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ประเภทสต็อก อันดับซัพพลายเออร์	ที่ตั้งสต็อกสินค้า	หมายเลขชิ้นส่วน / ผู้ผลิต / More information	จำนวน	เดทโค้ด / Date Code	ขั้นต่ำ / หลายรายการ	ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า	คำอธิบาย / หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ	メーカー名	シリーズ	FETタイプ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	使用温度範囲	用途	取り付けタイプ	デバイスパッケージ	技術
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7606TRPBF INFINEON	19			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141269	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	3.6A(TA)	520 pF @ 25 V	1.8W（Ta）	90ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	Micro8?
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7607TRPBF INFINEON	100			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141270	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20V	2.5V、4.5V	6.5A(TA)	1310 pF @ 15 V	1.8W（Ta）	30ミリオーム @ 6.5A、4.5V	1.2V @ 250µA	22 nC @ 5 V	±12V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	Micro8?
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7665S2TRPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141271	Infineon Technologies		Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	4.1A(TA)、14.4A(Tc)	515 pF @ 25 V	2.4W（Ta）、30W（Tc）	62ミリオーム @ 8.9A、10V	5V @ 25µA	13 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DIRECTFET SB
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7726TRPBF INFINEON	44			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141272	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	7A(TA)	2204 pF @ 25 V	1.79W（Ta）	26ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 250µA	69 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	Micro8?
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7726TRPBF INFINEON	439	11+	MOQ : 439 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76377452	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	7A(TA)	2204 pF @ 25 V	1.79W（Ta）	26ミリオーム @ 7A、10V	2.5V @ 250µA	69 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	Micro8?
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7739L1TRPBF INFINEON	2,987	18+	MOQ : 100 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76540626	Infineon Technologies		Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	10 V	46A(TA)、270A(Tc)	11880 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、125W（Tc）	1ミリオーム @ 160A、10V	4V @ 250µA	330 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7739L1TRPBF INFINEON	16,000			Approx. 8 days	CoreStaff Part Number：st73307687	Infineon Technologies		Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	10 V	46A(TA)、270A(Tc)	11880 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、125W（Tc）	1ミリオーム @ 160A、10V	4V @ 250µA	330 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7739L2TRPBF INFINEON	2,696			Approx. 8 days	CoreStaff Part Number：st73307688	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	10 V	46A(TA)、375A(Tc)	11880 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、125W（Tc）	1ミリオーム @ 160A、10V	4V @ 250µA	330 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7749L1TRPBF INFINEON	4,000	22+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76497488	Infineon Technologies	Trench Mosfet	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60V	10 V	33A(TA)、200A(Tc)	12320 pF @ 25 V	3.3W（Ta）、125W（Tc）	1.5ミリオーム @ 120A、10V	4V @ 250µA	300 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7759L2TRPBF INFINEON	15,111	23+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078871	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	75V	10 V	26A(TA)、375A(Tc)	12222 pF @ 25 V	3.3W（Ta）、125W（Tc）	2.3ミリオーム @ 96A、10V	4V @ 250µA	300 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7769L1TRPBF INFINEON	776	22+	MOQ : 200 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76511893	Infineon Technologies	Trench Mosfet	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	20A(TA)、124A(Tc)	11560 pF @ 25 V	3.3W（Ta）、125W（Tc）	3.5ミリオーム @ 74A、10V	4V @ 250µA	300 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7779L2TRPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141273	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10 V	67A(Tc)	6660 pF @ 25 V	3.3W（Ta）、125W（Tc）	11ミリオーム @ 40A、10V	5V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7779L2TRPBF INFINEON	8,170	22/23+	MOQ : 100 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76552568	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10 V	67A(Tc)	6660 pF @ 25 V	3.3W（Ta）、125W（Tc）	11ミリオーム @ 40A、10V	5V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7780MTRPBF INFINEON	11,375	1722+		Approx. 4 days	CoreStaff Part Number：st74840153	Infineon Technologies	StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	75V	6V、10V	89A(Tc)	6504 pF @ 25 V	96W（Tc）	5.7ミリオーム @ 53A、10V	3.7V @ 150µA	186 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	DirectFET? Isometric ME
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7799L2TRPBF INFINEON	3			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141274	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	250V	10 V	35A(Tc)	6714 pF @ 25 V	4.3W（Ta）、125W（Tc）	38ミリオーム @ 21A、10V	5V @ 250µA	165 nC @ 10 V	±30V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7805TRPBF INFINEON	30			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141275	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5 V	13A(TA)		2.5W（Ta）	11ミリオーム @ 7A、4.5V	3V @ 250µA	31 nC @ 5 V	±12V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7805ZTRPBF INFINEON	60			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141276	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	16A(TA)	2080 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	6.8ミリオーム @ 16A、10V	2.25V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7807TRPBF INFINEON	27			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141277	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5 V	8.3A(TA)		2.5W（Ta）	25ミリオーム @ 7A、4.5V	1V @ 250µA	17 nC @ 5 V	±12V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7807ZTRPBF INFINEON	4			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141278	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	11A(TA)	770 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	13.8ミリオーム @ 11A、10V	2.25V @ 250µA	11 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7815TRPBF INFINEON	22,243	22/23+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76498222	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10 V	5.1A(TA)	1647 pF @ 75 V	2.5W（Ta）	43ミリオーム @ 3.1A、10V	5V @ 100µA	38 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7820TRPBF INFINEON	15,482	23+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078872	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10 V	3.7A(TA)	1750 pF @ 100 V	2.5W（Ta）	78ミリオーム @ 2.2A、10V	5V @ 100µA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SOIC
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7820TRPBF INFINEON	7,815	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76576912	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10 V	3.7A(TA)	1750 pF @ 100 V	2.5W（Ta）	78ミリオーム @ 2.2A、10V	5V @ 100µA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SOIC
