビット 16K x 8 9 ns 33 MHz SPI 2.7V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 256Kビット 32K x 8 130 ns 3.4 MHz I2C 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 256Kビット 32K x 8 130 ns 3.4 MHz I2C 2V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 256Kビット 32K x 8 40 MHz SPI 2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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CY15B256Q-SXE
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 256Kビット 32K x 8 9 ns 33 MHz SPI 2.7V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 256Kビット 32K x 8 9 ns 33 MHz SPI 2.7V~3.6V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Kビット 512 x 8 1 MHz I2C 4.5V~5.5V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Kビット 512 x 8 1 MHz I2C 4.5V~5.5V -40°C~85°C(TA) 面実装 8-SOIC
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Infineon Technologies F-RAM™ 不揮発性 FRAM FRAM(強誘電体RAM) 4Kビット 512 x 8 3.4 MHz I2C 4.5V~5.5V -40°C~125°C(TA) 面実装 8-SOIC
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