メモリ 

メーカー名 シリーズ メモリタイプ メモリフォーマット 技術 メモリサイズ メモリ構成 アクセス時間 クロック周波数 インターフェース 電源電圧 使用温度範囲 用途 実装タイプ デバイスパッケージ 車載対応

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Infineon Technologies GL-S 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 256Mビット 16M x 16 90 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 64-FBGA(9x9)
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Infineon Technologies GL-S 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 256Mビット 16M x 16 90 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 56-FBGA(9x7)
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Infineon Technologies GL-S 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 256Mビット 16M x 16 90 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 56-TSOP
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Infineon Technologies GL-S 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 256Mビット 16M x 16 90 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 56-TSOP
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Infineon Technologies GL-S 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 512Mビット 32M x 16 110 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~105°C(TA) 面実装 64-FBGA(9x9)
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Infineon Technologies GL-T 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 512Mビット 64M x 8 100 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 64-FBGA(13x11)
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Infineon Technologies GL-T 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 512Mビット 64M x 8 100 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 56-TSOP
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Infineon Technologies GL-T 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 512Mビット 64M x 8 110 ns パラレル 1.65V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 64-FBGA(9x9)
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Infineon Technologies JL-J 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 64Mビット 8M x 8、4M x 16 55 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 48-FBGA(8.15x6.15)
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コアスタッフ型名:st72264132

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Infineon Technologies JL-J 不揮発性 FLASH FLASH - NOR 64Mビット 8M x 8、4M x 16 55 ns パラレル 2.7V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 48-TSOP
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コアスタッフ型名:st72264138

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