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ประเภทสต็อก อันดับซัพพลายเออร์	ที่ตั้งสต็อกสินค้า	หมายเลขชิ้นส่วน / ผู้ผลิต / More information	จำนวน	เดทโค้ด / Date Code	ขั้นต่ำ / หลายรายการ	ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า	คำอธิบาย / หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ	メーカー名	シリーズ	FETタイプ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	使用温度範囲	用途	取り付けタイプ	デバイスパッケージ	技術
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6665TRPBF INFINEON	2,929			Approx. 8 days	CoreStaff Part Number：st73307672	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10 V	4.2A(TA)、19A(Tc)	530 pF @ 25 V	2.2W（Ta）、42W（Tc）	62ミリオーム @ 5A、10V	5V @ 250µA	13 nC @ 10 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? SH
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6668TRPBF INFINEON	14,400	17+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361761	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80V	10 V	55A(Tc)	1320 pF @ 25 V	2.8W（Ta）、89W（Tc）	15ミリオーム @ 12A、10V	4.9V @ 100µA	31 nC @ 10 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MZ
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6678 INFINEON	20			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141219	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	30A(TA)、150A(Tc)	5640 pF @ 15 V	2.8W（Ta）、89W（Tc）	2.2ミリオーム @ 30A、10V	2.25V @ 250µA	65 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MX
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6712STRPBF INFINEON	644			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141220	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25V	4.5V、10V	17A(TA)、68A(Tc)	1570 pF @ 13 V	2.2W（Ta）、36W（Tc）	4.9ミリオーム @ 17A、10V	2.4V @ 50µA	18 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? SQ
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6714MTRPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141221	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25V	4.5V、10V	29A(TA)、166A(Tc)	3890 pF @ 13 V	2.8W（Ta）、89W（Tc）	2.1ミリオーム @ 29A、10V	2.4V @ 100µA	44 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET™ MX
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6715MTRPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141222	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25V	4.5V、10V	34A(TA)、180A(Tc)	5340 pF @ 13 V	2.8W（Ta）、78W（Tc）	1.6ミリオーム @ 34A、10V	2.4V @ 100µA	59 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MX
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF6716MTRPBF INFINEON	4,800	17+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76482352	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25V	4.5V、10V	39A(TA)、180A(Tc)	5150 pF @ 13 V	3.6W（Ta）、78W（Tc）	1.6ミリオーム @ 40A、10V	2.4V @ 100µA	59 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET™ MX
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF6717MTRPBF INFINEON	6,267	22/23+	MOQ : 100 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76531117	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25V	4.5V、10V	38A(TA)、200A(Tc)	6750 pF @ 13 V	2.8W（Ta）、96W（Tc）	1.25ミリオーム @ 38A、10V	2.35V @ 150µA	69 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MX
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6727MTRPBF INFINEON	253			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141223	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	32A(TA)、180A(Tc)	6190 pF @ 15 V	2.8W（Ta）、89W（Tc）	1.7ミリオーム @ 32A、10V	2.35V @ 100µA	74 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MX
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6775MTRPBF INFINEON	8,000	18+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361762	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10 V	4.9A(TA)、28A(Tc)	1411 pF @ 25 V	2.8W（Ta）、89W（Tc）	56ミリオーム @ 5.6A、10V	5V @ 100µA	36 nC @ 10 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MZ
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6775MTRPBF INFINEON	9,600	25+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078866	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10 V	4.9A(TA)、28A(Tc)	1411 pF @ 25 V	2.8W（Ta）、89W（Tc）	56ミリオーム @ 5.6A、10V	5V @ 100µA	36 nC @ 10 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MZ
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6775MTRPBF INFINEON	180			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141224	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10 V	4.9A(TA)、28A(Tc)	1411 pF @ 25 V	2.8W（Ta）、89W（Tc）	56ミリオーム @ 5.6A、10V	5V @ 100µA	36 nC @ 10 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MZ
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF6785MTRPBF INFINEON	4,800	22/25+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76437921	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10 V	3.4A(TA)、19A(Tc)	1500 pF @ 25 V	2.8W（Ta）、57W（Tc）	100ミリオーム @ 4.2A、10V	5V @ 100µA	36 nC @ 10 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MZ
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6794MTR1PBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141225	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25V	4.5V、10V	32A(TA)、200A(Tc)	4420 pF @ 13 V	2.8W（Ta）、100W（Tc）	1.7ミリオーム @ 32A、10V	2.35V @ 100µA	47 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MX
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF6795MTRPBF INFINEON	427			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141226	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25V	4.5V、10V	32A(TA)、160A(Tc)	4280 pF @ 13 V	2.8W（Ta）、75W（Tc）	1.8ミリオーム @ 32A、10V	2.35V @ 100µA	53 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET™ MX
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF6894MTRPBF INFINEON	1,363	20+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76497487	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	25V	4.5V、10V	32A(TA)、160A(Tc)	4160 pF @ 13 V	2.1W（Ta）、54W（Tc）	1.3ミリオーム @ 33A、10V	2.1V @ 100µA	39 nC @ 4.5 V	±16V	-40°C～150°C(TJ)		面実装	DIRECTFET? MX
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7103TRPBF INFINEON	4,170	23+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75024094	Infineon Technologies	HEXFET®	50V	3A	290pF @ 25V	2W	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250μA	30nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7103TRPBF INFINEON	2,585	22/23+	MOQ : 2,585 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76367816	Infineon Technologies	HEXFET®	50V	3A	290pF @ 25V	2W	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250μA	30nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed	Supplier Stock	IRF7103TRPBF INFINEON	5,300	24+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st60358464	Infineon Technologies	HEXFET®	50V	3A	290pF @ 25V	2W	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250μA	30nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7103TRPBF INFINEON	23			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141227	Infineon Technologies	HEXFET®	50V	3A	290pF @ 25V	2W	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250μA	30nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	28,000	N/A	MOQ : 4,000 SPQ : 4,000	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681678	Infineon Technologies	HEXFET®	50V	3A	290pF @ 25V	2W	