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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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FDMD84100

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V 7A 2.1W 面実装 Power 3.3x5
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMD84100CT-ND@0

100V 7A 980pF @ 50V 2.1W 20ミリオーム @ 7A、10V 4V @ 250µA 16nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2 - -55°C~150°C(TJ) 面実装 Power 3.3x5
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FDMD8560L

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 22A、93A 2.2W 面実装 8-Power5x6
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMD8560LCT-ND@0

60V 22A、93A 11130pF @ 30V 2.2W 3.2ミリオーム @ 22A、10V 3V @ 250µA 128nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-Power5x6
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FDMD86100

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V 10A 2.2W 面実装 8-Power5x6
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMD86100CT-ND@0

100V 10A 2060pF @ 50V 2.2W 10.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2 - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-Power5x6
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FDMD86100

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V 10A 2.2W 面実装 8-Power5x6
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMD86100TR-ND@0

100V 10A 2060pF @ 50V 2.2W 10.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2 - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-Power5x6
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FDME1023PZT

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 2.6A 600mW 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME1023PZTTR-ND@0

20V 2.6A 405pF @ 10V 600mW 142ミリオーム @ 2.3A、4.5V 1V @ 250µA 7.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
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FDME1023PZT

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 2.6A 600mW 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME1023PZTCT-ND@0

20V 2.6A 405pF @ 10V 600mW 142ミリオーム @ 2.3A、4.5V 1V @ 250µA 7.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
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FDME1024NZT

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 3.8A 600mW 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME1024NZTTR-ND@0

20V 3.8A 300pF @ 10V 600mW 66ミリオーム @ 3.4A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
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FDME1024NZT

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 3.8A 600mW 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME1024NZTCT-ND@0

20V 3.8A 300pF @ 10V 600mW 66ミリオーム @ 3.4A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
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FDME1034CZT

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 3.8A、2.6A 600mW 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME1034CZTFSCT-ND@0

20V 3.8A、2.6A 300pF @ 10V 600mW 66ミリオーム @ 3.4A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
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FDME1034CZT

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 3.8A、2.6A 600mW 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME1034CZTFSTR-ND@0

20V 3.8A、2.6A 300pF @ 10V 600mW 66ミリオーム @ 3.4A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-MicroFET(1.6x1.6)
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FDME510PZT

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 6A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 MicroFet 1.6x1.6薄型
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME510PZTTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.5V、4.5V 6A(Ta) 1490 pF @ 10 V 2.1W(Ta) 37ミリオーム @ 6A、4.5V 1V @ 250µA 22 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDME510PZT

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 6A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 MicroFet 1.6x1.6薄型
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME510PZTCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.5V、4.5V 6A(Ta) 1490 pF @ 10 V 2.1W(Ta) 37ミリオーム @ 6A、4.5V 1V @ 250µA 22 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDME820NZT

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 9A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 MicroFet 1.6x1.6薄型
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME820NZTTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 9A(Ta) 865 pF @ 10 V 2.1W(Ta) 18ミリオーム @ 9A、4.5V 1V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDME820NZT

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 9A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 MicroFet 1.6x1.6薄型
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME820NZTCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 9A(Ta) 865 pF @ 10 V 2.1W(Ta) 18ミリオーム @ 9A、4.5V 1V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDME905PT

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 8A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 MicroFet 1.6x1.6薄型
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME905PTFSTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.8V、4.5V 8A(Ta) 2315 pF @ 6 V 2.1W(Ta) 22ミリオーム @ 8A、4.5V 1V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDME905PT

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 8A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 MicroFet 1.6x1.6薄型
CoreStaff Part Number:zp2216-FDME905PTFSCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.8V、4.5V 8A(Ta) 2315 pF @ 6 V 2.1W(Ta) 22ミリオーム @ 8A、4.5V 1V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDML7610S

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 12A、17A 800mW、900mW 面実装 8-MLP(3x4.5)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDML7610STR-ND@0

