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หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IPB050N10NF2SATMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IPB050N10NF2SATMA1-ND@0

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IPB051N15NM6ATMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-IPB051N15NM6ATMA1-ND@0

OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 8V、15V 18A（Ta）、139A（Tc） 4700 pF @ 75 V 3.8W（Ta）、234W（Tc） 4V @ 131µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3-2
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IPB052N04NGATMA1
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IPB057N15NM6ATMA1
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 8V、15V 4000 pF @ 75 V 55 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3-2
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OptiMOS™ 3
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IPB065N10N3GATMA1
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IPB065N15N3GATMA1
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IPB065N15N3GE8187ATMA1
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OptiMOS™ 3
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 10V、15V 15.4A（Ta）、134A（Tc） 7400 pF @ 100 V 3.8W（Ta）、300W（Tc） 6.3ミリオーム @ 100A、15V 4.5V @ 258µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3-2
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OptiMOS™ 5
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 8V、15V 2700 pF @ 75 V 3.8W（Ta）、158W（Tc） 4V @ 73µA 14.8 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3-2
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OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 200 V 10V、15V 5500 pF @ 100 V 3.8W（Ta）、300W（Tc） 4.5V @ 186µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3-U01
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IPB096N03LGATMA1
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