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コアスタッフ型名		 ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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EPC2044
RoHS

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Nチャンネル 100 V 9.4A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2044CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 9.4A（Ta） 664 pF @ 50 V - 10.5ミリオーム @ 10A、5V 2.5V @ 3mA 5.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2044
RoHS

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Nチャンネル 100 V 9.4A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2044TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 9.4A（Ta） 664 pF @ 50 V - 10.5ミリオーム @ 10A、5V 2.5V @ 3mA 5.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2045
RoHS

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Nチャンネル 100 V 16A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1186-2-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 16A（Ta） 685 pF @ 50 V - 7ミリオーム @ 16A、5V 2.5V @ 5mA 6.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2045
RoHS

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Nチャンネル 100 V 16A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1186-1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 16A（Ta） 685 pF @ 50 V - 7ミリオーム @ 16A、5V 2.5V @ 5mA 6.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2050
RoHS

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Nチャンネル 350 V 6.3A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2050TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 350 V 5V 6.3A（Ta） 628 pF @ 280 V - 180ミリオーム @ 6A、5V 2.5V @ 1mA 4 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2050
RoHS

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Nチャンネル 350 V 6.3A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2050CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 350 V 5V 6.3A（Ta） 628 pF @ 280 V - 180ミリオーム @ 6A、5V 2.5V @ 1mA 4 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2051
RoHS

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Nチャンネル 100 V 1.7A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1201-2-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 1.7A（Ta） 258 pF @ 50 V - 25ミリオーム @ 3A、5V 2.5V @ 1.5mA 2.1 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2051
RoHS

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Nチャンネル 100 V 1.7A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1201-1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 1.7A（Ta） 258 pF @ 50 V - 25ミリオーム @ 3A、5V 2.5V @ 1.5mA 2.1 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2052
RoHS

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Nチャンネル 100 V 8.2A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1202-2-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 8.2A（Ta） 575 pF @ 50 V - 13.5ミリオーム @ 11A、5V 2.5V @ 3mA 4.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2052
RoHS

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Nチャンネル 100 V 8.2A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1202-1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 8.2A（Ta） 575 pF @ 50 V - 13.5ミリオーム @ 11A、5V 2.5V @ 3mA 4.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2053
RoHS

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Nチャンネル 100 V 48A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1204-1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 48A（Ta） 1895 pF @ 50 V - 3.8ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 9mA 14.8 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2053
RoHS

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Nチャンネル 100 V 48A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1204-2-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 48A（Ta） 1895 pF @ 50 V - 3.8ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 9mA 14.8 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2054
RoHS

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Nチャンネル 200 V 3A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1206-1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 200 V 5V 3A（Ta） 573 pF @ 100 V - 43ミリオーム @ 1A、5V 2.5V @ 1mA 4.3 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2054
RoHS

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Nチャンネル 200 V 3A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1206-2-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 200 V 5V 3A（Ta） 573 pF @ 100 V - 43ミリオーム @ 1A、5V 2.5V @ 1mA 4.3 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2055
RoHS

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Nチャンネル 40 V 29A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2055CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V 5V 29A（Ta） 1111 pF @ 20 V - 3.6ミリオーム @ 15A、5V 2.5V @ 7mA 8.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2055
RoHS

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Nチャンネル 40 V 29A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2055TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V 5V 29A（Ta） 1111 pF @ 20 V - 3.6ミリオーム @ 15A、5V 2.5V @ 7mA 8.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2059
RoHS

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Nチャンネル 170 V 24A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2059CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 170 V 5V 24A（Ta） 836 pF @ 85 V - 9ミリオーム @ 10A、5V 2.5V @ 3mA 7.4 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2059
RoHS

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Nチャンネル 170 V 24A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2059TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 170 V 5V 24A（Ta） 836 pF @ 85 V - 9ミリオーム @ 10A、5V 2.5V @ 3mA 7.4 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2065
RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2065CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 80 V 5V 60A（Ta） 1449 pF @ 40 V - 3.6ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 7mA 12.2 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2065
RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2065TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 80 V 5V 60A（Ta） 1449 pF @ 40 V - 3.6ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 7mA 12.2 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2066
RoHS

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Nチャンネル 40 V 90A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2066CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V 5V 90A（Ta） 4523 pF @ 20 V - 1.1ミリオーム @ 50A、5V 2.5V @ 28mA 33 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2066
RoHS

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Nチャンネル 40 V 90A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2066TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V 5V 90A（Ta） 4523 pF @ 20 V - 1.1ミリオーム @ 50A、5V 2.5V @ 28mA 33 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2067
RoHS

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Nチャンネル 40 V 69A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2067TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V 5V 69A（Ta） 3267 pF @ 20 V 1.55ミリオーム @ 37A、5V 2.5V @ 18mA 22.3 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2067
RoHS

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Nチャンネル 40 V 69A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2067CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V 5V 69A（Ta） 3267 pF @ 20 V 1.55ミリオーム @ 37A、5V 2.5V @ 18mA 22.3 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2069
RoHS

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Nチャンネル 40 V
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2069TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V - - - - - +6V、-4V - - -
他社在庫

EPC2069
RoHS

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Nチャンネル 40 V
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2069CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 40 V - - - - - +6V、-4V - - -
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EPC2070
RoHS

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Nチャンネル 100 V 1.7A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2070TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 1.7A（Ta） 386 pF @ 50 V - 23ミリオーム @ 3A、5V 2.5V @ 1.5mA 2.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2070
RoHS

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Nチャンネル 100 V 1.7A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2070CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 1.7A（Ta） 386 pF @ 50 V - 23ミリオーム @ 3A、5V 2.5V @ 1.5mA 2.5 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2071
RoHS

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Nチャンネル 100 V 64A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2071CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 64A（Ta） 3931 pF @ 50 V - 2.2ミリオーム @ 30A、5V 2.5V @ 13mA 26 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2071
RoHS

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Nチャンネル 100 V 64A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2071TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル GaNFET（窒化ガリウム） 100 V 5V 64A（Ta） 3931 pF @ 50 V - 2.2ミリオーム @ 30A、5V 2.5V @ 13mA 26 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2088
RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2088CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 5V 60A（Ta） 2703 pF @ 50 V - 3.2ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 7mA 17.8 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
他社在庫

EPC2088
RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-EPC2088TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 5V 60A（Ta） 2703 pF @ 50 V - 3.2ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 7mA 17.8 nC @ 5 V +6V、-4V -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ
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EPC2100
RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 10A（Ta）、40A（Ta） 面実装 ダイ
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-917-1180-1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 10A（Ta）、40A（Ta） 475pF @ 15V、1960pF @ 15V - 8.2ミリオーム @ 25A、5V、2.1ミリオーム @ 25A、5V 2.5V @ 4mA、2.5V @ 16mA 4.9nC @ 15V、19nC @ 15V GaNFET（窒化ガリウム） Nチャンネル2個（ハーフブリッジ） - -40°C～150°C（TJ） 面実装 ダイ

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