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核友管理編號		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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OptiMOS™ P2
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OptiMOS™ P2 Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 90A（Tc） 10300 pF @ 25 V 125W（Tc） 4.7ミリオーム @ 90A、10V 4V @ 250µA 154 nC @ 10 V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO252-3-313
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28 nC @ 10 V
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 10V 72A（Tj） 3458 pF @ 400 V 416W（Tc） 37ミリオーム @ 27A、10V 4.7V @ 680µA 79 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-10-1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 10V 21A（Tj） 743 pF @ 400 V 169W（Tc） 180ミリオーム @ 5.6A、10V 4.7V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-10-1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 10V 288A（Tc） 16385 pF @ 400 V 7ミリオーム @ 100A、10V 4.7V @ 3.24mA 370 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 10V 135A（Tc） 7545 pF @ 400 V 625W（Tc） 16ミリオーム @ 62.5A、10V 4.7V @ 1.48mA 171 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22
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IPDQ60R017S7AXTMA1
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CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600 V 10V 97A（Tc） 5382 pF @ 400 V 480W（Tc） 4.7V @ 1.06mA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 PG-HDSOP-22-1

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