30V 12A、17A 1750pF @ 15V 800mW、900mW 7.5ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 28nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-MLP(3x4.5)
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FDML7610S

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 12A、17A 800mW、900mW 面実装 8-MLP(3x4.5)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDML7610SCT-ND@0

30V 12A、17A 1750pF @ 15V 800mW、900mW 7.5ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 28nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-MLP(3x4.5)
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FDMQ8203

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V、80V 3.4A、2.6A 2.5W 面実装 12-MLP(5x4.5)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMQ8203TR-ND@0

100V、80V 3.4A、2.6A 210pF @ 50V、850pF @ 40V 2.5W 110ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 12-MLP(5x4.5)
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FDMQ8203

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V、80V 3.4A、2.6A 2.5W 面実装 12-MLP(5x4.5)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMQ8203CT-ND@0

100V、80V 3.4A、2.6A 210pF @ 50V、850pF @ 40V 2.5W 110ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 12-MLP(5x4.5)
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FDMQ8403

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V 3.1A 1.9W 面実装 12-MLP(5x4.5)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMQ8403CT-ND@0

100V 3.1A 215pF @ 15V 1.9W 110ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 12-MLP(5x4.5)
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FDMQ8403

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V 3.1A 1.9W 面実装 12-MLP(5x4.5)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMQ8403TR-ND@0

100V 3.1A 215pF @ 15V 1.9W 110ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 12-MLP(5x4.5)
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FDMQ86530L

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 8A 1.9W 面実装 12-MLP(5x4.5)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMQ86530LTR-ND@0

60V 8A 2295pF @ 30V 1.9W 17.5ミリオーム @ 8A、10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 12-MLP(5x4.5)
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FDMQ86530L

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 8A 1.9W 面実装 12-MLP(5x4.5)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMQ86530LCT-ND@0

60V 8A 2295pF @ 30V 1.9W 17.5ミリオーム @ 8A、10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 12-MLP(5x4.5)
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FDMS003N08C

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 22A(Ta)、147A(Tc) 2.7W(Ta)、125W(Tc) 面実装 Power56
CoreStaff Part Number:zp2216-488-FDMS003N08CTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 6V、10V 22A(Ta)、147A(Tc) 5350 pF @ 40 V 2.7W(Ta)、125W(Tc) 3.1ミリオーム @ 56A、10V 4V @ 310µA 73 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDMS003N08C

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 22A(Ta)、147A(Tc) 2.7W(Ta)、125W(Tc) 面実装 Power56
CoreStaff Part Number:zp2216-488-FDMS003N08CCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 6V、10V 22A(Ta)、147A(Tc) 5350 pF @ 40 V 2.7W(Ta)、125W(Tc) 3.1ミリオーム @ 56A、10V 4V @ 310µA 73 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDMS004N08C

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 126A(Tc) 125W(Tc) 面実装 8-PQFN(5x6)、Power56
CoreStaff Part Number:zp2216-488-FDMS004N08CCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 6V、10V 126A(Tc) 4250 pF @ 40 V 125W(Tc) 4ミリオーム @ 44A、10V 4V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDMS004N08C

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 126A(Tc) 125W(Tc) 面実装 8-PQFN(5x6)、Power56
CoreStaff Part Number:zp2216-488-FDMS004N08CTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 6V、10V 126A(Tc) 4250 pF @ 40 V 125W(Tc) 4ミリオーム @ 44A、10V 4V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装
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FDMS007N08LC

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 14A(Ta)、84A(Tc) 2.5W(Ta)、92.6W(Tc) 面実装 8-PQFN(5x6)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDMS007N08LCOSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 4.5V、10V 14A(Ta)、84A(Tc) 3100 pF @ 40 V 2.5W(Ta)、92.6W(Tc) 6.7ミリオーム @ 21A、10V 2.5V @ 120µA 46 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装

Recommended Rectifiers - FETs