FETs

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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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FDD86369-F085

RoHS

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in Japan

   

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Nチャンネル 80 V 90A(Tc) 150W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86369-F085CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 10V 90A(Tc) 2530 pF @ 40 V 150W(Tj) 7.9ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86369-F085

RoHS

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Nチャンネル 80 V 90A(Tc) 150W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86369-F085TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 10V 90A(Tc) 2530 pF @ 40 V 150W(Tj) 7.9ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86380-F085

RoHS

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Nチャンネル 80 V 50A(Tc) 75W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86380-F085CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 10V 50A(Tc) 1440 pF @ 40 V 75W(Tj) 13.5ミリオーム @ 50A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86380-F085

RoHS

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Nチャンネル 80 V 50A(Tc) 75W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86380-F085TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 10V 50A(Tc) 1440 pF @ 40 V 75W(Tj) 13.5ミリオーム @ 50A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86381-F085

RoHS

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Nチャンネル 80 V 25A(Tc) 48.4W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86381-F085CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 10V 25A(Tc) 866 pF @ 40 V 48.4W(Tj) 21ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86381-F085

RoHS

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Nチャンネル 80 V 25A(Tc) 48.4W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86381-F085TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80 V 10V 25A(Tc) 866 pF @ 40 V 48.4W(Tj) 21ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8647L

RoHS

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Nチャンネル 40 V 14A(Ta)、42A(Tc) 3.1W(Ta)、43W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8647LCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 14A(Ta)、42A(Tc) 1640 pF @ 20 V 3.1W(Ta)、43W(Tc) 9ミリオーム @ 13A、10V 3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8647L

RoHS

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Nチャンネル 40 V 14A(Ta)、42A(Tc) 3.1W(Ta)、43W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8647LTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 14A(Ta)、42A(Tc) 1640 pF @ 20 V 3.1W(Ta)、43W(Tc) 9ミリオーム @ 13A、10V 3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86540

RoHS

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Nチャンネル 60 V 21.5A(Ta)、50A(Tc) 3.1W(Ta)、127W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86540FSTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 8V、10V 21.5A(Ta)、50A(Tc) 6340 pF @ 30 V 3.1W(Ta)、127W(Tc) 4.1ミリオーム @ 21.5A、10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86540

RoHS

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Nチャンネル 60 V 21.5A(Ta)、50A(Tc) 3.1W(Ta)、127W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86540FSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 8V、10V 21.5A(Ta)、50A(Tc) 6340 pF @ 30 V 3.1W(Ta)、127W(Tc) 4.1ミリオーム @ 21.5A、10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86567-F085

RoHS

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Nチャンネル 60 V 100A(Tc) 227W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86567-F085TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 100A(Tc) 4950 pF @ 30 V 227W(Tj) 3.2ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86567-F085

RoHS

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Nチャンネル 60 V 100A(Tc) 227W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86567-F085CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 100A(Tc) 4950 pF @ 30 V 227W(Tj) 3.2ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86569-F085

RoHS

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Nチャンネル 60 V 90A(Tc) 150W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86569-F085CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 90A(Tc) 2520 pF @ 30 V 150W(Tj) 5.7ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86569-F085

RoHS

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Nチャンネル 60 V 90A(Tc) 150W(Tj) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86569-F085TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 90A(Tc) 2520 pF @ 30 V 150W(Tj) 5.7ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD86581-F085

RoHS

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 48.4W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86581-F085OSTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 25A(Tc) 880 pF @ 30 V 48.4W(Tj) 15ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK)
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FDD86581-F085

RoHS

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 48.4W(Tj) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD86581-F085OSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 25A(Tc) 880 pF @ 30 V 48.4W(Tj) 15ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK)
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FDD8770

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Nチャンネル 25 V 35A(Tc) 115W(Tc) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8770CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 4.5V、10V 35A(Tc) 3720 pF @ 13 V 115W(Tc) 4ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 73 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK)
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FDD8796

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Nチャンネル 25 V 35A(Tc) 88W(Tc) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8796CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25 V 4.5V、10V 35A(Tc) 2610 pF @ 13 V 88W(Tc) 5.7ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK)
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FDD8870

RoHS

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Nチャンネル 30 V 21A(Ta)、160A(Tc) 160W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8870FSTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 21A(Ta)、160A(Tc) 5160 pF @ 15 V 160W(Tc) 3.9ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 118 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8870

RoHS

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in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 21A(Ta)、160A(Tc) 160W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8870FSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 21A(Ta)、160A(Tc) 5160 pF @ 15 V 160W(Tc) 3.9ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 118 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8876

RoHS

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、73A(Tc) 70W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8876TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、73A(Tc) 1700 pF @ 15 V 70W(Tc) 8.2ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8876

RoHS

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in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、73A(Tc) 70W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8876CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、73A(Tc) 1700 pF @ 15 V 70W(Tc) 8.2ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8880

RoHS

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Nチャンネル 30 V 13A(Ta)、58A(Tc) 55W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8880CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 13A(Ta)、58A(Tc) 1260 pF @ 15 V 55W(Tc) 9ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8880

RoHS

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in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 13A(Ta)、58A(Tc) 55W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8880TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 13A(Ta)、58A(Tc) 1260 pF @ 15 V 55W(Tc) 9ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8882

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Nチャンネル 30 V 12.6A(Ta)、55A(Tc) 55W(Tc) 面実装 TO-252(DPAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8882CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 12.6A(Ta)、55A(Tc) 1260 pF @ 15 V 55W(Tc) 11.5ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252(DPAK)
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FDD8896

RoHS

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Nチャンネル 30 V 17A(Ta)、94A(Tc) 80W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8896TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 17A(Ta)、94A(Tc) 2525 pF @ 15 V 80W(Tc) 5.7ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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FDD8896

RoHS

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in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 17A(Ta)、94A(Tc) 80W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-FDD8896CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 17A(Ta)、94A(Tc) 2525 pF @ 15 V 80W(Tc) 5.7ミリオーム @ 35A、10V 2.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA

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