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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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FQB12P20TM

RoHS
   

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Pチャンネル 200 V 11.5A(Tc) 3.13W(Ta)、120W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB12P20TMTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 10V 11.5A(Tc) 1200 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、120W(Tc) 470ミリオーム @ 5.75A、10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB12P20TM

RoHS
   

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Pチャンネル 200 V 11.5A(Tc) 3.13W(Ta)、120W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB12P20TMCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 10V 11.5A(Tc) 1200 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、120W(Tc) 470ミリオーム @ 5.75A、10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB19N20LTM

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 21A(Tc) 3.13W(Ta)、140W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB19N20LTMTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 5V、10V 21A(Tc) 2200 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、140W(Tc) 140ミリオーム @ 10.5A、10V 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB19N20LTM

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 21A(Tc) 3.13W(Ta)、140W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB19N20LTMCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 5V、10V 21A(Tc) 2200 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、140W(Tc) 140ミリオーム @ 10.5A、10V 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB19N20TM

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 19.4A(Tc) 3.13W(Ta)、140W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB19N20TMTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 10V 19.4A(Tc) 1600 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、140W(Tc) 150ミリオーム @ 9.7A、10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB19N20TM

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 19.4A(Tc) 3.13W(Ta)、140W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB19N20TMCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 10V 19.4A(Tc) 1600 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、140W(Tc) 150ミリオーム @ 9.7A、10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB22P10TM

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 22A(Tc) 3.75W(Ta)、125W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB22P10TMCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 22A(Tc) 1500 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、125W(Tc) 125ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB22P10TM

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 22A(Tc) 3.75W(Ta)、125W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB22P10TMTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 22A(Tc) 1500 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、125W(Tc) 125ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB27P06TM

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 27A(Tc) 3.75W(Ta)、120W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB27P06TMCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 27A(Tc) 1400 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、120W(Tc) 70ミリオーム @ 13.5A、10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB27P06TM

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 27A(Tc) 3.75W(Ta)、120W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB27P06TMTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 27A(Tc) 1400 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、120W(Tc) 70ミリオーム @ 13.5A、10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB33N10LTM

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 33A(Tc) 3.75W(Ta)、127W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB33N10LTMTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 5V、10V 33A(Tc) 1630 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、127W(Tc) 52ミリオーム @ 16.5A、10V 2V @ 250µA 40 nC @ 5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB34N20LTM

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 31A(Tc) 3.13W(Ta)、180W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB34N20LTMCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 5V、10V 31A(Tc) 3900 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、180W(Tc) 75ミリオーム @ 15.5A、10V 2V @ 250µA 72 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB34N20LTM

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 31A(Tc) 3.13W(Ta)、180W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB34N20LTMTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 5V、10V 31A(Tc) 3900 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、180W(Tc) 75ミリオーム @ 15.5A、10V 2V @ 250µA 72 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB34N20TM-AM002

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 31A(Tc) 3.13W(Ta)、180W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB34N20TM-AM002CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 200 V 10V 31A(Tc) 3100 pF @ 25 V 3.13W(Ta)、180W(Tc) 75ミリオーム @ 15.5A、10V 5V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB34P10TM

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 33.5A(Tc) 3.75W(Ta)、155W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB34P10TMCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 33.5A(Tc) 2910 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、155W(Tc) 60ミリオーム @ 16.75A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB34P10TM

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 33.5A(Tc) 3.75W(Ta)、155W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB34P10TMTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 33.5A(Tc) 2910 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、155W(Tc) 60ミリオーム @ 16.75A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB44N10TM

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Nチャンネル 100 V 43.5A(Tc) 3.75W(Ta)、146W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB44N10TMTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 43.5A(Tc) 1800 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、146W(Tc) 39ミリオーム @ 21.75A、10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB44N10TM

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Nチャンネル 100 V 43.5A(Tc) 3.75W(Ta)、146W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB44N10TMCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 43.5A(Tc) 1800 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、146W(Tc) 39ミリオーム @ 21.75A、10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB47P06TM-AM002

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Pチャンネル 60 V 47A(Tc) 3.75W(Ta)、160W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB47P06TM-AM002CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 47A(Tc) 3600 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、160W(Tc) 26ミリオーム @ 23.5A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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FQB47P06TM-AM002

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Pチャンネル 60 V 47A(Tc) 3.75W(Ta)、160W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FQB47P06TM-AM002TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 47A(Tc) 3600 pF @ 25 V 3.75W(Ta)、160W(Tc) 26ミリオーム @ 23.5A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)

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