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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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DMP10H4D2S-13

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 270mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP10H4D2S-13TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 4V、10V 270mA(Ta) 87 pF @ 25 V 380mW(Ta) 4.2オーム @ 500mA、10V 3V @ 250µA 1.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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DMP10H4D2S-7

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 270mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP10H4D2S-7DITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 4V、10V 270mA(Ta) 87 pF @ 25 V 380mW(Ta) 4.2オーム @ 500mA、10V 3V @ 250µA 1.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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DMP10H4D2S-7

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 270mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP10H4D2S-7DICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 4V、10V 270mA(Ta) 87 pF @ 25 V 380mW(Ta) 4.2オーム @ 500mA、10V 3V @ 250µA 1.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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DMP10H4D2SQ-13

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 270mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP10H4D2SQ-13TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 4V、10V 270mA(Ta) 87 pF @ 25 V 380mW(Ta) 4.2オーム @ 500mA、10V 3V @ 250µA 1.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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DMP10H4D2SQ-7

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 270mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP10H4D2SQ-7TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 4V、10V 270mA(Ta) 87 pF @ 25 V 380mW(Ta) 4.2オーム @ 500mA、10V 3V @ 250µA 1.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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DMP1100UCB4-7

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 2.5A(Ta) 670mW(Ta) 面実装 X2-WLB0808-4
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP1100UCB4-7DICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.3V、4.5V 2.5A(Ta) 820 pF @ 6 V 670mW(Ta) 83ミリオーム @ 3A、 4.5V 800mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-WLB0808-4
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DMP1100UCB4-7

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 2.5A(Ta) 670mW(Ta) 面実装 X2-WLB0808-4
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP1100UCB4-7DITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.3V、4.5V 2.5A(Ta) 820 pF @ 6 V 670mW(Ta) 83ミリオーム @ 3A、 4.5V 800mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-WLB0808-4
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DMP1200UFR4-7

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 2A(Ta) 480mW(Ta) 面実装 X2-DFN1010-3
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP1200UFR4-7DICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 2A(Ta) 514 pF @ 5 V 480mW(Ta) 100ミリオーム @ 2A、4.5V 1V @ 250µA 5.8 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1010-3
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DMP1200UFR4-7

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 2A(Ta) 480mW(Ta) 面実装 X2-DFN1010-3
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP1200UFR4-7DITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 2A(Ta) 514 pF @ 5 V 480mW(Ta) 100ミリオーム @ 2A、4.5V 1V @ 250µA 5.8 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1010-3
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DMP1245UFCL-7

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 6.6A(Ta) 613mW(Ta) 面実装 X1-DFN1616-6(タイプE)
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP1245UFCL-7DICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 6.6A(Ta) 1357.4 pF @ 10 V 613mW(Ta) 29ミリオーム @ 4A、4.5V 950mV @ 250µA 26.1 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X1-DFN1616-6(タイプE)
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DMP1245UFCL-7

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 6.6A(Ta) 613mW(Ta) 面実装 X1-DFN1616-6(タイプE)
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP1245UFCL-7DITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 6.6A(Ta) 1357.4 pF @ 10 V 613mW(Ta) 29ミリオーム @ 4A、4.5V 950mV @ 250µA 26.1 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X1-DFN1616-6(タイプE)
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DMP1555UFA-7B

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 200mA(Ta) 360mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-3
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP1555UFA-7BDITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 200mA(Ta) 55.4 pF @ 10 V 360mW(Ta) 800ミリオーム @ 200mA、4.5V 1V @ 250µA 0.84 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-3
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DMP1555UFA-7B

