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Search Results：77401～  /   Part Number：  /   Stock Type：ALL  /   Quantity：0PCS~

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อันดับซัพพลายเออร์		 ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
Date Code		 ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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ISC0803NLSATMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-ISC0803NLSATMA1-ND@0

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ISC0804NLSATMA1
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ISC0805NLSATMA1
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ISC0806NLSATMA1
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ISC080N10NM6ATMA1
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ISC088N08NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80 V 8V、10V 1100 pF @ 40 V 3W（Ta）、71W（Tc） 16.4 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TDSON-8 FL
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ISC104N12LM6ATMA1
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ISC110N12NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 120 V 8V、10V 11A（Ta）、62A（Tc） 1400 pF @ 60 V 3W（Ta）、94W（Tc） 11ミリオーム @ 26A、10V 3.6V @ 35µA 19.3 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 SuperSO8
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ISC130N20NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 10V、15V 9.8A（Ta）、88A（Tc） 3900 pF @ 100 V 3W（Ta）、242W（Tc） 11.7ミリオーム @ 50A、15V 4.5V @ 135µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TSON-8-3
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ISC151N08NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80 V 8V、10V 3W（Ta）、48W（Tc） 10 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TDSON-8 FL
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ISC151N20NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 10V、15V 9.1A（Ta）、74A（Tc） 3100 pF @ 100 V 3W（Ta）、200W（Tc） 14ミリオーム @ 50A、15V 4.5V @ 105µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TDSON-8 FL
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ISC165N15NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 8V、15V 1300 pF @ 75 V 4V @ 35µA 18.5 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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ISC16DP15LMATMA1
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OptiMOS™ Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 4.5V、10V 2.5W（Ta）、188W（Tc） 160ミリオーム @ 10A、10V 125 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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ISC230N10NM6ATMA1
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ISC240P06LMATMA1
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60 V 59A（Tc） 4400 pF @ 30 V 188W（Ta） 24ミリオーム @ 40A、10V 2V @ 2.34A 136 nC @ 10 V
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ISC300N20NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 10V、15V 6.5A（Ta）、44A（Tc） 1700 pF @ 100 V 3W（Ta）、136W（Tc） 21 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TDSON-8
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ISC320N12LM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 120 V 3.3V、10V 6.4A（Ta）、24A（Tc） 650 pF @ 60 V 3W（Ta）、43W（Tc） 32ミリオーム @ 9A、10V 2.2V @ 11µA 10.1 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 SuperSO8
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ISC750P10LMATMA1
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ISC800P06LMATMA1
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ISCH42N04LM7ATMA1
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OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 4.5V、10V 61A（Ta）、541A（Tc） 13000 pF @ 20 V 3W（Ta）、234W（Tc） 0.42ミリオーム @ 50A、10V 1.8V @ 130µA 207 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TDSON-8
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ISCH54N04NM7VATMA1
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OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V、15V 7700 pF @ 20 V 3W（Ta）、214W（Tc） 146 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TDSON-8
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ISCH57N04NM7VSCATMA1
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OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V、15V 10000 pF @ 20 V 3W（Ta）、214W（Tc） 140 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-WSON-8-2
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ISCH69N04NM7VATMA1
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OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V、15V 5600 pF @ 20 V 3W（Ta）、167W（Tc） 106 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TDSON-8
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ISCH69N04NM7VE8262ATMA1
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ISCH75N04NM7VSCATMA1
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OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V、15V 7400 pF @ 20 V 3W（Ta）、167W（Tc） 101 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-WSON-8-2
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ISCH92N04NM7VSCATMA1
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OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V、15V 6000 pF @ 20 V 3W（Ta）、150W（Tc） 3.2V @ 66µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C 面実装 PG-WSON-8-2
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ISCH99N04NM7VATMA1
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OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V、15V 4400 pF @ 20 V 3W（Ta）、150W（Tc） 85 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TDSON-8
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ISCH99N04NM7VE8262ATMA1
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ISG0613N04NM6HATMA1
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OptiMOS™ 6 40V 42A（Ta）、299A（Tc） 6200pF @ 20V 3W（Ta）、167W（Tc） 0.88ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-VITFN-10-1
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ISG0613N04NM6HSCATMA1
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OptiMOS™ 6 40V 42A（Ta）、299A（Tc） 6200pF @ 20V 3W（Ta）、167W（Tc） 0.88ミリオーム @ 50A、10V 2.8V @ 780µA 104nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHITFN-10-1
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ISG0614N06NM5HATMA1
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OptiMOS™ 5 60V 31A（Ta）、233A（Tc） 6400pF @ 30V 3W（Ta）、167W（Tc） 1.6ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-VITFN-10-1
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ISG0614N06NM5HSCATMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-ISG0614N06NM5HSCATMA1-ND@0

OptiMOS™ 5 60V 31A（Ta）、233A（Tc） 6400pF @ 30V 3W（Ta）、167W（Tc） 1.6ミリオーム @ 50A、10V 3.3V @ 86µA 102nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHITFN-10-1
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ISG0616N10NM5HSCATMA1
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OptiMOS™ 5 100V 19A（Ta）、139A（Tc） 4800pF @ 50V 3W（Ta）、167W（Tc） 4ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 85µA 78nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-WHITFN-10-1
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ISK018NE1LM7ATSA1
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OptiMOS™ 7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 15 V 4.5V、7V 30A（Ta）、129A（Tc） 1600 pF @ 7.5 V 2.1W（Ta）、39W（Tc） 1.8ミリオーム @ 20A、7V 2V @ 106µA 13.6 nC @ 7 V ±7V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-VSON-6-1
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ISK018NE1LM7AULA1
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ISK024NE2LM5ATSA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 4.5V、10V 20A（Ta）、103A（Tc） 1200 pF @ 12 V 2.1W（Ta）、39W（Tc） 2.4ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 18.6 nC @ 10 V ±16V -55°C～150°C 面実装 PG-VSON-6-1
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ISK024NE2LM5AULA1
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OptiMOS™ 5
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ISK024NE2LM5AUSA1
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ISK036N03LM5ATSA1
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OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 4.5V、10V 16.5A（Ta）、81A（Tc） 1300 pF @ 15 V 2.1W（Ta）、39W（Tc） 3.6ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 20.2 nC @ 10 V ±16V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-VSON-6-1
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ISK036N03LM5AULA1
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ISK036N03LM5AUSA1
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ISK057N04LM6ATLA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 4.5V、10V 64A（Tc） 870 pF @ 20 V 2.1W（Ta）、39.1W（Tc） 5.75ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C～155°C（TJ）
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ISK057N04LM6ATSA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-ISK057N04LM6ATSA1-ND@0

OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 4.5V、10V 15A（Ta）、64A（Tc） 870 pF @ 20 V 2.1W（Ta）、39.1W（Tc） 5.75ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-VSON-6-1

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