メーカー名

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ประเภทสต็อก
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ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
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หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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GS2N7002KW

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 340mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GS2N7002KWTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 340mA(Ta) 18 pF @ 30 V 350mW(Ta) 2.5オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
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GS61004BMRXUSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61004BMRXUSA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 6V 45A(Tc) 295 pF @ 50 V 20ミリオーム @ 13.5A、6V 1.3V @ 7mA 6.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS61004BTRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61004BTRXUMA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 6V 45A(Tc) 295 pF @ 50 V 20ミリオーム @ 13.5A、6V 1.3V @ 7mA 6.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS61008PMRXUSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61008PMRXUSA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 6V 90A(Tc) 600 pF @ 50 V 9.5ミリオーム @ 27A、6V 2.6V @ 7mA 8 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C 面実装
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GS61008PTRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61008PTRXUMA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 6V 90A(Tc) 600 pF @ 50 V 9.5ミリオーム @ 27A、6V 2.6V @ 7mA 8 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C 面実装
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GS61008TMRXUSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61008TMRXUSA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 6V 90A(Tc) 590 pF @ 50 V 9.5ミリオーム @ 27A、6V 1.3V @ 7mA 12 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS61008TTRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61008TTRXUMA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 100 V 6V 90A(Tc) 590 pF @ 50 V 9.5ミリオーム @ 27A、6V 1.3V @ 7mA 12 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS66502BMRXUSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66502BMRXUSA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 7.5A(Tc) 60 pF @ 400 V 260ミリオーム @ 2.25A、6V 2.6V @ 1.75mA 1.6 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS66502BTRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66502BTRXUMA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 7.5A(Tc) 60 pF @ 400 V 260ミリオーム @ 2.25A、6V 2.6V @ 1.75mA 1.6 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS66504BMRXUSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66504BMRXUSA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 15A(Tc) 130 pF @ 400 V 130ミリオーム @ 4.5A、6V 1.3V @ 3.5mA 3 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS66504BTRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66504BTRXUMA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 15A(Tc) 130 pF @ 400 V 130ミリオーム @ 4.5A、6V 1.3V @ 3.5mA 3 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS66506TMRXUSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66506TMRXUSA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 22.5A(Tc) 195 pF @ 400 V 90ミリオーム @ 6.7A、6V 1.3V @ 5mA 4.4 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS66506TTRXUMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66506TTRXUMA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 22.5A(Tc) 195 pF @ 400 V 90ミリオーム @ 6.7A、6V 1.3V @ 5mA 4.4 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS66516BMRXUSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66516BMRXUSA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 60A(Tc) 520 pF @ 400 V 32ミリオーム @ 18A、6V 1.3V @ 14mA 12.1 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 ダイ
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GS66516BTRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66516BTRXUMA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 60A(Tc) 520 pF @ 400 V 32ミリオーム @ 18A、6V 1.3V @ 14mA 12.1 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 ダイ
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GS66516TMRXUSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66516TMRXUSA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 60A(Tc) 520 pF @ 400 V 32ミリオーム @ 18A、6V 1.3V @ 14mA 12.1 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GS66516TTRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66516TTRXUMA1-ND@0

Nチャンネル GaNFET(窒化ガリウム) 650 V 6V 60A(Tc) 520 pF @ 400 V 32ミリオーム @ 18A、6V 1.3V @ 14mA 12.1 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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GSD1623N1TRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GSD1623N1TRXUMA1-ND@0

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GSF0301

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 600mA(Tc) 310mW(Tc) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF0301CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、4.5V 600mA(Tc) 146 pF @ 15 V 310mW(Tc) 500ミリオーム @ 300mA、4.5V 1.2V @ 250µA 5.2 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523
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GSF0301

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 600mA(Tc) 310mW(Tc) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF0301TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、4.5V 600mA(Tc) 146 pF @ 15 V 310mW(Tc) 500ミリオーム @ 300mA、4.5V 1.2V @ 250µA 5.2 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523
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GSF0304

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF0304CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 4.1A(Ta) 650 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 65ミリオーム @ 4.1A、10V 2.1V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF0304

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF0304TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 4.1A(Ta) 650 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 65ミリオーム @ 4.1A、10V 2.1V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF0500AT

RoHS
   

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Nチャンネル 50 V 360mA(Ta) 150mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF0500ATTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 2.5V、10V 360mA(Ta) 27 pF @ 25 V 150mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 1.5V @ 250µA 4.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523
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GSF0500AT

RoHS
   

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Nチャンネル 50 V 360mA(Ta) 150mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF0500ATCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 50 V 2.5V、10V 360mA(Ta) 27 pF @ 25 V 150mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 1.5V @ 250µA 4.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523
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GSF2301

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 3A(Ta) 1W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF2301TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、4.5V 3A(Ta) 405 pF @ 10 V 1W(Ta) 110ミリオーム @ 3A、4.5V 1V @ 250µA 12 nC @ 2.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF2301

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 3A(Ta) 1W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF2301CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、4.5V 3A(Ta) 405 pF @ 10 V 1W(Ta) 110ミリオーム @ 3A、4.5V 1V @ 250µA 12 nC @ 2.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF2315

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 1.5A(Tc) 312mW(Tc) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF2315CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 1.5A(Tc) 510 pF @ 15 V 312mW(Tc) 90ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
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GSF2315

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 1.5A(Tc) 312mW(Tc) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF2315TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 1.5A(Tc) 510 pF @ 15 V 312mW(Tc) 90ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
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GSF3400

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5.6A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF3400TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、10V 5.6A(Ta) 535 pF @ 15 V 1.2W(Ta) 27ミリオーム @ 5.6A、10V 1.5V @ 250µA 4.8 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF3400

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5.6A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF3400CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、10V 5.6A(Ta) 535 pF @ 15 V 1.2W(Ta) 27ミリオーム @ 5.6A、10V 1.5V @ 250µA 4.8 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF3404

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5.8A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF3404TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 5.8A(Ta) 255 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 31ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF3404

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5.8A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF3404CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 5.8A(Ta) 255 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 31ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF3404B

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5.8A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF3404BTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 5.8A(Ta) 255 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 31ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
Partner Stock

GSF3404B

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5.8A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF3404BCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 5.8A(Ta) 255 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 31ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF3407

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF3407TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 4.1A(Ta) 580 pF @ 15 V 1.2W(Ta) 55ミリオーム @ 4.1A、10V 2.4V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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GSF3407

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GSF3407CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 4.1A(Ta) 580 pF @ 15 V 1.2W(Ta) 55ミリオーム @ 4.1A、10V 2.4V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23

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