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7831TRPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141279	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	21A(TA)	6240 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	3.6ミリオーム @ 20A、10V	2.35V @ 250µA	60 nC @ 4.5 V	±12V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7832TRPBF INFINEON	165			Approx. 8 days	CoreStaff Part Number：st73307691	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	20A(TA)	4310 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	4ミリオーム @ 20A、10V	2.32V @ 250µA	51 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～155°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7832TRPBF INFINEON	608	21+	MOQ : 608 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76412934	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	20A(TA)	4310 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	4ミリオーム @ 20A、10V	2.32V @ 250µA	51 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～155°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7832TRPBF INFINEON	26			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141280	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	20A(TA)	4310 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	4ミリオーム @ 20A、10V	2.32V @ 250µA	51 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～155°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF7832TRPBF INFINEON	20,770	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404432	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	20A(TA)	4310 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	4ミリオーム @ 20A、10V	2.32V @ 250µA	51 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～155°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7842TRPBF INFINEON	15,600	20+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361769	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	18A(TA)	4500 pF @ 20 V	2.5W（Ta）	5ミリオーム @ 17A、10V	2.25V @ 250µA	50 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7842TRPBF INFINEON	6	201723		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st69527300	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	18A(TA)	4500 pF @ 20 V	2.5W（Ta）	5ミリオーム @ 17A、10V	2.25V @ 250µA	50 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7842TRPBF INFINEON	4,000	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76424064	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	18A(TA)	4500 pF @ 20 V	2.5W（Ta）	5ミリオーム @ 17A、10V	2.25V @ 250µA	50 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7842TRPBF INFINEON	11,045	25+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st73655161	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	18A(TA)	4500 pF @ 20 V	2.5W（Ta）	5ミリオーム @ 17A、10V	2.25V @ 250µA	50 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7853TRPBF INFINEON	2			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141281	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	8.3A(TA)	1640 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	18ミリオーム @ 8.3A、10V	4.9V @ 100µA	39 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7853TRPBF INFINEON	2,594	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078873	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	8.3A(TA)	1640 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	18ミリオーム @ 8.3A、10V	4.9V @ 100µA	39 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	8,000	N/A	MOQ : 4,000 SPQ : 4,000	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681688	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	8.3A(TA)	1640 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	18ミリオーム @ 8.3A、10V	4.9V @ 100µA	39 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7855TRPBF INFINEON	1			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141282	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60V	10 V	12A(TA)	1560 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	9.4ミリオーム @ 12A、10V	4.9V @ 100µA	39 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7855TRPBF INFINEON	4,715	22+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76421971	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60V	10 V	12A(TA)	1560 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	9.4ミリオーム @ 12A、10V	4.9V @ 100µA	39 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7855TRPBF INFINEON	3,608	25+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078874	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60V	10 V	12A(TA)	1560 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	9.4ミリオーム @ 12A、10V	4.9V @ 100µA	39 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7862TRPBF INFINEON	31,264	22+	MOQ : 2,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76394516	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	21A(TA)	4090 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	3.7ミリオーム @ 20A、10V	2.35V @ 100µA	45 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF7862TRPBF INFINEON	12,000	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404436	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	21A(TA)	4090 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	3.7ミリオーム @ 20A、10V	2.35V @ 100µA	45 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7904TRPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141283
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7905TRPBF INFINEON	30			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141284
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7910TRPBF INFINEON	5			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141285	Infineon Technologies	HEXFET®	12V	10A	1730pF @ 6V	2W	15ミリオーム @ 8A、4.5V	2V @ 250μA	26nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF8010PBF INFINEON	5,321	17+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361770	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	80A(Tc)	3830 pF @ 25 V	260W（Tc）	15ミリオーム @ 45A、10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール	TO-220AB
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF8010PBF INFINEON	64			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141286	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	80A(Tc)	3830 pF @ 25 V	260W（Tc）	15ミリオーム @ 45A、10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール	TO-220AB
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF8010PBF INFINEON	8,710	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404439	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	80A(Tc)	3830 pF @ 25 V	260W（Tc）	15ミリオーム @ 45A、10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール	TO-220AB
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF8010PBF INFINEON	7,000	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76449601	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	80A(Tc)	3830 pF @ 25 V	260W（Tc）	15ミリオーム @ 45A、10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		スルーホール	TO-220AB
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF8010STRLPBF INFINEON	5			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141287	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	80A(Tc)	3830 pF @ 25 V	260W（Tc）	15ミリオーム @ 45A、10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF8010STRLPBF INFINEON	12,000	22+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76477658	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	80A(Tc)	3830 pF @ 25 V	260W（Tc）	15ミリオーム @ 45A、10V	4V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)		面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF8113TRPBF INFINEON	373			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141288	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	17.2A(TA)	2910 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	5.6ミリオーム @ 17.2A、10V	2.2V @ 250µA	36 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF8113TRPBF INFINEON	7,980	23+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078875	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	17.2A(TA)	2910 pF @ 15 V	2.5W（Ta）	5.6ミリオーム @ 17.2A、10V	2.2V @ 250µA	36 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO