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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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FF3MR12KM1HHPSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-FF3MR12KM1HHPSA1-ND@0

CoolSiC™ 1200V(1.2kV) 190A(Tc) 24200pF @ 800V 4.44ミリオーム @ 280A、18V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント AG-62MMHB
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FF3MR12KM1HOSA1
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FF3MR12KM1HPHPSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-FF3MR12KM1HPHPSA1-ND@0

CoolSiC™ 1200V(1.2kV) 220A 24200pF @ 800V 4.44ミリオーム @ 280A、18V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント AG-62MMHB
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FF3MR12KM1HSHPSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-FF3MR12KM1HSHPSA1-ND@0

CoolSiC™ 1200V(1.2kV) 24200pF @ 800V 5.1V @ 112mA 800nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント AG-62MMHB
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FF3MR12KM1PHOSA1
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FF3MR20KM1HPHPSA1
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C, CoolSiC™ 2000V(2kV) 325A(Tc) 48200pF @ 1200V 4ミリオーム @ 400A、18V 5.15V @ 224mA 1560nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C(TJ)
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FF3MR20W3M1HH11BPSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-FF3MR20W3M1HH11BPSA1-ND@0

EasyPACK™ 2000V(2kV) 275A(Tj) 5.15V @ 224mA 1560nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント
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FF3MXTR12C2M2H11BPSA1
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FF45MR12W1M1B11BOMA1
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FF45MR12W1M1PB11BPSA1
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FF4MR12W2M1HB11BPSA1
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FF4MR12W2M1HB70BPSA1
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CoolSiC™ 1200V(1.2kV) 200A 17600pF @ 800V 4ミリオーム @ 200A、18V 5.15V @ 80mA 594nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント
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CoreStaff Part Number:zp2216-448-FF4MR12W2M1HB70BPSA1-ND@0

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FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
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1200V(1.2kV)
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FF4MR20KM1HHPSA1
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2 Nチャンネル(デュアル)
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FF4MR20KM1HPHPSA1
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2 Nチャンネル(デュアル)
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FF55MR12W1M1HB11BPSA1
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CoolSiC™ 1200V(1.2kV) 15A(Tj) 1350pF @ 800V 5.15V @ 6mA 45nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント
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FF55MR12W1M1HB70BPSA1
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CoolSiC™ 1200V(1.2kV) 15A 1350pF @ 800V 20mW 5.15V @ 6mA 45nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント
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FF5MR20KM1HHPSA1
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FF5MR20KM1HPHPSA1
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CoolSiC™ 2000V(2kV) 5.15V @ 112mA 780nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント AG-62MMHB
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FF5MR20KM1HSHPSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-FF5MR20KM1HSHPSA1-ND@0

CoolSiC™ 2000V(2kV) 5.15V @ 112mA 780nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) 2 Nチャンネル(デュアル) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント AG-62MMHB
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FF6MR12KM1BOSA1
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FF6MR12KM1HHPSA1
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FF6MR12KM1HPHPSA1
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FF6MR12KM1PHOSA1
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FF6MR12W2M1B11BOMA1
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FF6MR12W2M1B70BPSA1
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1
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FF6MR12W2M1HB70BPSA1

   

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FF6MR12W2M1HB70BPSA1
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CoolSiC™ 1200V(1.2kV) 150A 13200pF @ 800V 5.15V @ 60mA 446nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント
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FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
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1200V(1.2kV) 2 Nチャンネル(デュアル)
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1
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FF6MR20W2M1HB70BPSA1
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EasyPACK™ 2000V(2kV) 160A(Tj) 8.1ミリオーム @ 160A、18V 5.15V @ 112mA 780nC @ 3V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント
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FF6MR20W2M1HQB70BPSA1
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EasyPACK™ 2000V(2kV) 160A 8.1ミリオーム @ 160A、18V 5.15V @ 112mA 780nC @ 3V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C シャーシマウント AG-EASY2B
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FF7MR12W1M1HB17BPSA1
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CoolSiC™ 1200V(1.2kV) 105A(Tj) 12100pF @ 800V 20mW 5.8ミリオーム @ 120A、18V 5.15V @ 56mA 400nC @ 18V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) -40°C~175°C(TJ) シャーシマウント AG-EASY1B
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FF800R12KE7DHPSA1
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FF8MR12W1M1HB11BPSA1
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FF8MR12W1M1HB70BPSA1
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FF8MR12W1M1HC58BPSA1
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FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1-ND@0

2 Nチャンネル(デュアル)
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FF8MR12W2M1B11BOMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-FF8MR12W2M1B11BOMA1-ND@0

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FK3P02110L

RoHS
   

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Nチャンネル 24 V 3A(Ta) 面実装 3-PMCP
CoreStaff Part Number:zp2216-FK3P02110LCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 24 V 2.5V 3A(Ta) 1500 pF @ 10 V - 20ミリオーム @ 3A、2.5V 1.4V @ 1mA ±12V 150°C(TJ) 面実装
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Nチャンネル 12 V 3.4A(Ta) 360mW(Ta) 面実装 4-CSP(0.8x0.8)
CoreStaff Part Number:zp2216-816-FK4B01100LTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 3.4A(Ta) 275 pF @ 10 V 360mW(Ta) 30ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 236µA 5.8 nC @ 4.5 V ±8V 150°C 面実装
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RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 3.4A(Ta) 360mW(Ta) 面実装 4-CSP(0.8x0.8)
CoreStaff Part Number:zp2216-816-FK4B01100LETR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 3.4A(Ta) 275 pF @ 10 V 360mW(Ta) 30ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 236µA 5.8 nC @ 4.5 V ±8V -40°C~85°C(TA) 面実装
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RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 3.4A(Ta) 360mW(Ta) 面実装 4-CSP(0.8x0.8)
CoreStaff Part Number:zp2216-816-FK4B01100LECT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 3.4A(Ta) 275 pF @ 10 V 360mW(Ta) 30ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 236µA 5.8 nC @ 4.5 V ±8V -40°C~85°C(TA) 面実装
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Nチャンネル 12 V 2.3A(Ta) 340mW(Ta) 面実装 ALGA004-W-0606-RA01
CoreStaff Part Number:zp2216-816-FK4B01110LTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 2.3A(Ta) 274 pF @ 10 V 340mW(Ta) 64ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 118µA 2.55 nC @ 4.5 V ±8V 150°C 面実装
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Nチャンネル 12 V 2.3A(Ta) 340mW(Ta) 面実装 ALGA004-W-0606-RA01
CoreStaff Part Number:zp2216-816-FK4B01110LETR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 2.3A(Ta) 274 pF @ 10 V 340mW(Ta) 64ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 118µA 2.55 nC @ 4.5 V ±8V -40°C~85°C(TA) 面実装

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