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 200mA(Ta) 360mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-3
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP1555UFA-7BDICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.5V、4.5V 200mA(Ta) 55.4 pF @ 10 V 360mW(Ta) 800ミリオーム @ 200mA、4.5V 1V @ 250µA 0.84 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-3
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DMP2002UPS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 60A(Tc) 2.3W(Ta) 面実装 PowerDI5060-8(タイプK)
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2002UPS-13DICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、10V 60A(Tc) 12826 pF @ 10 V 2.3W(Ta) 1.9ミリオーム @ 25A、10V 1.4V @ 250µA 585 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI5060-8(タイプK)
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DMP2002UPS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 60A(Tc) 2.3W(Ta) 面実装 PowerDI5060-8(タイプK)
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2002UPS-13DITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、10V 60A(Tc) 12826 pF @ 10 V 2.3W(Ta) 1.9ミリオーム @ 25A、10V 1.4V @ 250µA 585 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI5060-8(タイプK)
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DMP2003UPS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 150A(Tc) 1.4W 面実装 PowerDI5060-8
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2003UPS-13DICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、10V 150A(Tc) 8352 pF @ 10 V 1.4W 2.2ミリオーム @ 25A、10V 1.4V @ 250µA 177 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI5060-8
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DMP2003UPS-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 150A(Tc) 1.4W 面実装 PowerDI5060-8
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2003UPS-13DITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、10V 150A(Tc) 8352 pF @ 10 V 1.4W 2.2ミリオーム @ 25A、10V 1.4V @ 250µA 177 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI5060-8
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DMP2004DMK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 550mA 500mW 面実装 SOT-26
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2004DMK-7TR-ND@0

20V 550mA 175pF @ 16V 500mW 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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DMP2004DMK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 550mA 500mW 面実装 SOT-26
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2004DMK-7CT-ND@0

20V 550mA 175pF @ 16V 500mW 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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DMP2004DWK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 430mA 250mW 面実装 SOT-363
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2004DWK-7CT-ND@0

20V 430mA 175pF @ 16V 250mW 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -65°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMP2004DWK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 430mA 250mW 面実装 SOT-363
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2004DWK-7TR-ND@0

20V 430mA 175pF @ 16V 250mW 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -65°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMP2004K-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 600mA(Ta) 550mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2004KDICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 600mA(Ta) 175 pF @ 16 V 550mW(Ta) 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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DMP2004K-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 600mA(Ta) 550mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2004KDITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 600mA(Ta) 175 pF @ 16 V 550mW(Ta) 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
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DMP2004TK-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 430mA(Ta) 150mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2004TKDITR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 430mA(Ta) 175 pF @ 16 V 150mW(Ta) 1.1オーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523
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DMP2004TK-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 430mA(Ta) 150mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2004TKDICT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 430mA(Ta) 175 pF @ 16 V 150mW(Ta) 1.1オーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523
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DMP2004UFG-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 115A(Tc) 1W(Ta) 面実装 POWERDI3333-8
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2004UFG-13-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、10V 115A(Tc) 3840 pF @ 10 V 1W(Ta) 3ミリオーム @ 15A、10V 1.1V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 POWERDI3333-8
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DMP2004UFG-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 115A(Tc) 1W(Ta)、52W(Tc) 面実装 POWERDI3333-8
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2004UFG-7-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、10V 115A(Tc) 3840 pF @ 10 V 1W(Ta)、52W(Tc) 3ミリオーム @ 15A、10V 1.1V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 POWERDI3333-8
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DMP2004VK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 530mA 400mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2004VKDICT-ND@0

20V 530mA 175pF @ 16V 400mW 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -65°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMP2004VK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 530mA 400mW 面実装 SOT-563
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2004VKDITR-ND@0

20V 530mA 175pF @ 16V 400mW 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -65°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMP2004WK-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 400mA(Ta) 250mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2004WK-7TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 400mA(Ta) 175 pF @ 16 V 250mW(Ta) 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
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DMP2004WK-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 400mA(Ta) 250mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2004WK-7CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 400mA(Ta) 175 pF @ 16 V 250mW(Ta) 900ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
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DMP2005UFG-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 89A(Tc) 2.2W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2005UFG-13CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 89A(Tc) 4670 pF @ 10 V 2.2W(Ta) 4ミリオーム @ 15A、4.5V 900mV @ 250µA 125 nC @ 10 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMP2005UFG-13

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 89A(Tc) 2.2W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8
CoreStaff Part Number:zp2216-31-DMP2005UFG-13TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 89A(Tc) 4670 pF @ 10 V 2.2W(Ta) 4ミリオーム @ 15A、4.5V 900mV @ 250µA 125 nC @ 10 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMP2005UFG-7

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 89A(Tc) 2.2W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8
CoreStaff Part Number:zp2216-DMP2005UFG-7-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 89A(Tc) 4670 pF @ 10 V 2.2W(Ta) 4ミリオーム @ 15A、4.5V 900mV @ 250µA 125 nC @ 10 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8

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