メモリ 

メーカー名 シリーズ メモリタイプ メモリフォーマット 技術 メモリサイズ メモリ構成 アクセス時間 クロック周波数 インターフェース 電源電圧 使用温度範囲 用途 実装タイプ デバイスパッケージ 車載対応

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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 4Mビット 512K x 8 10 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 4Mビット 512K x 8 10 ns パラレル 4.5V~5.5V -40°C~85°C(TA) 面実装 36-SOJ
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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 4Mビット 512K x 8 10 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 44-TSOP II
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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 16Mビット 1M x 16 10 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 54-TSOP II
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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 16Mビット 1M x 16 10 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 48-TSOP I
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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 16Mビット 1M x 16 10 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 54-TSOP II
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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 非同期 16Mビット 2M x 8 10 ns パラレル 2.2V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 54-TSOP II
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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 同期、SDR 4.5Mビット 256K x 18 4 ns 133 MHz パラレル 3.15V~3.6V -40°C~85°C(TA) 面実装 100-TQFP(14x20)
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Infineon Technologies 揮発性 SRAM SRAM - 同期、SDR 9Mビット 256K x 36 3 ns 200 MHz パラレル 3.135V~3.6V 0°C~70°C(TA) 面実装 100-TQFP(14x20)
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