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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SQD19P06-60L_GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 20A(Tc) 46W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD19P06-60L_GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 20A(Tc) 1490 pF @ 25 V 46W(Tc) 55ミリオーム @ 19A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD19P06-60L_GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 20A(Tc) 46W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD19P06-60L_GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 20A(Tc) 1490 pF @ 25 V 46W(Tc) 55ミリオーム @ 19A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD19P06-60L_T4GE3

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Pチャンネル 60 V 20A(Tc) 46W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD19P06-60L_T4GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 20A(Tc) 1490 pF @ 25 V 46W(Tc) 55ミリオーム @ 19A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD19P06-60L_T4GE3

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Pチャンネル 60 V 20A(Tc) 46W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD19P06-60L_T4GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 20A(Tc) 1490 pF @ 25 V 46W(Tc) 55ミリオーム @ 19A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD23N06-31L_GE3

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Nチャンネル 60 V 23A(Tc) 37W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD23N06-31L_GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 23A(Tc) 845 pF @ 25 V 37W(Tc) 31ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD23N06-31L_GE3

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Nチャンネル 60 V 23A(Tc) 37W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD23N06-31L_GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 23A(Tc) 845 pF @ 25 V 37W(Tc) 31ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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Nチャンネル 60 V 23A(Tc) 37W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQD23N06-31L_T4GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 23A(Tc) 845 pF @ 25 V 37W(Tc) 31ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD25N06-22L_GE3

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 62W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD25N06-22L_GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 25A(Tc) 1975 pF @ 25 V 62W(Tc) 22ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD25N06-22L_GE3

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 62W(Tc) 面実装 TO-252AA
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Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 25A(Tc) 1975 pF @ 25 V 62W(Tc) 22ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD25N06-22L_T4GE3

   

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 62W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD25N06-22L_T4GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 25A(Tc) 1975 pF @ 25 V 62W(Tc) 22ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD25N06-22L_T4GE3

   

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Nチャンネル 60 V 25A(Tc) 62W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD25N06-22L_T4GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 25A(Tc) 1975 pF @ 25 V 62W(Tc) 22ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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Nチャンネル 150 V 25A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQD25N15-52-T4_GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 10V 25A(Tc) 2200 pF @ 25 V 107W(Tc) 52ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD25N15-52_GE3

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Nチャンネル 150 V 25A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
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Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 10V 25A(Tc) 2200 pF @ 25 V 107W(Tc) 52ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD25N15-52_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 25A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD25N15-52_GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 10V 25A(Tc) 2200 pF @ 25 V 107W(Tc) 52ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD30N05-20L_GE3

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Nチャンネル 55 V 30A(Tc) 50W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD30N05-20L_GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1175 pF @ 25 V 50W(Tc) 20ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD30N05-20L_GE3

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Nチャンネル 55 V 30A(Tc) 50W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD30N05-20L_GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1175 pF @ 25 V 50W(Tc) 20ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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Nチャンネル 55 V 30A(Tc) 50W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQD30N05-20L_T4GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1175 pF @ 25 V 50W(Tc) 20ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40020EL_GE3

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40020EL_GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 8800 pF @ 25 V 107W(Tc) 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 165 nC @ 20 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40020EL_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40020EL_GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 8800 pF @ 25 V 107W(Tc) 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 165 nC @ 20 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40020E_GE3

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40020E_GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 10V 100A(Tc) 8000 pF @ 25 V 107W(Tc) 2.33ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40020E_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40020E_GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 10V 100A(Tc) 8000 pF @ 25 V 107W(Tc) 2.33ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40030E_GE3

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40030E_GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 10V 100A(Tc) - - - 65 nC @ 10 V - 175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40031EL_GE3

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Pチャンネル 30 V 100A(Tc) 136W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40031EL_GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 15000 pF @ 25 V 136W(Tc) 3.2ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40031EL_GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 100A(Tc) 136W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40031EL_GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 15000 pF @ 25 V 136W(Tc) 3.2ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40052EL_GE3

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Nチャンネル 40 V 30A(Tc) 62W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQD40052EL_GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 30A(Tc) 2600 pF @ 25 V 62W(Tc) 6ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40052EL_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 30A(Tc) 62W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQD40052EL_GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 30A(Tc) 2600 pF @ 25 V 62W(Tc) 6ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40061EL-T4_GE3

   

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Pチャンネル 40 V 100A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQD40061EL-T4_GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 14500 pF @ 25 V 107W(Tc) 5.1ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40061EL-T4_GE3

   

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Pチャンネル 40 V 100A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQD40061EL-T4_GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 14500 pF @ 25 V 107W(Tc) 5.1ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40061EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 100A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40061EL_GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 14500 pF @ 25 V 107W(Tc) 5.1ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40061EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 100A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40061EL_GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 14500 pF @ 25 V 107W(Tc) 5.1ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40081EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 50A(Tc) 71W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40081EL_GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 10V 50A(Tc) 9950 pF @ 25 V 71W(Tc) 8.5ミリオーム @ 25A、10V 2.5V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40081EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 50A(Tc) 71W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40081EL_GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 10V 50A(Tc) 9950 pF @ 25 V 71W(Tc) 8.5ミリオーム @ 25A、10V 2.5V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40131EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 50A(Tc) 62W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40131EL_GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 50A(Tc) 6600 pF @ 25 V 62W(Tc) 11.5ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA
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SQD40131EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 50A(Tc) 62W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SQD40131EL_GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 50A(Tc) 6600 pF @ 25 V 62W(Tc) 11.5ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA

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