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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SISH107DN-T1-GE3

   

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Pチャンネル 30 V 12.6A(Ta)、34.4A(Tc) 3.57W(Ta)、26.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 12.6A(Ta)、34.4A(Tc) 1400 pF @ 15 V 3.57W(Ta)、26.5W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH107DN-T1-GE3

   

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Pチャンネル 30 V 12.6A(Ta)、34.4A(Tc) 3.57W(Ta)、26.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH107DN-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 12.6A(Ta)、34.4A(Tc) 1400 pF @ 15 V 3.57W(Ta)、26.5W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH108DN-T1-GE3

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Nチャンネル 20 V 14A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.5V、10V 14A(Ta) 1.5W(Ta) 4.9ミリオーム @ 22A、10V 2V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH108DN-T1-GE3

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Nチャンネル 20 V 14A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH108DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.5V、10V 14A(Ta) 1.5W(Ta) 4.9ミリオーム @ 22A、10V 2V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH110DN-T1-GE3

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Nチャンネル 20 V 13.5A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.5V、10V 13.5A(Ta) 1.5W(Ta) 5.3ミリオーム @ 21.1A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH112DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 11.3A(Tc) 1.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 11.3A(Tc) 2610 pF @ 15 V 1.5W(Tc) 7.5ミリオーム @ 17.8A、10V 1.5V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±12V -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH112DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 11.3A(Tc) 1.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH112DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 11.3A(Tc) 2610 pF @ 15 V 1.5W(Tc) 7.5ミリオーム @ 17.8A、10V 1.5V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±12V -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH114ADN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、35A(Tc) 3.7W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 18A(Ta)、35A(Tc) 1230 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、39W(Tc) 7.5ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH114ADN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、35A(Tc) 3.7W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH114ADN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 18A(Ta)、35A(Tc) 1230 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、39W(Tc) 7.5ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH116DN-T1-GE3

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Nチャンネル 40 V 10.5A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH116DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 10.5A(Ta) 1.5W(Ta) 7.8ミリオーム @ 16.4A、10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH116DN-T1-GE3

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Nチャンネル 40 V 10.5A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH116DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 10.5A(Ta) 1.5W(Ta) 7.8ミリオーム @ 16.4A、10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH129DN-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 14.4A(Ta)、35A(Tc) 3.8W(Ta)、52.1W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH129DN-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 14.4A(Ta)、35A(Tc) 3345 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、52.1W(Tc) 11.4ミリオーム @ 14.4A、10V 2.8V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH129DN-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 14.4A(Ta)、35A(Tc) 3.8W(Ta)、52.1W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH129DN-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 14.4A(Ta)、35A(Tc) 3345 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、52.1W(Tc) 11.4ミリオーム @ 14.4A、10V 2.8V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH402DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 19A(Ta)、35A(Tc) 3.8W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH402DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 19A(Ta)、35A(Tc) 1700 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、52W(Tc) 6ミリオーム @ 19A、10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH402DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 19A(Ta)、35A(Tc) 3.8W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH402DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 19A(Ta)、35A(Tc) 1700 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、52W(Tc) 6ミリオーム @ 19A、10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH407DN-T1-GE3

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Pチャンネル 20 V 15.4A(Ta)、25A(Tc) 3.6W(Ta)、33W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH407DN-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 15.4A(Ta)、25A(Tc) 2760 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、33W(Tc) 9.5ミリオーム @ 15.3A、4.5V 1V @ 250µA 93.8 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH407DN-T1-GE3

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Pチャンネル 20 V 15.4A(Ta)、25A(Tc) 3.6W(Ta)、33W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH407DN-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 15.4A(Ta)、25A(Tc) 2760 pF @ 10 V 3.6W(Ta)、33W(Tc) 9.5ミリオーム @ 15.3A、4.5V 1V @ 250µA 93.8 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH410DN-T1-GE3

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Nチャンネル 20 V 22A(Ta)、35A(Tc) 3.8W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH410DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.5V、10V 22A(Ta)、35A(Tc) 1600 pF @ 10 V 3.8W(Ta)、52W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH410DN-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 22A(Ta)、35A(Tc) 3.8W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH410DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.5V、10V 22A(Ta)、35A(Tc) 1600 pF @ 10 V 3.8W(Ta)、52W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH434DN-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 17.6A(Ta)、35A(Tc) 3.8W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH434DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 17.6A(Ta)、35A(Tc) 1530 pF @ 20 V 3.8W(Ta)、52W(Tc) 7.6ミリオーム @ 16.2A、10V 2.2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH434DN-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 17.6A(Ta)、35A(Tc) 3.8W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH434DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 17.6A(Ta)、35A(Tc) 1530 pF @ 20 V 3.8W(Ta)、52W(Tc) 7.6ミリオーム @ 16.2A、10V 2.2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH472DN-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、20A(Tc) 3.5W(Ta)、28W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH472DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、20A(Tc) 997 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、28W(Tc) 8.9リオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH472DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、20A(Tc) 3.5W(Ta)、28W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH472DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、20A(Tc) 997 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、28W(Tc) 8.9リオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH536DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 24.7A(Ta)、67.4A(Tc) 3.57W(Ta)、26.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 24.7A(Ta)、67.4A(Tc) 1150 pF @ 15 V 3.57W(Ta)、26.5W(Tc) 3.25ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 25 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH536DN-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 24.7A(Ta)、67.4A(Tc) 3.57W(Ta)、26.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 24.7A(Ta)、67.4A(Tc) 1150 pF @ 15 V 3.57W(Ta)、26.5W(Tc) 3.25ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 25 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH615ADN-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 22.1A(Ta)、35A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH615ADN-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、10V 22.1A(Ta)、35A(Tc) 5590 pF @ 10 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 4.4ミリオーム @ 20A、10V 1.5V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH615ADN-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 22.1A(Ta)、35A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH615ADN-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、10V 22.1A(Ta)、35A(Tc) 5590 pF @ 10 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 4.4ミリオーム @ 20A、10V 1.5V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH617DN-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 13.9A(Ta)、35A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH617DN-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 13.9A(Ta)、35A(Tc) 1800 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 12.3ミリオーム @ 13.9A、10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH617DN-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 13.9A(Ta)、35A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH617DN-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 13.9A(Ta)、35A(Tc) 1800 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 12.3ミリオーム @ 13.9A、10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH625DN-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 17.3A(Ta)、35A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH625DN-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 17.3A(Ta)、35A(Tc) 4427 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 7ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH625DN-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 17.3A(Ta)、35A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISH625DN-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 17.3A(Ta)、35A(Tc) 4427 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 7ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
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SISH892BDN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 6.8A(Ta)、20A(Tc) 3.4W(Ta)、29W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH892BDN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 4.5V、10V 6.8A(Ta)、20A(Tc) 1110 pF @ 50 V 3.4W(Ta)、29W(Tc) 30.4ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 26.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
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SISH892BDN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 6.8A(Ta)、20A(Tc) 3.4W(Ta)、29W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SISH892BDN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 4.5V、10V 6.8A(Ta)、20A(Tc) 1110 pF @ 50 V 3.4W(Ta)、29W(Tc) 30.4ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 26.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
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SISHA04DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 30.9A(Ta)、40A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
CoreStaff Part Number:zp2216-SISHA04DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 30.9A(Ta)、40A(Tc) 3595 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 2.15ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH

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