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庫存類別供應商排名	庫存所在位置	型號 / 製造商 / 其他	庫存量	生產年份/批號	最低訂貨數量 / 後續訂購數量	預定出貨日	資訊核友管理編號	メーカー名	シリーズ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力 - 最大	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	技術	構成	FET機能	使用温度範囲	用途	取り付けタイプ	デバイスパッケージ
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD86360Q5D TEXAS INSTRUMENTS	3	1736+		預計 4個工作天	核友型號：st74844147	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	25V	50A	2060pF @ 12.5	13W		2.1V @ 250μA	12.6nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87313DMS TEXAS INSTRUMENTS	100	2543+		預計 11個工作天	核友型號：st76084892	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V		4290pF @ 15V			1.25V @ 250μA	28nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-WSON（3.3x3.3）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD87313DMST TEXAS INSTRUMENTS	11,569	22+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st76590025	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V		4290pF @ 15V	2.7W		1.2V @ 250μA	28nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-WSON（3.3x3.3）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87330Q3D TEXAS INSTRUMENTS	958			預計 11個工作天	核友型號：st75129049	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	20A	900pF @ 15V	6W		2.1V @ 250μA	5.8nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（3.3x3.3）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87330Q3D TEXAS INSTRUMENTS	126	21+		預計 11個工作天	核友型號：st75024949	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	20A	900pF @ 15V	6W		2.1V @ 250μA	5.8nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（3.3x3.3）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD87330Q3D TEXAS INSTRUMENTS	3,690	N/A	MOQ : 270 SPQ : 30	預計 16個工作天	核友型號：st76679903	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	20A	900pF @ 15V	6W		2.1V @ 250μA	5.8nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（3.3x3.3）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87330Q3D TEXAS INSTRUMENTS	3,064	20+		預計 4個工作天	核友型號：st74843747	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	20A	900pF @ 15V	6W		2.1V @ 250μA	5.8nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（3.3x3.3）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD87330Q3D TEXAS INSTRUMENTS	15,000	21+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st76522043	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	20A	900pF @ 15V	6W		2.1V @ 250μA	5.8nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（3.3x3.3）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87331Q3D TEXAS INSTRUMENTS	15,000			預計 8個工作天	核友型號：st73368007	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	15A	518pF @ 15V	6W		2.1V、1.2V @ 250μA	3.2nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87333Q3D TEXAS INSTRUMENTS	2,371			預計 8個工作天	核友型號：st73368008	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	15A	662pF @ 15V	6W	14.3ミリオーム @ 4A、8V	1.2V @ 250μA	4.6nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	ロジックレベルゲート、5V駆動	125°C(TJ)		面実装	8-VSON（3.3x3.3）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87333Q3D TEXAS INSTRUMENTS	5,000	20+		預計 11個工作天	核友型號：st75028758	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	15A	662pF @ 15V	6W	14.3ミリオーム @ 4A、8V	1.2V @ 250μA	4.6nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	ロジックレベルゲート、5V駆動	125°C(TJ)		面実装	8-VSON（3.3x3.3）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87334Q3D TEXAS INSTRUMENTS	1,382			預計 8個工作天	核友型號：st73368010	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	20A	1260pF @ 15V	6W	6ミリオーム @ 12A、8V	1.2V @ 250μA	8.3nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）非対称	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-VSON（3.3x3.3）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD87350Q5D TEXAS INSTRUMENTS	5,000	21+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st76522994	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	40A	1770pF @ 15V	12W	5.9ミリオーム @ 20A、8V	2.1V @ 250μA	10.9nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87350Q5D TEXAS INSTRUMENTS	20			預計 11個工作天	核友型號：st75129050	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	40A	1770pF @ 15V	12W	5.9ミリオーム @ 20A、8V	2.1V @ 250μA	10.9nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87350Q5D TEXAS INSTRUMENTS	2,428			預計 11個工作天	核友型號：st70448363	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	40A	1770pF @ 15V	12W	5.9ミリオーム @ 20A、8V	2.1V @ 250μA	10.9nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87350Q5D TEXAS INSTRUMENTS	2,500			預計 8個工作天	核友型號：st73368011	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	40A	1770pF @ 15V	12W	5.9ミリオーム @ 20A、8V	2.1V @ 250μA	10.9nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	CSD87351Q5D TEXAS INSTRUMENTS	5,000	22+		預計 16個工作天	核友型號：st50151741	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	32A	1255pF @ 15V	12W	7.6ミリオーム @ 20A、8V	2.1V @ 250μA	7.7nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD87352Q5D TEXAS INSTRUMENTS	1,261	22+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st76394595	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	25A	1800pF @ 15V	8.5W		1.15V @ 250μA	12.5nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD87352Q5D TEXAS INSTRUMENTS	1,961	N/A	MOQ : 270 SPQ : 30	預計 16個工作天	核友型號：st76679904	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	25A	1800pF @ 15V	8.5W		1.15V @ 250μA	12.5nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	CSD87352Q5D TEXAS INSTRUMENTS	20,000	22+		預計 16個工作天	核友型號：st49397629	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	25A	1800pF @ 15V	8.5W		1.15V @ 250μA	12.5nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87353Q5D TEXAS INSTRUMENTS	27,499	21+		預計 11個工作天	核友型號：st71361488	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	40A	3190pF @ 15V	12W		2.1V @ 250μA	19nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-LSON（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87381P TEXAS INSTRUMENTS	74			預計 11個工作天	核友型號：st75129051	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	15A	564pF @ 15V	4W	16.3ミリオーム @ 8A、8V	1.9V @ 250μA	5nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	5-PTAB（3x2.5）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87381P TEXAS INSTRUMENTS	24,000	21+		預計 11個工作天	核友型號：st75024709	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	15A	564pF @ 15V	4W	16.3ミリオーム @ 8A、8V	1.9V @ 250μA	5nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	5-PTAB（3x2.5）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87381P TEXAS INSTRUMENTS	70	19		預計 8個工作天	核友型號：st69808179	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	15A	564pF @ 15V	4W	16.3ミリオーム @ 8A、8V	1.9V @ 250μA	5nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	5-PTAB（3x2.5）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87384M TEXAS INSTRUMENTS	180	22+		預計 11個工作天	核友型號：st75019361	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	30A	1150pF @ 15V	8W	7.7ミリオーム @ 25A、8V	1.9V @ 250μA	9.2nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	5-PTAB（5x3.5）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87501L TEXAS INSTRUMENTS	2			預計 11個工作天	核友型號：st75129052	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™				2.5W		2.3V @ 250μA	40nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	10-Picostar（3.37x1.47）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD87588N TEXAS INSTRUMENTS	123			預計 8個工作天	核友型號：st73368012	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	25A	736pF @ 15V	6W	9.6ミリオーム @ 15A、10V	1.9V @ 250μA	4.1nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	5-PTAB（3x2.5）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD87588N TEXAS INSTRUMENTS	3,429	22+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76587559	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	30V	25A	736pF @ 15V	6W	9.6ミリオーム @ 15A、10V	1.9V @ 250μA	4.1nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	5-PTAB（3x2.5）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD88537ND TEXAS INSTRUMENTS	6,410	22+		Approx. 11 days	核友型號：st75024083	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	60V	15A	1400pF @ 30V	2.1W	15ミリオーム @ 8A、10V	3.6V @ 250μA	18nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SOIC
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD88537ND TEXAS INSTRUMENTS	42	18+		Approx. 4 days	核友型號：st74844095	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	60V	15A	1400pF @ 30V	2.1W	15ミリオーム @ 8A、10V	3.6V @ 250μA	18nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SOIC
質量保證 B-1	來自供應商的訂	CSD88537NDT TEXAS INSTRUMENTS	250	20+		Approx. 11 days	核友型號：st75024260	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	60V	15A	1400pF @ 30V	2.1W	15ミリオーム @ 8A、10V	3.6V @ 250μA	18nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SOIC
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD88539ND TEXAS INSTRUMENTS	2,500	21+	MOQ : 2,500 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76563483	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	60V	15A	741pF @ 30V	2.1W	28ミリオーム @ 5A、10V	3.6V @ 250μA	9.4nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SOIC
