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核友管理編號		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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HEXFET® Pチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 10V 18A（Tc） 650 pF @ 25 V 57W（Tc） 110ミリオーム @ 9.6A、10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252AA (DPAK)
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V 100A（Tc） 5171 pF @ 25 V 163W（Tc） 1.98ミリオーム @ 90A、10V 3.9V @ 100µA 155 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-252AA (DPAK)
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V 100A（Tc） 5171 pF @ 25 V 163W（Tc） 1.98ミリオーム @ 90A、10V 3.9V @ 100µA 155 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-252AA (DPAK)
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 75 V 10V 80A（Tc） 3070 pF @ 50 V 140W（Tc） 9ミリオーム @ 46A、10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 75 V 10V 80A（Tc） 3070 pF @ 50 V 140W（Tc） 9ミリオーム @ 46A、10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60 V 10V 43A（Tc） 1150 pF @ 50 V 71W（Tc） 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3
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