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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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ISZ022N06LM6ATMA1
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ISZ023N06LM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 4200 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、100W(Tc) 2.3ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 38µA 61 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装 PG-TSDSON-8-34
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ISZ024N06NM6ATMA1
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ISZ025N06NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 8V、10V 2700 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、100W(Tc) 2.5ミリオーム @ 20A、10V 40 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装 PG-TSDSON-8-34
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ISZ028N03LF2SATMA1
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StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 22A(Ta)、128A(Tc) 1780 pF @ 15 V 3W(Ta)、83W(Tc) 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 30µA 19 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 FL
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ISZ033N03LF2SATMA1
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StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 20A(Ta)、109A(Tc) 1415 pF @ 15 V 3W(Ta)、71W(Tc) 3.3ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 30µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 FL
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ISZ034N06LM5ATMA1
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ISZ040N03L5ISATMA1
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ISZ0501NLSATMA1
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ISZ053N08NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 8V、10V 1800 pF @ 40 V 2.5W(Ta)、100W(Tc) 5.3ミリオーム @ 20A、10V 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-34
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ISZ056N03LF2SATMA1
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StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 16A(Ta)、72A(Tc) 1012 pF @ 15 V 3W(Ta)、52W(Tc) 5.6ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 30µA 11 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 FL
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ISZ0602NLSATMA1
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ISZ062N06NM6ATMA1
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ISZ0702NLSATMA1
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ISZ072N06NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 8V、10V 1000 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、50W(Tc) 7.2ミリオーム @ 10A、10V 3.3V @ 14µA 15.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 面実装 PG-TSDSON-8-34
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ISZ0803NLSATMA1
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ISZ0804NLSATMA1
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ISZ113N10NM5LF2ATMA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 10A(Ta)、63A(Tc) 2300 pF @ 50 V 2.5W(Ta)、100W(Tc) 11.3ミリオーム @ 20A、10V 3.9V @ 36µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 FL
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ISZ113N10NM5LFATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 135 V 8V、15V 3.5V @ 35µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装
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ISZ157N08NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 8V、10V 2.5W(Ta)、48W(Tc) 10 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-34
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ISZ15EP15LMATMA1
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OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 4.5V、10V 1.5オーム @ 1A、10V 14 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-26
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ISZ173N15NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 8V、15V 7.9A(Ta)、48A(Tc) 1300 pF @ 75 V 2.5W(Ta)、94W(Tc) 16.3ミリオーム @ 16A、15V 4V @ 35µA 19.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 FL
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ISZ230N10NM6ATMA1
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ISZ24DP10LMATMA1
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ISZ330N12LM6ATMA1
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10.1 nC @ 10 V
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ISZ520N20NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 10V、15V 4.5A(Ta)、26A(Tc) 960 pF @ 100 V 2.5W(Ta)、88W(Tc) 47.8ミリオーム @ 15A、15V 4.5V @ 31µA 14.9 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-34
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ISZ56DP15LMATMA1
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ISZ75DP15LMATMA1
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OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 4.5V、10V 1100 pF @ 75 V 2.5W(Ta)、50W(Tc) 750ミリオーム @ 4A、10V 30.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-26
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ISZ810P06LMATMA1
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OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 19.5A(Tc) 1400 pF @ 30 V 83W(Tc) 2V @ 724µA 42.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-26
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ITD50N04S4L04ATMA1
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ITD50N04S4L07ATMA1
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IV1Q12050T3

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 58A(Tc) 327W(Tc) スルーホール TO-247-3
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 58A(Tc) 2770 pF @ 800 V 327W(Tc) 65ミリオーム @ 20A、20V 3.2V @ 6mA 120 nC @ 20 V +20V、-5V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3
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IV1Q12050T4

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 58A(Tc) 344W(Tc) スルーホール TO-247-4
CoreStaff Part Number:zp2216-4084-IV1Q12050T4-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 58A(Tc) 2750 pF @ 800 V 344W(Tc) 65ミリオーム @ 20A、20V 3.2V @ 6mA 120 nC @ 20 V +20V、-5V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4
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IV1Q12160T4

RoHS
   

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Nチャンネル 1200 V 20A(Tc) 138W(Tc) スルーホール TO-247-4
CoreStaff Part Number:zp2216-4084-IV1Q12160T4-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 20A(Tc) 885 pF @ 800 V 138W(Tc) 195ミリオーム @ 10A、20V 2.9V @ 1.9mA 43 nC @ 20 V +20V、-5V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXCP01N90E-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 900 V 10V 250mA(Tc) 133 pF @ 25 V 40W(Tc) 80オーム @ 50mA、10V 5V @ 25µA 7.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220-3
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXFA102N15T-ND@0

HiPerFET™, Trench Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 10V 102A(Tc) 5220 pF @ 25 V 455W(Tc) 18ミリオーム @ 500mA、10V 5V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263AA(IXFA)
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXFA10N60P-ND@0

HiPerFET™, Polar Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600 V 10V 10A(Tc) 1610 pF @ 25 V 200W(Tc) 740ミリオーム @ 5A、10V 5.5V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263AA(IXFA)
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXFA10N60P-TRL-ND@0

HiPerFET™, Polar
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXFA10N80P-ND@0

HiPerFET™, Polar Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 800 V 10V 10A(Tc) 2050 pF @ 25 V 300W(Tc) 1.1オーム @ 5A、10V 5.5V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263AA(IXFA)
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXFA10N80P-TRL-ND@0

HiPerFET™, Polar Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 800 V 10V 10A(Tc) 2050 pF @ 25 V 300W(Tc) 1.1オーム @ 5A、10V 5.5V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXFA110N15T2-ND@0

HiPerFET™, TrenchT2™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 10V 110A(Tc) 8600 pF @ 25 V 480W(Tc) 13ミリオーム @ 55A、10V 4.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXFA110N15T2-TRL-ND@0

HiPerFET™, TrenchT2™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 10V 110A(Tc) 8600 pF @ 25 V 480W(Tc) 13ミリオーム @ 500mA、10V 4.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263AA(IXFA)
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CoreStaff Part Number:zp2216-IXFA12N50P-ND@0

HiPerFET™, Polar Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 500 V 10V 12A(Tc) 1830 pF @ 25 V 200W(Tc) 500ミリオーム @ 6A、10V 5.5V @ 1mA 29 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263AA(IXFA)

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