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD88539NDT TEXAS INSTRUMENTS	400	22+	MOQ : 400 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76565488	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	60V	15A	741pF @ 30V	2.1W	28ミリオーム @ 5A、10V	3.6V @ 250μA	9.4nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	8-SOIC
質量保證 B-2	來自供應商的訂	CSD88599Q5DC TEXAS INSTRUMENTS	11,820	21+	MOQ : 100 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76521443	TEXAS INSTRUMENTS	NexFET™	60V		4840pF @ 30V	12W	2.1ミリオーム @ 30A、10V	2.5V @ 250μA	27nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）		-55°C～150°C(TJ)		面実装	22-VSON-CLIP（5x6）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	DKI04046 SANKEN	680	17+	MOQ : 680 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76385375	SANKEN ELECTRIC		Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	4.5V、10V	48A(Tc)	2410 pF @ 25 V	47W（Tc）	5.2ミリオーム @ 35.4A、10V	2.5V @ 650µA	35.3 nC @ 10 V	±20V	150°C(TJ)		面実装
質量保證 B-2	來自供應商的訂	DMN63D8LDW-7 DIODES	9,822	20+	MOQ : 3,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76323345	DIODES		30V	220mA	22pF @ 25V	300mW	2.8オーム @ 250mA、10V	1.5V @ 250μA	0.87nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	SOT-363
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	DMN63D8LDW-7 DIODES	120,000	23+		Approx. 16 days	核友型號：st49398720	DIODES		30V	220mA	22pF @ 25V	300mW	2.8オーム @ 250mA、10V	1.5V @ 250μA	0.87nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)		面実装	SOT-363
質量保證 B-1	來自供應商的訂	ECH8304-TL-E SANYO	2,123			Approx. 8 days	核友型號：st73355582	SANYO		Pチャンネル		12V		9.5A(TA)	3180 pF@6V		16 ミリオーム@4.5A/4.5V						面実装
質量保證 B-1	來自供應商的訂	ECH8697R-TL-W ON SEMICONDUCTOR	30			Approx. 11 days	核友型號：st75132108	ONSEMI		24V	10A		1.5W	11.6ミリオーム @ 5A、4.5V		6nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン	ロジックレベルゲート、2.5V駆動	150°C(TJ)		面実装	SOT-28FL/ECH8
質量保證 B-1	來自供應商的訂	EFC4612R-S-TR ON SEMICONDUCTOR	600			Approx. 11 days	核友型號：st75132757	ONSEMI		24V	6A		1.6W	Q1=Q2=72ミリオーム@2.5V		29nC@4.5V		2 Nチャネル		150°C(TJ)		面実装	EFCP1313-4CC-037
質量保證 B-1	來自供應商的訂	EFC4621R-TR ON SEMICONDUCTOR	10			Approx. 11 days	核友型號：st75132758	ONSEMI		24V	9A		1.6W	Q1=Q2=30ミリオーム@2.5V		29nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、2.5V駆動	150°C(TJ)		面実装	EFCP1616-4CE-022
質量保證 B-2	來自供應商的訂	EM6J1T2R ROHM	138,145	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76409574	ROHM		20V	200mA	115pF @ 10V	150mW	1.2オーム @ 200mA、4.5V	1V @ 100μA	1.4nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	150°C(TJ)		面実装	EMT6
質量保證 B-1	來自供應商的訂	EM6J1T2R ROHM	3,500			Approx. 8 days	核友型號：st73353183	ROHM		20V	200mA	115pF @ 10V	150mW	1.2オーム @ 200mA、4.5V	1V @ 100μA	1.4nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	150°C(TJ)		面実装	EMT6
質量保證 B-2	來自供應商的訂	EM6K1T2R ROHM	10,631	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76412029	ROHM		30V	100mA	13pF @ 5V	150mW	8オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100μA		MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	150°C(TJ)		面実装	EMT6
質量保證 B-2	來自供應商的訂	EM6K1T2R ROHM	32,000	N/A	MOQ : 8,000 SPQ : 8,000	Approx. 16 days	核友型號：st76680449	ROHM		30V	100mA	13pF @ 5V	150mW	8オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100μA		MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	150°C(TJ)		面実装	EMT6
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	EM6K1T2R ROHM	7,486	22+		Approx. 16 days	核友型號：st50154789	ROHM		30V	100mA	13pF @ 5V	150mW	8オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100μA		MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	150°C(TJ)		面実装	EMT6
質量保證 B-1	來自供應商的訂	EM6K1T2R ROHM	88,000			Approx. 8 days	核友型號：st73353185	ROHM		30V	100mA	13pF @ 5V	150mW	8オーム @ 10mA、4V	1.5V @ 100μA		MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	150°C(TJ)		面実装	EMT6
質量保證 B-2	來自供應商的訂	EM6K31GT2R ROHM	10,000	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76393159	ROHM		60V	250mA	15pF @ 25V	120mW	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA		MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	ロジックレベルゲート、2.5V駆動	150°C(TJ)		面実装	EMT6
質量保證 B-2	來自供應商的訂	EM6K31T2R ROHM	11,408	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	核友型號：st76415994	ROHM		60V	250mA	15pF @ 25V	150mW	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA		MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	150°C(TJ)		面実装	EMT6
質量保證 B-1	來自供應商的訂	EM6K31T2R ROHM	22			Approx. 11 days	核友型號：st75133111	ROHM		60V	250mA	15pF @ 25V	150mW	2.4オーム @ 250mA、10V	2.3V @ 1mA		MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	150°C(TJ)		面実装	EMT6

核友型號：st74844147

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核友型號：st76680449

核友型號：st50154789

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核友型號：st76393159

核友型號：st76415994

核友型號：st75133111

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