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Search Results：77401～  /   Part Number：  /   Stock Type：ALL  /   Quantity：0PCS~

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Date Code		 ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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ADP61075W3-LWH
STMICROELECTRONICS

   

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MOSFET - アレイ
CoreStaff Part Number：zp2216-497-ADP61075W3-LWH-ND@0

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AIMBF170R1K0M1XTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-AIMBF170R1K0M1XTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1700 V 7.4A（Tc） 105W（Tc） 5.7V @ 1.1mA 14 nC @ 10 V +23V、-10V -55°C～175°C 面実装
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AIMBF170R450M1XTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-AIMBF170R450M1XTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1700 V 15A（Tc） 142W（Tc） 5.7V @ 2.5mA +23V、-10V -55°C～175°C 面実装
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AIMBF170R650M1XTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-AIMBF170R650M1XTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1700 V 11.2A（Tc） 118W（Tc） 5.7V @ 1.7mA +23V、-10V -55°C～175°C 面実装
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AIMBG120R010M1XTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-AIMBG120R010M1XTMA1-ND@0

18V、20V 205A（Tc） 5703 pF @ 800 V 11.3ミリオーム @ 93A、20V 5.1V @ 30mA 178 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ）
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AIMBG120R020M1XTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-AIMBG120R020M1XTMA1-ND@0

CoolSiC™ SiCFET（炭化ケイ素） 468W（Tc） 25ミリオーム @ 43A、20V
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AIMBG120R030M1XTMA1
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CoolSiC™ SiCFET（炭化ケイ素） 38ミリオーム @ 27A、20V
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AIMBG120R040M1XTMA1
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18V、20V 54A（Tc） 1264 pF @ 800 V 268W（Tc） 50ミリオーム @ 20A、20V 5.1V @ 6.4mA 43 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ）
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AIMBG120R060M1XTMA1
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CoolSiC™ SiCFET（炭化ケイ素） 75ミリオーム @ 13A、20V
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AIMBG120R080M1XTMA1
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18V、20V 30.6A（Tc） 671 pF @ 800 V 168W（Tc） 100ミリオーム @ 10A、20V 5.1V @ 3.3mA 24 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ）
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AIMBG120R120M1XTMA1
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CoreStaff Part Number：zp2216-AIMBG120R120M1XTMA1-ND@0

CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 18V、20V 22A（Tc） 458 pF @ 800 V 130W（Tc） 150ミリオーム @ 7A、20V 5.1V @ 2.2mA 18 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMBG120R160M1XTMA1
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CoolSiC™ SiCFET（炭化ケイ素） 200ミリオーム @ 5A、20V
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AIMBG75R011M2HXTMA1
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AIMBG75R016M1HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 98A（Tc） 2869 pF @ 500 V 384W（Tc） 15ミリオーム @ 41.5A、20V 5.6V @ 14.9mA 81 nC @ 18 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMBG75R016M2HXTMA1
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AIMBG75R020M1HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 81A（Tc） 2326 pF @ 500 V 326W（Tc） 18ミリオーム @ 34.1A、20V 5.6V @ 12.2mA 70 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMBG75R020M2HXTMA1
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 79A（Tc） 282W（Tc） 59 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMBG75R027M1HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 64A（Tc） 1668 pF @ 500 V 273W（Tc） 25ミリオーム @ 24.5A、20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMBG75R040M1HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 47A（Tc） 1135 pF @ 500 V 211W（Tc） 37ミリオーム @ 16.6A、20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMBG75R060M1HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 34A（Tc） 779 pF @ 500 V 167W（Tc） 55ミリオーム @ 11.1A、20V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMBG75R090M1HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 24A（Tc） 542 pF @ 500 V 128W（Tc） 83ミリオーム @ 7.4A、20V 5.6V @ 2.6mA 15 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMBG75R140M1HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 17A（Tc） 351 pF @ 500 V 100W（Tc） 129ミリオーム @ 4.7A、20V 5.6V @ 1.7mA 12 nC @ 18 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMCQ120R020M1TXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 18V、20V 116A（Tc） 2667 pF @ 800 V 577W（Tc） 25ミリオーム @ 43A、20V 5.1V @ 13.7mA 82 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMCQ120R030M1TXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 18V、20V 78A（Tc） 1738 pF @ 800 V 417W（Tc） 38ミリオーム @ 27A、20V 5.1V @ 8.6mA 57 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMCQ120R040M1TXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 18V、20V 61A（Tc） 1264 pF @ 800 V 341W（Tc） 50ミリオーム @ 20A、20V 5.1V @ 6.4mA 43 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMCQ120R060M1TXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 18V、20V 44A（Tc） 880 pF @ 800 V 259W（Tc） 75ミリオーム @ 13A、20V 5.1V @ 4.3mA 32 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMCQ120R080M1TXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 18V、20V 34A（Tc） 671 pF @ 800 V 211W（Tc） 100ミリオーム @ 10A、20V 5.1V @ 3.3mA 24 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMCQ120R120M1TXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 18V、20V 24A（Tc） 458 pF @ 800 V 161W（Tc） 150ミリオーム @ 7A、20V 5.1V @ 2.2mA 18 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMCQ120R160M1TXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200 V 18V、20V 18.6A（Tc） 350 pF @ 800 V 125W（Tc） 200ミリオーム @ 5A、20V 5.1V @ 1.5mA 14 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R004M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装
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AIMDQ75R007M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 220A（Tc） 789W（Tc） 164 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装
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AIMDQ75R008M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 173A（Tc） 6135 pF @ 500 V 625W（Tc） 10.6ミリオーム @ 90.3A、18V 5.6V @ 32.4mA 178 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R011M2HXTMA1
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Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 555W（Tc） 106 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装
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AIMDQ75R016M1HXUMA1
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AIMDQ75R016M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 103A（Tc） 2577 pF @ 500 V 394W（Tc） 5.6V @ 12.3mA 74 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R020M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 81A（Tj） 2217 pF @ 500 V 326W（Tc） 18ミリオーム @ 32.5A、20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R020M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 86A（Tc） 340W（Tc） 59 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装
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AIMDQ75R025M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 70A（Tc） 1729 pF @ 500 V 272W（Tc） 5.6V @ 8.1mA 49 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R027M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 64A（Tj） 1668 pF @ 500 V 273W（Tc） 25ミリオーム @ 24.5A、20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R033M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 53A（Tc） 217W（Tc） 37 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装
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AIMDQ75R040M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 47A（Tc） 1135 pF @ 500 V 211W（Tc） 37ミリオーム @ 16.6A、20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R040M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 840 V 15V、20V 45A（Tc） 182W（Tc） 30 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装
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AIMDQ75R050M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 36A（Tc） 148W（Tc） 24 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C 面実装
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AIMDQ75R060M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 34A（Tc） 779 pF @ 500 V 167W（Tc） 78ミリオーム @ 11.1A、18V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R060M2HXTMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 30A（Tc） 716 pF @ 500 V 128W（Tc） 5.6V @ 3mA 20 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R090M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 24A（Tj） 542 pF @ 500 V 128W（Tc） 83ミリオーム @ 7.4A、20V 5.6V @ 2.6mA 15 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMDQ75R140M1HXUMA1
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CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750 V 15V、20V 17A（Tc） 351 pF @ 500 V 100W（Tc） 129ミリオーム @ 4.7A、20V 5.6V @ 1.7mA 12 nC @ 18 V +25V、-10V -55°C～175°C（TJ） 面実装
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AIMW120R035M1HXKSA1
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AIMW120R045M1XKSA1
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AIMW120R060M1HXKSA1
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