130ミリオーム @ 3A、10V	3V @ 250μA	30nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7104TRPBF INFINEON	390			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141228	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	2.3A	290pF @ 15V	2W	250ミリオーム @ 1A、10V	3V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7105TRPBF INFINEON	6,699	22/23+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76469046	Infineon Technologies	HEXFET®	25V	3.5A、2.3A	330pF @ 15V	2W	100ミリオーム @ 1A、10V	3V @ 250μA	27nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRF7105TRPBF INFINEON	7,000	24+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404389	Infineon Technologies	HEXFET®	25V	3.5A、2.3A	330pF @ 15V	2W	100ミリオーム @ 1A、10V	3V @ 250μA	27nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7105TRPBF INFINEON	15			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141229	Infineon Technologies	HEXFET®	25V	3.5A、2.3A	330pF @ 15V	2W	100ミリオーム @ 1A、10V	3V @ 250μA	27nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7201TRPBF INFINEON	4,000	20+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361763	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	7.3A(Tc)	550 pF @ 25 V	2.5W（Tc）	30ミリオーム @ 7.3A、10V	1V @ 250µA	28 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7204 INTERNATIONAL RECTIFIER	1,050	00+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st65431493	INTERNATIONAL RECTIFIER	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	20V	4.5V、10V	5.3A(TA)	860 pF @ 10 V	2.5W（Tc）	60ミリオーム @ 5.3A、10V	2.5V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±12V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed	Supplier Stock	IRF7205TRPBF INFINEON	12,000	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st60358467	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	4.6A(TA)	870 pF @ 10 V	2.5W（Tc）	70ミリオーム @ 4.6A、10V	3V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7205TRPBF INFINEON	990			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141230	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	4.6A(TA)	870 pF @ 10 V	2.5W（Tc）	70ミリオーム @ 4.6A、10V	3V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	4,000	N/A	MOQ : 4,000 SPQ : 4,000	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681679	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	30V	4.5V、10V	4.6A(TA)	870 pF @ 10 V	2.5W（Tc）	70ミリオーム @ 4.6A、10V	3V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7240TRPBF INFINEON	12,000	25+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078867	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	10.5A(TA)	9250 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	15ミリオーム @ 10.5A、10V	3V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7240TRPBF INFINEON	7,364	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76402107	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	10.5A(TA)	9250 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	15ミリオーム @ 10.5A、10V	3V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7241PBF INFINEON	630	21+	MOQ : 630 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76421988	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	6.2A(TA)	3220 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	41ミリオーム @ 6.2A、10V	3V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7241TRPBF INFINEON	12,440	22/25+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76450809	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	6.2A(TA)	3220 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	41ミリオーム @ 6.2A、10V	3V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7241TRPBF INFINEON	50			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141231	Infineon Technologies	HEXFET®	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	6.2A(TA)	3220 pF @ 25 V	2.5W（Ta）	41ミリオーム @ 6.2A、10V	3V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7303TRPBF INFINEON	4,000	20+	MOQ : 2,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76367817	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4.9A	520pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7303TRPBF INFINEON	26			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141232	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4.9A	520pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	4,000		MOQ : 4,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st72742472	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4.9A	520pF @ 25V	2W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7304TRPBF INFINEON	12,870			Approx. 8 days	CoreStaff Part Number：st73307673	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	4.3A	610pF @ 15V	2W	90ミリオーム @ 2.2A、4.5V	700mV @ 250μA	22nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7306TRPBF INFINEON	51			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141233	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	3.6A	440pF @ 25V	2W	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7306TRPBF INFINEON	1,484	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078868	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	3.6A	440pF @ 25V	2W	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES	4,000	N/A	MOQ : 4,000 SPQ : 4,000	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681680	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	3.6A	440pF @ 25V	2W	100ミリオーム @ 1.8A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7307TRPBF INFINEON	3			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141234	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	5.2A、4.3A	660pF @ 15V	2W	50ミリオーム @ 2.6A、4.5V	700mV @ 250μA	20nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7309PBF INFINEON	75			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141235	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4A、3A	520pF @ 15V	1.4W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7309TRPBF INFINEON	12,500	20+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361764	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4A、3A	520pF @ 15V	1.4W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7309TRPBF INFINEON	1,190			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141236	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4A、3A	520pF @ 15V	1.4W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed	Supplier Stock	IRF7309TRPBF INFINEON	10,096	24+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st60358477	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	4A、3A	520pF @ 15V	1.4W	50ミリオーム @ 2.4A、10V	1V @ 250μA	25nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7311TR INFINEON	7,000	200310		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st69527298
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRF7311TRPBF INFINEON	13			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141237	Infineon Technologies	HEXFET®	20V	6.6A	900pF @ 15V	2W	29ミリオーム @ 6A、4.5V	700mV @ 250μA	27nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRF7313TRPBF INFINEON	749	22+	MOQ : 749 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76396451	Infineon Technologies	HEXFET®	30V	6.5A	650pF @ 25V	2W	29ミリオーム @ 5.8A、10V	1V @ 250μA	33nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SO